Фильтр по тематике
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 13. Разработка устройств на базе 3D М ФЭФ М
В заключительной части статьи пойдёт речь о встраиваемой вычислительной платформе ФЭФ ВВП и построении на её основе многодатчиковых информационно-вычислительных и многопроцессорных систем на базе 3D М ФЭФ М и платформы MicroTCA OM. СЭ №3/2019 37 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 12. Оптоэлектронный многоканальный коммутатор стандарта SpaceWire и концепция ФЭ ИВС ЦИФАР
В двенадцатой части статьи будут представлены оптоэлектронный многоканальный коммутатор стандарта SpaceWire и концепция ФЭ информационно-вычислительной системы для ЦИФАР с цифровым диаграммообразованием, а также разработка ЦИФАР для радиотехнических систем с учётом современных достижений науки и техники на базе технологии радиофотоники и построение оптоэлектронной цифровой интеллектуальной 3D М ФЭФ М ЦИФАР. СЭ №2/2019 44 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 11. Концепция построения 3D матричной фотон-электрон-фотонной процессорной системы (цифровой) – 3D М ФЭФ ПСЦ
В одиннадцатой части статьи продолжается повествование о концепции построения процессорной цифровой системы 3D М ФЭФ ПСЦ: представлены аналого-цифровые векторно-матричные потоковые вычислители 3D М ФЭФ ПСАЦ и масштабируемые системы с использованием процессора DSP TMS320С6455. СЭ №1/2019 48 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 10. Концепция построения оптического процессора
Десятая часть статьи продолжает рассказ о возможных способах построения оптических процессоров, реализующих структуру векторно-матричных умножителей, и процессоров с мультиклеточной структурой. В статье показана концепция построения многопроцессорной аналоговой и цифровой векторно-матричной вычислительной архитектуры с наращиваемой 3D-платформой вычислительных ядер и оптоэлектронными многоканальными коммутаторами стандарта SpaceWire на основе электронной базы 3D М ФЭФ М (3D многоканальный фотон-электрон-фотонный модуль). СЭ №9/2018 143 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 9. Преобразователь оптико-электрического интерфейса – 3D ФЭФ М ПОЭИ
Девятая часть статьи показывает возможности реализации 3D ФЭФ М ПОЭИ, многоканальных 3D М ФЭФ М АС и 3D МФЭФ М ВВ, представленных в концепте решений по созданию высокопроизводительных информационно-вычислительных, коммутационных и радиолокационных устройств, систем и комплексов, с описанием технических характеристик и способов кодирования при обработке и передаче информации. СЭ №8/2018 38 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология. Часть 8. Конструкторские и технологические разработки информационно-вычислительных устройств на базе 3D М ФЭФ М
В восьмой части статьи описываются конструкторские и технологические решения, используемые при создании информационно-вычислительных, коммутационных и радиолокационных устройств и систем на базе уникальных трёхмерных матричных фотон-электрон-фотонных модулей (3D М ФЭФ М), разработанных на основе мезонинной платы с применением металлокерамических корпусов PGA с многоканальными электрическими контактами и металлическими корпусами-разъёмами для применения в многоканальных оптических линиях связи.
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: конструкторские решения в области изготовления оптических трёхмерных матричных приёмо-передающих модулей 3D М ФЭФ М. Часть 7
В седьмой части статьи описаны конструкторские решения в области изготовления трёхмерных матричных приёмо-передающих оптических фотон-электрон-фотонных модулей (3D М ФЭФ М) с использованием планарных объёмных матричных линзовых растров и призменных делителей, полученных с применением ионообменной технологии. Также приведены формируемые оптические схемы, используемые в 3D М ФЭФ М, и описаны особенности изготовления модулей на основе применения вертикально излучающих лазеров (3D М ЭФ СБИС VCSEL) и коммутационных кремниевых кристаллов с элементами аналого-цифрового преобразования оптического излучения (3D М ФЭ СБИС А/Ц), собранных по методу перевёрнутого монтажа (flip-chip). СЭ №2/2018 39 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: конструктивные решения 3D М ФЭФ М. Часть 6
В шестой части статьи рассматриваются конструктивные решения модулей 3D М ФЭФ М с использованием алюмооксидной и LTCC-технологий на основе мезонинных печатных плат в различных модификациях с описанием преимуществ и недостатков соответствующих решений. СЭ №1/2018 45 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: матрица процессоров с потоковой обработкой функции расщеплённого алгоритма БПФ. Часть 5
В пятой части статьи представлено техническое описание с конструктивными решениями и электрическими характеристиками оптоэлектронных элементов с матричной организацией функциональных пикселей на основе кремниево-фотонной и арсенид-галлий-алюминиевой технологий базового ряда 3D М СБИС. Кратко рассмотрены технологические процессы изготовления матриц процессоров с потоковой обработкой функции расщеплённого алгоритма БПФ (3D М ФЭ СБИС ПФ), матриц пикселей памяти с функцией перестановки (3D М ФЭ СБИС ПП), кристаллов коммутации каналов (3D М ФЭ СБИС КК) и кристаллов маршрутизатора SPACE WIRE (3D М ФЭ СБИС SW) для создания удаленной связи по многоканальным оптическим и локальным электрическим каналам связи. СЭ №8/2017 47 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: базовый ряд 3D М ЭФ СБИС VCSЕL и функциональных 3D М ФЭ СБИС для 3D М ФЭФ М. Часть 4
В четвёртой части статьи рассматривается базовый ряд оптоэлектронных элементов с матричной организацией функциональных пикселей на основе кремниево-фотонной и арсенид-галлий-алюминиевой технологий. Представлено краткое описание технологических процессов изготовления матриц лазеров вертикального излучения и матриц АЦП/ЦАП – амплитудно-модулированных фотонных сигналов для создания удалённой связи по многоканальным оптическим и локальным электрическим каналам связи. Указаны технические характеристики оптоэлектронных элементов с матричной организацией. СЭ №6/2017 44 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: создание М ЭФ СБИС VCSEL и М ФЭ СБИС Si. Часть 3
В статье описываются технологические методы создания матриц лазеров вертикального излучения М ЭФ СБИС VCSEL и фотоприёмников многоканальных оптических сигналов для М ФЭ СБИС Si. Приводятся электрические характеристики и технические параметры работы изделий. Отмечаются преимущества и недостатки их конструкций. СЭ №5/2017 29 0 0
электроника
Кремниевая и арсенид-галлий-алюминиевая технология: концепция построения 3D М ФЭФ М и изделий на их основе Часть 2
Кремниево-фотонная и арсенид-галлий-алюминиевая технологии позволяют реализовать перспективные технологии соединений посредством многоканальных оптических и электрических каналов, реализующие фотон-электрон-фотонные связи непосредственно на поверхности полупроводниковых кристаллов. Такой подход сформулирован авторами на основе организации ввода-вывода информации, используя поверхность всего кристалла. СЭ №4/2017 31 0 0
