Что происходит на рынке памяти
ИИ превратил DRAM в стратегический ресурс. Высокопропускная память (HBM), используемая в GPU-ускорителях, стала ключевым узким местом для обучения и инференса больших моделей. В результате:
– цены на DRAM выросли на 80–90% за квартал (оценка Counterpoint);
– HBM стоит примерно в 3 раза дороже обычной DRAM;
– память может составлять 50% и более стоимости ускорителя;
– доля HBM в выручке производителей памяти выросла до ~50% (пример Micron).
Фактически индустрия перераспределила кремний из массовых сегментов (ПК, смартфоны, IoT) в пользу дата-центров ИИ.
Почему возник дефицит
DRAM — цикличная отрасль с длинными инвестиционными лагами. Текущий кризис — результат совпадения нескольких факторов:
- Пандемийный суперцикл
Гиперскейлеры закупили огромные объёмы памяти в 2020–2021 гг., опасаясь сбоев поставок. - Обвал 2022–2023
После нормализации спроса цены рухнули, и производители резко сократили выпуск (Samsung — до −50%). Инвестиции в новые фабрики практически остановились. - Взрыв ИИ-спроса 2024–2026
Когда спрос на HBM начал расти экспоненциально, индустрия оказалась без новых мощностей. Фабрики строятся 18–36 месяцев и стоят $15–30 млрд+, что делает реакцию на спрос структурно запаздывающей.

Почему HBM — главный «виновник»
HBM — это 3D-стек DRAM (до 12 кристаллов сегодня), размещённый рядом с GPU в одном корпусе. Он решает «стену памяти» и обеспечивает терабайты/с пропускной способности, что критично для LLM.
Проблема: HBM потребляет намного больше кремния на бит, чем классическая DRAM. Рост моделей ИИ автоматически означает рост потребления DRAM на ускоритель — не линейный, а экспоненциальный.
Бум дата-центров ИИ
– ~2000 новых дата-центров в планах (+20% глобального предложения)
– прогноз McKinsey: $7 трлн инвестиций до 2030 г., из них $5,2 трлн — ИИ-дата-центры
– Nvidia увеличила квартальную выручку дата-центров с ~$1 млрд (2019) до $51 млрд (2025)
Каждый новый GPU-кластер — это гигантский «пылесос» для DRAM.
Когда появится облегчение
Ключевые проекты по расширению производства:
Micron
– HBM-фабрика в Сингапуре: старт ~2027
– Тайваньская линия: 2H 2027
– Нью-Йоркский мегакомплекс: полноценное производство ~2030
Samsung
– Пхёнтхэк (Южная Корея): ~2028
SK Hynix
– Индиана (США): конец 2028
– Чхонджу (Корея): ~2027
Оценка Intel: «облегчения не будет до 2028 года».
Почему цены не упадут даже после запуска фабрик
Экономисты выделяют три причины:
- Спрос на ИИ растёт быстрее мощностей
Даже новые фабрики будут догонять экспоненциальный спрос, а не опережать его. - Технологическая инфляция памяти
HBM4 (до 16 кристаллов, потенциально 20) увеличит потребление DRAM на ускоритель ещё сильнее. Новые технологии стекирования и теплопроводности только ускорят этот тренд. - Ценообразование отрасли
Исторически цены на DRAM падают медленно и «липко». Производители научились ограничивать выпуск, чтобы избегать обвалов.
Что реально стабилизирует рынок
По мнению аналитиков, реальное смягчение придёт не столько от новых фабрик, сколько от:
– улучшения выхода годных (yield) при 3D-упаковке;
– оптимизации стекирования DRAM;
– координации GPU-дизайнеров и производителей памяти;
– диверсификации цепочек поставок.
Стратегический вывод
Дефицит памяти — не временный сбой, а структурный сдвиг индустрии. DRAM из массового коммодити превращается в стратегический ресурс для ИИ-экономики.
Даже при вводе новых фабрик в 2027–2030 гг. рынок, вероятно, останется в состоянии хронического напряжения, а цены — в новом высоком равновесии.
Источник: https://spectrum.ieee.org/dram-shortageЕсли вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

