Фильтр по тематике

Преимущества переноса производства микросхем малой степени интеграции на кремниевые пластины большего диаметра

Исторически производство кремниевой микроэлектроники развивалось от пластин меньшего диаметра к большему по мере освоения технологий выращивания монокристаллического кремния. На сегодняшний день производство на пластинах 75–150 мм перешло от кремниевых подложек на гетероструктурные материалы, такие как арсенид галлия, ниобат лития, нитрид галлия, карбид кремния и другие. Работа со 100-миллиметровыми кремниевыми пластинами осталась в основном для учебных и исследовательских целей, в вузах и лабораториях, среди которых Tyndall National Institute, Unisonic Technologies, Universal Semiconductor Technology, Inc. (USTI), университеты Калифорнии, Мичигана, Висконсина. С 2012 г. в мире новые фабрики строятся только под пластины диметром не менее 200 мм.
12.03.2024 2064 0
Преимущества переноса производства микросхем малой степени интеграции на кремниевые пластины большего диаметра
В России данная тенденция также прослеживается, хоть и появилась с небольшой задержкой. В настоящее время со 75–100-мм пластинами работают 4 малосерийных завода с наследованными технологиями и продуктами, и, по аналогии с мировой дорожной картой развития, данные производства можно перенести на масштабные промышленные площадки с улучшением экономических показателей, таких как ресурсоёмкость, стоимость, технологическая стабильность и коэффициент выхода годной продукции. Ниша производств на 100-миллиметровых пластинах – аналоговые и логические микросхемы низкой интеграции.

Сравним основные показатели производства микроэлектроники на 100-миллиметровых и 200-миллиметровых пластинах.

Съём чипов на единицу площади пластины

В силу технологии выращивания кремниевых монокристалльных слитков пластина имеет круглую форму, а чипы – прямоугольную, поэтому краевые зоны пластины не могут полностью использоваться под размещение чипов. Соответственно, действуют две закономерности: чем больше диаметр пластины, тем больше процент эффективной (используемой под рабочие чипы) площади, и чем больше размер самого чипа, тем сильнее выражается этот эффект. В табл. 1 указано, как увеличивается эффективная площадь в зависимости от диаметра пластины. На рис. 1 – влияние размера чипа на зависимость между диаметром пластины и эффективной площадью.


Таким образом, использование 200-мм пластин вместо 100-мм даёт увеличение съёма чипов с пластины на 5–9% и более, что напрямую отражается на себестоимости чипов.

Снижение стоимости единицы площади чипа

На 2023 г. в мире не осталось действующих фабрик, работающих на 100-миллиметровых кремниевых пластинах. 

Согласно данным TechInsight, минимальная себестоимость 1 см2 100-миллиметровой пластины по техпроцессу КМОП из двух металлов составляет $2013; 200-мм пластины по техпроцессу КМОП из двух металлов – $765. Почти трёхкратная разница в затратах на производство обусловлена более высоким уровнем автоматизации и лучшей воспроизводимостью (рис. 2, 3). 



Общие трудозатраты на производство 100-мм пластины составляют 68,1% против 32,9% для 200-мм, что объясняется высокой долей ручного труда при обработке и измерениях. Для микроэлектроники, требующей высокой чистоты сред производства, минимизация участия людей в техпроцессе является критической задачей, непосредственно влияющей на уровень дефектности и долю брака. Второй фактор, по которому 100-миллиметровые пластины уступают 200-миллиметровым в 2 раза – это затраты на инфраструктурные системы: очищенную воду, электричество, кондиционирование, подачу химических реактивов. Более высокая материало- и энергоёмкость производства на 100-мм обусловлена значительно устаревшим и неэнергоэффективным оборудованием, а также малой серийностью производства (табл. 2). 

Таким образом, основными причинами неконкурентоспособности стоимости 100-миллиметровых пластин в сравнении с 200-мм являются низкая автоматизация производства (высокие трудозатраты) и высокая ресурсоёмкость оборудования (высокие затраты на инфраструктурное обеспечение).

Выводы

Перенос производства интегральных микросхем низкой степени интеграции со 100-миллиметровых на 200-милиметровые пластины обеспечит снижение себестоимости чипов и рост их качества и надёжности. При этом производство на 200-мм требует более высокой серийности чипов, и перенос целесообразно сопровождать универсализацией чипов сходного функционала через настраиваемые и программируемые параметры. Исследование проведено в рамках выполнения НИОКТР в НПК «Технологический центр» при финансовой поддержке Министерством науки и высшего образования РФ.

© СТА-ПРЕСС, 2024

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

12.03.2024 2064 0
Комментарии
Рекомендуем
Интеграция ИИ в электронные системы для специальных задач. Новые способы дистанционного контроля с помощью РЭА

Интеграция ИИ в электронные системы для специальных задач. Новые способы дистанционного контроля с помощью РЭА

До широкого применения методов искусственного интеллекта для обработки слабых и зашумлённых сигналов использовались аналоговые и цифровые методы, включая усиление, фильтрацию, демодуляцию и аналого-цифровое преобразование. С развитием методов машинного обучения и генеративных моделей появились дополнительные возможности для восстановления и повышения разборчивости сигналов, содержащих полезную информацию. В статье рассмотрены два подхода к получению информации с использованием электронных средств: регистрация акустических вибраций и анализ отражённых радиосигналов различных частот в жилых помещениях. Также рассмотрены особенности соответствующих методов обработки сигналов и ограничения их применения.
23.09.2026 СЭ №7/2026 108 1
Организация пакетной ретрансляции данных в условиях сложного радиопокрытия: опыт применения Forth на платформе HC12

Организация пакетной ретрансляции данных в условиях сложного радиопокрытия: опыт применения Forth на платформе HC12

Крыши из металлочерепицы и другие металлические конструкции хранилищ зернопродуктов препятствуют прохождению радиоволн и не позволяют сформировать одноточечное подключение радиоканала. Поскольку мощность HC12 [1] ограничена, используется метод ретрансляции данных, которые организованы в структурированные пакеты. Структура пакетов подобна известному протоколу AX25 [2], содержит данные и адресную информацию, что позволяет организовать их перемещение по модулям HC12 и выполнить ретрансляцию данных. В адресации зарезервировано подключение до 6 ретрансляторов-репитеров (РПТ), что при средней дистанции 500–1000 метров между ними позволяет получать устойчивые данные от источников на расстоянии до 3–6 километров. Источник данных – термоштанга (ТШ) удалённого контроля температуры зерна [3], при перемещении по территории складов автоматически подключается к доступному РПТ. Практическое применение всего двух РПТ позволяет обеспечить доступ к измерению для комплекса складов с полностью металлическими крышами на площади около 1000×500 метров и ещё «обойти» корпус элеватора вертикального хранения из железобетона для доступа к данным в лаборатории объекта. Приведена схема, конструкция и программное исполнение РПТ. Дополнительно в конструкции предусмотрены шины интерфейсов RS-485, 1-Wire, I²C и установочные позиции для возможного подключения датчиков температуры, влажности и различных газов.
18.09.2026 СЭ №7/2026 136 0

ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnjc8wWn7
ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnjcRFNsu
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться