Фильтр по тематике

Расчёт волнового сопротивления на печатной плате для интерфейса USB 3.1 в САПР SimPCB Lite

В статье рассматривается пример расчёта первичных и вторичных параметров дифференциальной пары высокоскоростного интерфейса USB 3.1 в САПР SimPCB Lite, разработанной компанией ЭРЕМЕКС.

07.07.2025 1246 0
Расчёт волнового сопротивления на печатной плате для интерфейса USB 3.1 в САПР SimPCB Lite

При проектировании высокоскоростных интерфейсов на печатной плате важно рассчитывать параметры линий передачи с высокой точностью. Одним из таких интерфейсов является USB 3.1, у которого скорость передачи данных достигает 10 Гбит/с. На таких скоростях несогласованность импеданса может критически повлиять на целостность сигнала, что приведёт к некорректной работе всего устройства.

В статье подробно рассматривается процесс вычисления параметров линии передачи с контролируемым дифференциальным волновым сопротивлением для интерфейса USB 3.1 в САПР SimPCB Lite. Расчёт ослабления сигнала и перекрёстных помех применительно к USB 3.1 будет рассмотрен в следующих статьях.

USB 3.1 использует две дифференциальные пары (TX и RX), по которым передаются данные со скоростью до 10 Гбит/с. Основные требования и рекомендации на трассировку и компоновку данного интерфейса изложены ниже [1, 2, 3].

  • Импеданс дифференциальной пары. Волновое сопротивление должно составлять 90 Ом. Допускается отклонение в пределах десяти процентов.
  • Трассировка и количество переходных отверстий. Не допускается в трассировке наличие прямых углов. Количество переходных отверстий минимальное: на одну линию не более двух.
  • Перекрёстные помехи. Для минимизации помех расстояние от любых сигналов до проводника дифф. пары должно составлять не менее 5W, где W – ширина проводника дифф. пары. В случае плотной трассировки и невозможности обеспечения указанного выше значения применять моделирование. Минимизировать расстояние между сигнальным и опорным слоем. Избегать размещения трасс под источниками помех (кристаллы, DC-DC, PLL).
  • Длина проводников в паре. Разница в длине проводников не должна превышать 0,127 мм. Обеспечить равномерную ширину и зазор по всей длине дифференциальной пары.
  • Возвратный путь сигнала. Следует избегать разрывов в опорном слое под дифференциальной парой.
  • Размещение конденсаторов. Конденсаторы на сигнальных линиях следует располагать как можно ближе к разъёму USB.
  • Устанавливать TVS-диоды или ESD-защиту ближе к USB-разъёму.
  • Ферриты или индуктивности. Данные типы компонентов не должны стоять в сигнальных линиях Super Speed (TX/RX).

Как правило, для данного интерфейса USB 3.1 на печатной плате реализуются дифференциальные микрополосковые или дифференциальные полосковые линии передачи. Возможны также варианты и с копланарными структурами.

В данной статье рассматривается микрополосковая дифференциальная линия передачи.

Параметры линий передачи, в том числе и геометрические, во многом зависят от применяемых материалов в структуре печатной платы. Выбор материала зависит от многих факторов, а именно: типа платы, условий эксплуатации, применяемых компонентов, способа монтажа, максимальной частоты сигналов, значения волнового сопротивления, типов переходных отверстий, максимального тока в устройстве и допустимой толщины платы и т.д.

Для высокоскоростных интерфейсов следует использовать специальные материалы из категории High Speed. Как правило, они имеют низкую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс угла диэлектрических потерь и стабильность свойств в широком диапазоне частот. Такие материалы предлагает компания ООО «РЕЗОНИТ».

Дифференциальная пара размещается на внешнем слое. Пусть между сигнальным слоем и опорным располагается препрег. Такой вариант структуры многослойной печатной платы относится к типовым. Параметры препрега взяты с сайта компании ООО «РЕЗОНИТ» и представлены на рис. 1. Данные препреги выполнены на основе материала TU-872 компании TUC [4].


В разрабатываемой конструкции применим два препрега 2 × 0,076 с диэлектрической проницаемостью Er (Dk) = 3,5. Данная комбинация проста в изготовлении и довольно часто используется на практике. При необходимости, в зависимости от решаемой задачи и возможностей производства, количество и тип препрегов могут отличаться от представленного выше.

В САПР SimPCB Lite задаются следующие входные параметры, приведённые в табл. 1.


Также необходимо изменить режим расчёта на вариант Сохранить новый расчёт. В этом случае после нажатия на кнопку Рассчитать расчёт будет сохраняться в панели Проекты.

При данных, указанных в табл. 1, дифференциальное волновое сопротивление составит Zdiff = 108,11 Ом. Кроме волнового сопротивления программа рассчитывает задержку, ёмкость, индуктивность, скорость распространения сигнала и эффективную диэлектрическую проницаемость (рис. 2).


Полученный результат не удовлетворяет требованиям данного интерфейса, так как импеданс значительно превышает 90 Ом.

Параметры материалов, геометрические и электрофизические, являются константами в нашем примере, поэтому влиять на волновое сопротивление возможно только через S1 и W1, W2. Изменим S1: пусть зазор между проводниками составляет 0,15 мм, тогда Zdiff = 101,22 Ом. Значение сопротивления стало ближе к необходимому, но всё же не удовлетворяет требованию (рис. 3).


Далее вычислим в SimPCB Lite ширину проводника дифференциальной пары под волновое сопротивление 90 Ом. Для этого следует переключить радиокнопку на параметр W1. В поле Zdiff нужно ввести 90 Ом и нажать кнопку Рассчитать. В итоге ширина проводника получается 0,23 мм.

Таким образом, при ширине проводника 0,23 мм и зазоре между проводниками 0,15 мм волновое сопротивление для данной конструкции составит Zdiff = 89,97 Ом. Если отсутствуют какие-либо дополнительные ограничения, то требования по импедансу можно считать выполненными (90 Ом ±10%) (рис. 4).


Для быстродействующих интерфейсов рекомендуется дополнительно проводить частотный анализ. С его помощью можно оценить зависимость волнового сопротивления от частоты и вычислить множество дополнительных величин, влияющих на качество сигнала. САПР SimPCB Lite позволяет провести такой анализ. Для его выполнения в программе следует изменить тип расчёта на Частотный анализ и ввести данные в Дополнительные параметры. Пусть они будут иметь следующие значения (рис. 5).


Параметр Fc (частота) меняется от 100 МГц до 11 ГГц с шагом 100 МГц. Результат расчёта представлен на рис. 6.


Видно, что волновое сопротивление уменьшается с увеличением частоты. Так, для 100 МГц оно составляет 92,113 Ом, а для 10 ГГц – 89,93 Ом. Такое поведение обусловлено учётом двух дополнительных первичных параметров (активное сопротивление и проводимость диэлектрика), а также влиянием частоты на значение индуктивности. Полученный интервал дифференциального волнового сопротивления линий передачи (89,93…92,113 Ом) в широком диапазоне частот (100 МГц…10 ГГц) также полностью удовлетворяет требованиям к высокоскоростному интерфейсу USB 3.1.

При проектировании линий передачи для определения их геометрических параметров и электрофизических свойств под конкретное значение волнового сопротивления в значительном количестве случаев достаточно использовать только расчёт без учёта потерь. Для получения более детальной информации о линии необходимо выполнять частотный анализ. С его помощью специалист получит значения всех четырёх первичных параметров (ёмкость, индуктивность, активное сопротивление, проводимость ди­электрика) и точное значение импеданса на конкретной частоте.

Литература

  1. Universal Serial Bus 3.1 Specification, 2013.
  2. High-Speed Interface Layout Guidelines. Texas Instruments. 2023.
  3. AN222944. EZ-USB HX3PD Hardware Design Guidelines and Checklist. Infineon Technologies.
  4. Сайт компании «РЕЗОНИТ». Материалы для производства печатных плат. URL: https://www.rezonit.ru/directory/v-pomoshch-konstruktoru/materialy-dlya-proizvodstva-pechatnykh-plat... (дата обращения: 15.05.2025).
  5. Сайт компании TUC. URL: https://www.tuc.com.tw/en-us/products-detail/id/2 (дата обращения: 15.05.2025).

© СТА-ПРЕСС, 2025

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

07.07.2025 1246 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма.  Часть 5. Как были открыты плазмоны

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 5. Как были открыты плазмоны

Продолжаем серию статей о научном наследии Игоря Тамма. В предыдущих статьях мы рассмотрели, как его идеи, изложенные в статьях 1930–1950-х годов, повлияли на развитие нового научного направления «плазмоники», изучающего взаимодействие света с электронами в металлах и эффекты локализации света в объёмах меньше его длины волны. В частности, мы разобрали некоторые темы: современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны, фотонные кристаллы («Современная электроника» № 7–9, 2025), а также экситон-поляритоны и фонон-поляритоны («Современная электроника» № 4, 2026). В этой статье мы расскажем о том, как научное предвидение Игоря Тамма позволило правильно прогнозировать именно те направления исследований, где были открыты объёмные и поверхностные плазмоны.
27.07.2026 СЭ №6/2026 198 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Данная статья является продолжением работы «Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности» (Современная электроника. 2025. № 7. С. 39–43), в которой приведены экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля (И.К. Э-М. П.) ОНЧ-диапазона (600…3600 Гц), синхронно зарегистрированные на двух разнесённых по широте авроральных обсерваториях ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген) и Ловозеро (67,97º, 35,08º; Мурманская обл., РФ). Для сопоставления сейсмической активности с АЧХ и АВХ И.К. ОНЧ-сигнала использованы архивные данные норвежской сети NORSAR, а также приведены некоторые характеристики гелиогеофизических факторов, влияющих на состояние нижней ионосферы: вариации магнитного поля Земли (Hx, Hy, Hz) и временны́е периоды освещённости Солнцем нижних слоёв ионосферы (h < 90 км) в пунктах регистрации ОНЧ-сигнала. Приёмно-регистрирующая аппаратура, используемая на обсерваториях, выполнена по идентичной схеме и состоит из приёмника ОНЧ-диапазона со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн [1] и последовательного анализатора спектра импульсных сигналов [2].
24.07.2026 СЭ №6/2026 326 0

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться