Фильтр по тематике
электроника
Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием
Рассматривается конструкция кристалла тиристора со статической индукцией с повышенным быстродействием. Повышение быстродействия достигается за счёт отключения от области затвора его пассивных частей, расположенных под площадками катода, затвора и периферийных областей, а также за счёт исключения инжекции из анода дырок под этими областями путём введения стопора n⁺-областей. Дальнейшее уменьшение области затвора и, соответственно, повышение быстродействия обеспечивается за счёт уменьшения шага структуры кристалла в четыре раза. Уменьшение шага структуры кристалла достигается использованием новой технологической схемы формирования структуры кристалла, объединяющей Trench-технологию и технологию самосовмещения истока и затвора. Замена n⁺-областей катода на изотипный гетеропереход позволит проводить глубокую модуляцию высокоомной области анода основными носителями, что, в свою очередь, позволит увеличить рабочее напряжение тиристора до 10 кВт и выше и уменьшить сопротивление прибора в открытом состоянии на несколько порядков. СЭ №5/2023 634 0 0
электроника
Техника России ближайших лет: «вечно летающие» дроны, кубсаты, мини-спутники на основе «параллельной» электроники
Материал статьи скомпилирован на основании школьных проектов, выполненных в рамках программы Ульяновского Образовательного центра «Сириус» Лалей Нуриевой, Никитой Брескану, Максимом Сыровым (физико-математический лицей № 38, г. Ульяновск) и Ренатой Галимовой, выпускницей гимназии № 2 (г. Ульяновск), ныне студентов РГУ нефти и газа (НИУ) им. И.М. Губкина (г. Москва), МГУ им. М.В. Ломоносова (г. Москва), Московского политехнического университета, МГТУ им. Н.Э. Баумана соответственно, где наставником и руководителем проектов был автор этой статьи, будучи главным специалистом АО «Концерн радиостроения «Вега». СЭ №5/2023 562 0 0
электроника
Крупнейшие в мире перспективные электронные отечественные проекты с ёмкостью мирового рынка в триллионы долларов
Статья посвящена раскрытию научно-технического потенциала России в области терагерцовых технологий на рынке услуг свыше триллиона долларов и предназначена вниманию Сбербанка, Газпромбанка, Росатома, Роскосмоса, Ростеха и других корпораций. СЭ №9/2022 589 0 0
электроника
Как избежать в условиях санкций технологического «суицида» в отечественной электронике?
Правительство РФ в ускоренном порядке подготовило концепцию нового национального проекта в области электроники с предполагаемым выделением на его реализацию 3,19 трлн руб. и на «технологический продукт» – 1,14 трлн руб. (~$14,25 млрд) в частности. Работа запланирована по четырём направлениям: продукт, инфраструктура, спрос, кадры.
электроника
Перспективные фотонные и фононные отечественные технологии для терагерцовых микропроцессоров, ОЗУ и интерфейса со сверхнизким энергопотреблением
Статья раскрывает уникальные возможности России в области терагерцовых цифровых технологий – базовой основы будущей терагерцовой цифровой экономики с инструментами в виде искусственного интеллекта, 7G, модуляции окружающей терагерцовой среды обитания человека. СЭ №2/2022 850 0 1
электроника
Терагерцовые квантовые технологии для цифровых денег
В статье рассматриваются вопросы внедрения терагерцовых технологий и искусственного интеллекта в мировую банковскую систему. Перечислены перспективные отечественные наработки, способные решить практически все технологические проблемы в данной области. СЭ №6/2021 332 0 0
электроника
Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху?
В статье рассматривается вопрос конкурентоспособности отечественной микроэлектронной промышленности в посткремниевую эпоху. Приводятся примеры перспективных отечественных разработок в области материалов для терагерцовой электроники. СЭ №5/2021 325 0 0
электроника
Терагерцовая квантовая медицина как возможный альтернативный способ эффективной борьбы с коронавирусом
Статья посвящена терагерцовому и петагерцовому энергетическому потенциалу для экспресс-диагностики, а также абсолютно безопасным, надёжным скоростным методам подавления опасных вирусов в организме человека. СЭ №3/2021 287 0 0
электроника
Программу экспортозамещения можно начинать с GaAs-диодов
В статье показаны уникальные свойства нового полупроводникового LPE GaAs-материала, использование которого предоставляет возможность отечественным производителям электронных компонентов опередить мировой уровень развития электроники. СЭ №3/2020 355 0 0
электроника
Проблемы становления российской цифровой экономики и способы исключения ошибок при их решении
После ряда инициатив Президента РФ Правительством РФ была утверждена «Программа цифровой экономики» (распоряжение № 1632-Р от 28 июля 2017 г.). Программа рассчитана на 6 лет (2019–2024 гг.), её параметры уточнялись на заседании Правительства РФ 17 сентября 2018 г., где ожидалось принятие решения по выделению средств из бюджета на цифровизацию экономики России. СЭ №2/2019 265 0 0
электроника
Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO) Часть 2
В первой части настоящей статьи (см. журнал «Современная электроника» №3, 2017) было показано, что терагерцовая среда для человека – это то же самое, что воздух, вода, пища, солнечный свет, земля или, другими словами, это – важнейшая составляющая биосреды обитания человека. Следует осознать, что терагерцовая среда существует с древнейших времен. Необходимо понимать терагерцовую биоэнергетику хотя бы на уровне теории Пойнтинга или на модах Блоха. С целью познания, влияния, управления терагерцовой энергетикой сегодня нужны доступные, сверхкомпактные, «не криогенные», высокочувствительные метрологические инструменты. Опыт полупроводниковой (зонной) микроболометрии создания приборов ночного видения показывает, что нужны абсолютно новые материалы, новая физика, новый дизайн, новая технология. Наша очередная, пока, естественно, на доступном, тривиальном уровне (с учётом готовности читательской среды), публикация (а именно, вторая часть статьи) и посвящена этому важному для научного сообщества вопросу. СЭ №4/2017 277 0 0
электроника
Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO). Часть 1
В очередной публикации мы продолжаем раскрывать для научной и технологической общественности некоторые особенности предложенной теории мультизонной («зоны в зоне») проводимости в LPE i-GaAs (SiO) монокристаллах и новые яркие возможности создания уникального приборостроения на её основе. В настоящей статье, состоящей из двух частей, мы не только предлагаем более современную и более эффективную в сравнении с современным мировым уровнем модель термоэлектрического генератора энергии (Thermoelectric Energy Generator, TEG) на тепловых волнах человеческого тела, но и делаем попытку теоретического обоснования создания «теплового насоса». СЭ №3/2017 277 0 0
