Двухмерные полупроводники демонстрируют превосходные свойства даже при уменьшении толщины материала до нескольких атомов, однако реализация таких сверхминиатюрных транзисторных устройств и разработка процесса производства интегральных схем остаются технически сложными задачами.
Учёные из Института фундаментальных наук в Тэджоне использовали особенность дисульфида молибдена, который позволяет преобразовывать его в одномерный металлический электрод. Это стало значительным прорывом как для полупроводниковой технологии следующего поколения, так и для фундаментального материаловедения, поскольку демонстрирует возможность синтеза новых фаз вещества посредством искусственного контроля кристаллических структур.
Учёные не только показали возможность выращивать одномерные металлы, но и создали с их помощью двумерные полевые транзисторы и экспериментальные чипы. Электрод затвора шириной 0,4 нм способен создавать поле на ширину 3,9 нм, обеспечивая превосходную электронную проводимость и производительность транзисторов для использования в микросхемах.
Одномерный транзистор также повышает эффективность интегральной схемы благодаря своей простой структуре и минимизации паразитных ёмкостей, характерных для транзисторов типа FinFET или Gate-All-Around.
Эта технология может заменить литографию в ближайшие годы. Недавно компания ASML сообщила о рекорде плотности транзисторов, используя первый литографический сканер с высокой числовой апертурой (High-NA), и планирует разработать более совершенное оборудование Hyper-NA.Источник: https://hightech.plus/2024/07/04/v-yuzhnoi-koree-virastili-tranzistori-razmerom-menee-odnogo-nanomet...
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
