Фильтр по тематике
электроника
Преимущества переноса производства микросхем малой степени интеграции на кремниевые пластины большего диаметра
Исторически производство кремниевой микроэлектроники развивалось от пластин меньшего диаметра к большему по мере освоения технологий выращивания монокристаллического кремния. На сегодняшний день производство на пластинах 75–150 мм перешло от кремниевых подложек на гетероструктурные материалы, такие как арсенид галлия, ниобат лития, нитрид галлия, карбид кремния и другие. Работа со 100-миллиметровыми кремниевыми пластинами осталась в основном для учебных и исследовательских целей, в вузах и лабораториях, среди которых Tyndall National Institute, Unisonic Technologies, Universal Semiconductor Technology, Inc. (USTI), университеты Калифорнии, Мичигана, Висконсина. С 2012 г. в мире новые фабрики строятся только под пластины диметром не менее 200 мм. СЭ №3/2024 2035 0 0
электроника
Универсализация микросхем логики через повышение степени интеграции
В статье приводится краткое описание рынка микросхем стандартной логики и его особенностей. Проводится оценка развития подобных микросхем. Подробно рассматривается метод универсализации производства микросхем с помощью МБК и показана его экономическая эффективность. СЭ №2/2023 2014 0 0
