Более того, изготовители NAND каждые полтора-два года переходят на новые технологические процессы, чтобы увеличить плотность размещения и сократить размеры ячеек памяти. Это предполагает сжатие по горизонтали и увеличение высоты «сэндвича» по вертикали, что требует от изготовителей, в том числе, тестирования новых материалов. На текущий момент самый продвинутый продукт 3D NAND от компании Kioxia представляет собой память BiCS 3D NAND восьмого поколения с 238 рабочими слоями и скоростью интерфейса 3,2 Гбит/с. Эти чипы были представлены на рынке в марте 2023 года, и они используют новую архитектуру CBA (прямое соединение ячеек памяти с управляющей матрицей), что улучшает производительность и эффективность.
Детали этой архитектуры Kioxia и её партнёр Western Digital пока не раскрывают. Не известно, включает ли слой КМОП ввода-вывода дополнительные периферийные схемы, такие как буферы страниц, считывающие усилители, зарядовые «насосы» (charge pumps).
В производстве отдельных пластин массива 3D-NAND ячеек и слоя ввода-вывода производители могут выбрать наиболее эффективные технологии для каждого компонента и его соединения. Это обещает новые преимущества в использовании новых методов в отрасли, таких как string stacking, которые скорее всего будут использованы при достижении 1000 слоёв в 3D-NAND.
Компания Samsung также планирует достичь показателя в 1000 слоёв при производстве своих 3D-NAND чипов к 2030 году, о чём заявляла в 2022.
Источник: https://t.me/RUSmicro/5214
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
