Фильтр по тематике

Статьи

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 3. Новые процессорные модули ведущих производителей для систем искусственного интеллекта Наука и техника

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 3. Новые процессорные модули ведущих производителей для систем искусственного интеллекта

Основное направление разработок новых аппаратных средств, предназначенных для искусственного интеллекта, связано с поисками возможного компромисса между увеличением вычислительных мощностей и энергопотреблением. Эксперты отмечают, что в настоящее время наблюдается отход от доминировавшей несколько последних лет тенденции наращивания вычислительных мощностей в центрах обработки данных. В противовес этому конструкторы стараются найти решения, позволяющие конструировать новые ИИ-модели более продвинутыми, но с меньшими затратами. В статье описаны новые электронные компоненты для моделей ИИ трёх лидирующих на этом рынке компаний: NVIDIA, AMD и Cerebras.
10.07.2025 50 0
Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков Наука и техника

Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков

Для решения ряда практических задач, связанных с идентификацией дефектов и повреждений в материалах, установлением состояния конструкций, выявлением неоднородностей в оптически непроницаемых средах и визуализацией их структуры, необходимо обрабатывать информацию, полученную дистанционно, что предусматривает оценку материальных параметров объектов исследования и установление их пространственного распределения. В отличие от математической теории обратных задач рассеяния, которая направлена главным образом на доказательство теорем о существовании и единственности решения, важное прикладное значение имеет разработка вычислительных процедур, которые позволят найти параметры рассеивателей при реальных условиях проведения измерений. Целью статьи является повышение эффективности средств оценивания параметров неоднородных сред по известному распределению рассеянного электромагнитного поля путём решения обратных задач рассеяния. Рассмотрен метод решения обратной задачи рассеяния по коэффициенту отражения для многослойных структур без потерь, высокая точность которого достигается за счёт конечного количества коэффициентов решений Йоста, что позволило избежать вычислений коэффициентов безграничных тригонометрических последовательностей в элементах матрицы рассеяния. Полученные результаты позволили осуществить оценку количества слоёв диэлектрической структуры, установить диэлектрическую проницаемость и ширину каждого слоя по значениям комплексного коэффициента отражения, который известен по результатам измерений на дискретном множестве частот в ограниченном диапазоне. Это дало возможность анализировать диэлектрические материалы неразрушающим методом и идентифицировать расслоение и отклонения параметров слоёв от технологически заданных значений. Разработан метод определения распределения диэлектрической проницаемости вдоль поперечной координаты в диэлектрических плоскослоистых структурах, и развитые алгоритмы идентификации поверхностей раздела по коэффициенту отражения нормально падающей плоской волны использованы как процедуры обработки сигналов в средствах подповерхностной радиолокации, что позволило избежать ложного обнаружения неоднородностей при анализе структуры сред.
04.07.2025 155 0
Стратегия электронного суверенитета Электроника и автоматизация

Стратегия электронного суверенитета

16.06.2025 181 0
ЦИПР 2025 – как бы не заболтать смыслы... Электроника и автоматизация

ЦИПР 2025 – как бы не заболтать смыслы...

16.06.2025 173 0

  Показать больше
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjd5pUmj
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjbxbMrV
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться