Фильтр по тематике
электроника
Программу экспортозамещения можно начинать с GaAs-диодов
В статье показаны уникальные свойства нового полупроводникового LPE GaAs-материала, использование которого предоставляет возможность отечественным производителям электронных компонентов опередить мировой уровень развития электроники. СЭ №3/2020 56 0 0
электроника
Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO) Часть 2
В первой части настоящей статьи (см. журнал «Современная электроника» №3, 2017) было показано, что терагерцовая среда для человека – это то же самое, что воздух, вода, пища, солнечный свет, земля или, другими словами, это – важнейшая составляющая биосреды обитания человека. Следует осознать, что терагерцовая среда существует с древнейших времен. Необходимо понимать терагерцовую биоэнергетику хотя бы на уровне теории Пойнтинга или на модах Блоха. С целью познания, влияния, управления терагерцовой энергетикой сегодня нужны доступные, сверхкомпактные, «не криогенные», высокочувствительные метрологические инструменты. Опыт полупроводниковой (зонной) микроболометрии создания приборов ночного видения показывает, что нужны абсолютно новые материалы, новая физика, новый дизайн, новая технология. Наша очередная, пока, естественно, на доступном, тривиальном уровне (с учётом готовности читательской среды), публикация (а именно, вторая часть статьи) и посвящена этому важному для научного сообщества вопросу. СЭ №4/2017 34 0 0
электроника
Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO). Часть 1
В очередной публикации мы продолжаем раскрывать для научной и технологической общественности некоторые особенности предложенной теории мультизонной («зоны в зоне») проводимости в LPE i-GaAs (SiO) монокристаллах и новые яркие возможности создания уникального приборостроения на её основе. В настоящей статье, состоящей из двух частей, мы не только предлагаем более современную и более эффективную в сравнении с современным мировым уровнем модель термоэлектрического генератора энергии (Thermoelectric Energy Generator, TEG) на тепловых волнах человеческого тела, но и делаем попытку теоретического обоснования создания «теплового насоса». СЭ №3/2017 35 0 0
электроника
Радиационные высокотемпературные LPE i-GaAs-датчики для контроля ядерных технологий
В настоящей публикации рассматриваются вопросы, связанные с сенсорикой нейтронов в широком диапазоне энергий от 20 МэВ до kT – единиц эВ на основе LPE i-GaAs-монокристаллов. СЭ №9/2015 35 0 0
электроника
Фотонная и релятивистская энергетика на основе LPE i-GaAs-монокристаллов
В статье описаны новые физические явления идеальной проводимости в ионно-связанных кристаллах GaAs на основе механизмов безрассеянного полевого нано- и субнанодрейфа, а также сделана попытка теоретического обоснования «комнатной» сверхпроводимости на основе туннельно-полевого расщепления валентно-связанной электронной оболочки дипольно-молекулярных соединений AIIIBV c генерацией субмега-релятивистской энергии. В статье демонстрируются неограниченные возможности для повышения интеллектуального потенциала отечественной электроники, что может привести к резкому скачку и к опережению мирового уровня в данной отрасли. СЭ №7/2015 36 0 0
