Современные достижения в производстве SiC- и GaN-приборов силовой электроники
В статье представлен краткий обзор последних достижений в области производства приборов силовой электроники на основе карбида кремния и нитрида галлия, рассказывается о преимуществах новых диодов и транзисторов, а также о проблемах, которые приходится решать разработчикам передовых полупроводниковых технологий. СЭ №9/2019 279 0 0Особенности конструкции и изготовления силовых МОП-транзисторов для космической электроники
В статье рассмотрены особенности технологических процессов изготовления и конструкции мощных МОП-транзисторов, используемых в космической силовой электронике. СЭ №5/2018 325 0 0КНИ-биполярные и BCD-процессы для ИМС космической силовой электроники
В статье описаны преимущества использования КНИ-биполярных и BCD-техпроцессов для ИМС космической силовой электроники, используемых в DC/DC-модулях систем вторичного электропитания с бортовым питанием 27 и 100 В, в конечных DC/DC-преобразователях, в драйверах управления затворами MOSFET и IGBT и других устройствах. Рассматриваются отличительные особенности КНИ-биполярных и BCD-процессов в сравнении с обычными техпроцессами для космической электроники. СЭ №1/2018 204 0 0DC/DC-модули мощностью до 15 Вт для бортового питания на 27 и 100 В
В статье рассмотрены основные типы DC/DC-преобразователей для систем вторичного электропитания аппаратуры космической силовой электроники, а также представлены основные электрические характеристики DC/DC-модулей на 5 и 15 Вт, разработанных компанией «Микроника» для аппаратуры с бортовым питанием на 27 и 100 В. СЭ №9/2017 181 0 0