Фильтр по тематике

Гордеев Александр

Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием электроника

Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием

Рассматривается конструкция кристалла тиристора со статической индукцией с повышенным быстродействием. Повышение быстродействия достигается за счёт отключения от области затвора его пассивных частей, расположенных под площадками катода, затвора и периферийных областей, а также за счёт исключения инжекции из анода дырок под этими областями путём введения стопора n⁺-областей. Дальнейшее уменьшение области затвора и, соответственно, повышение быстродействия обеспечивается за счёт уменьшения шага структуры кристалла в четыре раза. Уменьшение шага структуры кристалла достигается использованием новой технологической схемы формирования структуры кристалла, объединяющей Trench-технологию и технологию самосовмещения истока и затвора. Замена n⁺-областей катода на изотипный гетеропереход позволит проводить глубокую модуляцию высокоомной области анода основными носителями, что, в свою очередь, позволит увеличить рабочее напряжение тиристора до 10 кВт и выше и уменьшить сопротивление прибора в открытом состоянии на несколько порядков. СЭ №5/2023 358 0
Как избежать в условиях санкций технологического «суицида» в отечественной электронике? электроника

Как избежать в условиях санкций технологического «суицида» в отечественной электронике?

Правительство РФ в ускоренном порядке подготовило концепцию нового национального проекта в области электроники с предполагаемым выделением на его реализацию 3,19 трлн руб. и на «технологический продукт» – 1,14 трлн руб. (~$14,25 млрд) в частности. Работа запланирована по четырём направлениям: продукт, инфраструктура, спрос, кадры.
В СМИ отмечается, что программа по реинжинирингу зарубежных решений и по переносу «зарубежного производства» в РФ и на соседнюю территорию, а также созданию нового электронного машиностроения с достижением целей по 100% импортозамещению по всем направлениям электроники должна быть выполнена к 2024 году.
В 2024 году также планируется завершить формирование продуктового портфеля российских технологий. Одной из приоритетных целей является серийный выпуск отечественных микропроцессоров по технологии 28 нанометров, т.е. на технологическом уровне 2010 года таких фирм, как Intel, IBM, Samsung, TSMC.
Напомню, что в современных смартфонах Samsung и Applе, имеющихся на российском рынке, используются чипсеты с технологией 5 нанометров, и что к 2030 году в смартфонах и айфонах будут использоваться 1–3-нанометровые микропроцессоры.
 СЭ №5/2022 113 0
Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO) Часть 2 электроника

Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO) Часть 2

В первой части настоящей статьи (см. журнал «Современная электроника» №3, 2017) было показано, что терагерцовая среда для человека – это то же самое, что воздух, вода, пища, солнечный свет, земля или, другими словами, это – важнейшая составляющая биосреды обитания человека. Следует осознать, что терагерцовая среда существует с древнейших времен. Необходимо понимать терагерцовую биоэнергетику хотя бы на уровне теории Пойнтинга или на модах Блоха. С целью познания, влияния, управления терагерцовой энергетикой сегодня нужны доступные, сверхкомпактные, «не криогенные», высокочувствительные метрологические инструменты. Опыт полупроводниковой (зонной) микроболометрии создания приборов ночного видения показывает, что нужны абсолютно новые материалы, новая физика, новый дизайн, новая технология. Наша очередная, пока, естественно, на доступном, тривиальном уровне (с учётом готовности читательской среды), публикация (а именно, вторая часть статьи) и посвящена этому важному для научного сообщества вопросу. СЭ №4/2017 108 0

  Показать больше