Фильтр по тематике
электроника
Двухканальная аналоговая ИС с программируемыми параметрами
На базовом матричном кристалле АБМК-1.3 создана аналоговая микросхема МН1ХА062, содержащая канал с головными биполярными транзисторами и канал с головными полевыми транзисторами с p–n-переходом. Различное соединение выводов ИС и подключение внешних RC-элементов позволяет реализовать несколько аналоговых устройств с программируемыми коэффициентом преобразования входного сигнала, полосой пропускания, скоростью нарастания и током потребления. Приводятся схемные решения отдельных каскадов микросхемы и результаты измерений. СЭ №7/2015 766 0 0
электроника
Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 3
Рассмотрены малошумящие усилители и аналоговые каскады общего применения, оптимизированные для криогенных температур. Приведены схемотехнические решения, рекомендации по выбору размеров полевых транзисторов, режимов работы и сопротивлений, определяющих коэффициенты передачи. СЭ №6/2015 703 0 0
электроника
Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2
В статье представлен анализ аналоговой обработки импульсных сигналов ёмкостных датчиков, на основании которого сформулированы требования к элементам цепи отрицательной обратной связи зарядочувствительных усилителей. Рассмотрены малошумящие усилители с охлаждаемым «головным» транзистором и схемотехнические решения каскадов, направленные на увеличение усиления. СЭ №5/2015 772 0 0
электроника
Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 1
В статье приведены основные параметры интегральных схем, которые улучшаются при снижении температуры, и области применения низкотемпературных микросхем. Основное внимание уделено выбору конструктивно-технологического базиса аналоговых криогенных микросхем и минимизации отрицательных эффектов, возникающих при низких температурах. СЭ №4/2015 763 0 0
электроника
Особенности реализации полупроводниковых датчиков температуры
В статье рассмотрены температурные зависимости вольтамперных характеристик элементов биполярных микросхем, проанализированы схемотехника и параметры полупроводниковых датчиков температуры серий LM, MCP, TMP и ADT. Особое внимание уделено повышению точности измерения. СЭ №3/2014 474 0 0
электроника
Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков
В статье проанализированы способы реализации специализированных аналоговых микросхем для интерфейсов датчиков. Рассмотрены расположение и структура ячеек, особенности трассировки межсоединений в базовых структурных кристаллах типа VCA фирмы Triad Semiconductor (США). СЭ №1/2014 209 0 0
электроника
Интерфейсы датчиков для систем на кристалле
Рассмотрены особенности схемотехники и применения микроэлектронных интерфейсов, осуществляющих первичное преобразование и усиление сигналов чувствительных элементов датчиков физических величин. СЭ №8/2013 217 0 0
автоматизация
Автоматизированная система управления установкой для испытания изделий внутренним давлением
В статье описана построенная на базе промышленного компьютера система управления установкой для испытания конструкций в форме оболочек внутренним давлением жидкости величиной до 125 МПа. Представлены основные характеристики и технические возможности установки, дано описание взаимодействия её составных частей друг с другом под управлением данной системы.
СТА №3/2010 2063 0 0
