Фильтр по тематике

Преимущества переноса производства микросхем малой степени интеграции на кремниевые пластины большего диаметра

Исторически производство кремниевой микроэлектроники развивалось от пластин меньшего диаметра к большему по мере освоения технологий выращивания монокристаллического кремния. На сегодняшний день производство на пластинах 75–150 мм перешло от кремниевых подложек на гетероструктурные материалы, такие как арсенид галлия, ниобат лития, нитрид галлия, карбид кремния и другие. Работа со 100-миллиметровыми кремниевыми пластинами осталась в основном для учебных и исследовательских целей, в вузах и лабораториях, среди которых Tyndall National Institute, Unisonic Technologies, Universal Semiconductor Technology, Inc. (USTI), университеты Калифорнии, Мичигана, Висконсина. С 2012 г. в мире новые фабрики строятся только под пластины диметром не менее 200 мм.

В России данная тенденция также прослеживается, хоть и появилась с небольшой задержкой. В настоящее время со 75–100-мм пластинами работают 4 малосерийных завода с наследованными технологиями и продуктами, и, по аналогии с мировой дорожной картой развития, данные производства можно перенести на масштабные промышленные площадки с улучшением экономических показателей, таких как ресурсоёмкость, стоимость, технологическая стабильность и коэффициент выхода годной продукции. Ниша производств на 100-миллиметровых пластинах – аналоговые и логические микросхемы низкой интеграции.

Сравним основные показатели производства микроэлектроники на 100-миллиметровых и 200-миллиметровых пластинах.

Съём чипов на единицу площади пластины

В силу технологии выращивания кремниевых монокристалльных слитков пластина имеет круглую форму, а чипы – прямоугольную, поэтому краевые зоны пластины не могут полностью использоваться под размещение чипов. Соответственно, действуют две закономерности: чем больше диаметр пластины, тем больше процент эффективной (используемой под рабочие чипы) площади, и чем больше размер самого чипа, тем сильнее выражается этот эффект. В табл. 1 указано, как увеличивается эффективная площадь в зависимости от диаметра пластины. На рис. 1 – влияние размера чипа на зависимость между диаметром пластины и эффективной площадью.


Таким образом, использование 200-мм пластин вместо 100-мм даёт увеличение съёма чипов с пластины на 5–9% и более, что напрямую отражается на себестоимости чипов.

Снижение стоимости единицы площади чипа

На 2023 г. в мире не осталось действующих фабрик, работающих на 100-миллиметровых кремниевых пластинах. 

Согласно данным TechInsight, минимальная себестоимость 1 см2 100-миллиметровой пластины по техпроцессу КМОП из двух металлов составляет $2013; 200-мм пластины по техпроцессу КМОП из двух металлов – $765. Почти трёхкратная разница в затратах на производство обусловлена более высоким уровнем автоматизации и лучшей воспроизводимостью (рис. 2, 3). 



Общие трудозатраты на производство 100-мм пластины составляют 68,1% против 32,9% для 200-мм, что объясняется высокой долей ручного труда при обработке и измерениях. Для микроэлектроники, требующей высокой чистоты сред производства, минимизация участия людей в техпроцессе является критической задачей, непосредственно влияющей на уровень дефектности и долю брака. Второй фактор, по которому 100-миллиметровые пластины уступают 200-миллиметровым в 2 раза – это затраты на инфраструктурные системы: очищенную воду, электричество, кондиционирование, подачу химических реактивов. Более высокая материало- и энергоёмкость производства на 100-мм обусловлена значительно устаревшим и неэнергоэффективным оборудованием, а также малой серийностью производства (табл. 2). 

Таким образом, основными причинами неконкурентоспособности стоимости 100-миллиметровых пластин в сравнении с 200-мм являются низкая автоматизация производства (высокие трудозатраты) и высокая ресурсоёмкость оборудования (высокие затраты на инфраструктурное обеспечение).

Выводы

Перенос производства интегральных микросхем низкой степени интеграции со 100-миллиметровых на 200-милиметровые пластины обеспечит снижение себестоимости чипов и рост их качества и надёжности. При этом производство на 200-мм требует более высокой серийности чипов, и перенос целесообразно сопровождать универсализацией чипов сходного функционала через настраиваемые и программируемые параметры. Исследование проведено в рамках выполнения НИОКТР в НПК «Технологический центр» при финансовой поддержке Министерством науки и высшего образования РФ.

© СТА-ПРЕСС, 2024
Комментарии
Рекомендуем
Выставка ExpoElectronica 2024 и проблемы импортозамещения. Альтернативы китайским поставщикам электроника

Выставка ExpoElectronica 2024 и проблемы импортозамещения. Альтернативы китайским поставщикам

С 16 по 18 апреля 2024 года в МВЦ «Крокус Экспо» в Москве проходила крупнейшая по количеству участников и посетителей в России и ЕАЭС международная выставка электроники ExpoElectronica. Более 760 российских и международных участников имели возможность продемонстрировать свою продукцию и рассказать о своих достижениях. Впервые были представлены секции «Робототехника» и «Цифровые решения». Выставка привлекла компании основных партнёров РФ в области современной электроники, среди которых КНР, Беларусь, ОАЭ, Киргизия. В то же время развивается непростая ситуация с поставками компонентов РЭА из Китая в Россию. Наш корреспондент проанализировал проблему и сделал некоторые выводы, которые могут быть полезны для налаживания поставок от зарубежных партнёров, переориентирования внимания с КНР на страны Индокитая и Африканского континента, а также совершенствования системы платежей по альтернативным цепочкам.
28.05.2024 СЭ №5/2024 1073 0
Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 3. Технология синтеза коллоидных квантовых точек электроника

Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 3. Технология синтеза коллоидных квантовых точек

Данная статья посвящена конкретному вкладу каждого из трёх лауреатов Нобелевской премии по химии в 2023 году. В первой части рассмотрены общие аспекты нанокристаллов как заключительной триады полупроводников с квантово-размерным эффектом и описано открытие квантовых точек в стеклянных матрицах, сделанное Алексеем Екимовым в 1981 году в ГОИ им. Вавилова. Вторая часть посвящена коллоидным квантовым точкам, впервые полученным в виде сухого порошка Луисом Брюсом.  В третьей части статьи подробно рассмотрена технология синтеза коллоидных квантовых точек, разработанная Мунги Бавенди. Эта технология позволила организовать бурно развивающееся в настоящее время массовое производство квантовых точек для различных приложений, начиная с медицины, электронных компонентов и заканчивая катализом в промышленных масштабах.
27.05.2024 СЭ №5/2024 1000 0
Сверхпроводимость при высоких температурах: реальность и фальсификации. Часть 1. От низкотемпературной до высокотемпературной сверхпроводимости электроника

Сверхпроводимость при высоких температурах: реальность и фальсификации. Часть 1. От низкотемпературной до высокотемпературной сверхпроводимости

В начале апреля 2024 года был опубликован 124-страничный отчёт о судебном процессе Университета Рочестера против Ранга Диаса, в котором подробно описаны факты плагиата и научных фальсификаций этого преподавателя физики, ставшего на три года научной суперзвездой жёлтой прессы. В течение нескольких последних лет Диас публиковал статьи об очередном прорывном достижении, неумолимо приближавшем его к открытию сверхпроводимости при комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении. Поскольку сверхпроводимость при нормальных условиях (НУ) способна практически полностью изменить всю существующую науку и технику, то на протяжении уже более сотни лет эта цель является путеводной звездой для многочисленных лабораторий, занимающихся данной проблемой. Однако никому в мире не удалось повторить достижения Диаса. Поскольку основным критерием истинности того или иного открытия в физике является получение одинаковых результатов по одной и той же методике в нескольких независимых лабораториях, то ведущие учёные в разных странах стали сомневаться в результатах экспериментов Диаса. Вывод независимой комиссии о том, что эта история оказалась просто фейком, произвёл эффект разорвавшейся бомбы. Многие учёные и особенно научные чиновники стали сомневаться в том, возможна ли вообще высокотемпературная сверхпроводимость и каковы перспективы развития этого направления. Для того чтобы ответить на этот вопрос, нужно представлять, что такое сверхпроводимость при высоких температурах и каковы неоспоримые достижения в этой области на данный момент. Этому посвящена первая часть статьи. Во второй части будут рассмотрены примеры нескольких нашумевших фальсификаций результатов измерений сверхпроводимости при «комнатных температурах».
27.05.2024 СЭ №5/2024 1037 0
Поле атмосфериков на фоне сейсмической активности при различной геофизической обстановке (экспериментальные данные) электроника

Поле атмосфериков на фоне сейсмической активности при различной геофизической обстановке (экспериментальные данные)

В статье приводятся экспериментальные данные АЧХ поля атмосфериков (п. а.), зарегистрированных на авроральных обсерваториях ПГИ Ловозеро (Мурманская обл.) и Баренцбург (арх. Шпицберген), и характеристики явлений, включая сейсмические данные, которые характеризуют геофизическую активность: солнечные вспышки X-Ray Flux (GOES), магнитограммы магнитного поля Земли, показания нейтронного монитора (космические лучи) и сейсмические данные норвежской сети NORSAR.  В качестве приёмно-регистрирующей аппаратуры поля атмосфериков на обсерваториях использовался приёмник ОНЧ-диапазона (400÷7500 Гц) с рамочной антенной на входе и последовательный анализатор спектра. Используемая аппаратура была разработана в ПГИ на основе программируемых аналоговых (AN221E04) и цифровых (PIC18F452) интегральных микросхем, что дало возможность получать высокую точность обработки аналоговых сигналов (не хуже 1%) и позволило сопоставлять результаты регистрации, выполненные в разных точках наблюдений, с численным моделированием процессов в нижней ионосфере Земли.
24.05.2024 СЭ №5/2024 1004 0

ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjeaxp3k
ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjeaxp3k