Россия нацелилась на 90 нм: новый этап в развитии собственной литографии

По предварительным оценкам, создание установки может занять до четырех лет и потребовать инвестиций в сотни миллионов долларов. Конкретный исполнитель будет определен по итогам конкурса.

Опора на существующую технологическую базу

Ключевым претендентом на участие в проекте считается Зеленоградский нанотехнологический центр, ранее уже разработавший литографы с разрешением 350 нм и 130 нм. Центр работает в кооперации с белорусским предприятием Планар, что формирует основу для дальнейшего технологического развития.

Генеральный директор ЗНТЦ Анатолий Ковалев отметил, что компания пока не приняла решение об участии в конкурсе. Основной фокус на текущий момент — завершение разработки степпера на 130 нм, которое запланировано на ноябрь 2026 года.

Эволюция вместо революции

Эксперты подчеркивают, что речь, скорее всего, идет не о создании литографа «с нуля», а о развитии уже существующей платформы. По словам Дмитрий Пшиченко, при наличии наработок в области 130 нм сроки могут быть сокращены до 2–4 лет, а затраты — существенно оптимизированы.

Технологический переход к 90 нм предполагает модернизацию ключевых компонентов: оптики, лазерных источников, систем позиционирования и управления. Это типичный путь для индустрии, где каждое следующее поколение оборудования часто базируется на предыдущем.

Обходные технологические решения

Даже без полноценного перехода на новый литографический класс возможно достижение требуемых норм за счет технологических приемов. Как отмечает эксперт Алексей Бойко, использование методов вроде двойного экспонирования позволяет получать структуры уровня 90 нм на оборудовании класса 130 нм.

Стратегический контекст

Разработка собственного литографического оборудования остается одним из ключевых вызовов для российской микроэлектроники. Переход к 90 нм не является передовым по мировым меркам, однако представляет собой важный шаг к технологической независимости и восстановлению производственной цепочки в условиях ограниченного доступа к зарубежным решениям.