Решение, ожидаемое к утверждению в середине 2026 года, станет одним из ключевых этапов стратегии Samsung по восстановлению технологического преимущества на фоне конкуренции с TSMC и Intel.
Системы High-NA EUV (с высокой числовой апертурой) позволяют травить структуры в 1,7 раза тоньше, чем современные EUV-машины. Ключевое различие — числовая апертура объектива: 0,55 против 0,33, что означает более точную фокусировку света и возможность наносить транзисторы меньшего размера с более высоким уровнем интеграции.
Первая установка ASML Twinscan EXE:5200B должна прибыть на производство Samsung в конце 2025 года, а вторая — в первой половине 2026-го. На кампусе компании в Хвасоне уже работает исследовательская версия High-NA EUV, но эти машины станут первым коммерческим внедрением технологии.
Samsung намерена использовать новое оборудование для 2-нм литейных линий, где уже производится процессор Exynos 2600, а также разрабатываются ИИ-чипы следующего поколения для Tesla.
High-NA EUV станет фундаментом для выпуска VCT DRAM (Vertical Channel Transistor DRAM) — энергоэффективной памяти нового поколения, массовое производство которой запланировано на 2027 год.
«Раннее внедрение Samsung High-NA EUV может стать катализатором для возвращения лидерства в логике и памяти — особенно в эпоху, когда ИИ радикально меняет архитектуру чипов», — отметил один из отраслевых аналитиков.
Системы High-NA EUV — самые дорогие машины в истории полупроводников: стоимость одной установки оценивается в $380–400 млн. Поэтому решение Samsung рассматривается как смелая технологическая ставка, подчеркивающая амбиции компании в долгосрочной перспективе.
Пока TSMC и Intel ограничиваются лабораторными тестами, Samsung становится первым производителем, готовым интегрировать технологию в массовое производство. Единственная другая компания, публично подтвердившая заказ High-NA EUV, — SK Hynix, которая объявила об этом в сентябре.
ASML, единственный поставщик EUV-систем в мире, считает High-NA ключевым инструментом для преодоления 2-нм барьера и подготовки к поколению 1,4-нм. Внедрение технологии обещает не только увеличить производительность, но и снизить энергопотребление чипов — критический параметр для систем, работающих с искусственным интеллектом.
Если план Samsung реализуется по графику, компания может первой вывести 2-нм производство с High-NA EUV в коммерческую фазу — и тем самым задать новую планку для всей индустрии.
Источник: https://www.newelectronics.co.uk/content/news/samsung-set-to-deploy-high-na-euv-machines-at-its-2-nm...Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
