Фильтр по тематике
электроника
Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием
Рассматривается конструкция кристалла тиристора со статической индукцией с повышенным быстродействием. Повышение быстродействия достигается за счёт отключения от области затвора его пассивных частей, расположенных под площадками катода, затвора и периферийных областей, а также за счёт исключения инжекции из анода дырок под этими областями путём введения стопора n⁺-областей. Дальнейшее уменьшение области затвора и, соответственно, повышение быстродействия обеспечивается за счёт уменьшения шага структуры кристалла в четыре раза. Уменьшение шага структуры кристалла достигается использованием новой технологической схемы формирования структуры кристалла, объединяющей Trench-технологию и технологию самосовмещения истока и затвора. Замена n⁺-областей катода на изотипный гетеропереход позволит проводить глубокую модуляцию высокоомной области анода основными носителями, что, в свою очередь, позволит увеличить рабочее напряжение тиристора до 10 кВт и выше и уменьшить сопротивление прибора в открытом состоянии на несколько порядков. СЭ №5/2023 241 0 0
электроника
Мощный высоковольтный транзистор со статической индукцией КП926А, Б
В этой статье представлены характеристики транзистор со статической индукцией КП926, разработанного ещё во времена СССР, но до сих пор вполне конкурентоспособного по технологическим характеристикам и себестоимости, а в некоторых применениях даже превосходящего современные силовые полупроводниковые приборы. СЭ №4/2023 511 0 0
электроника
Приборы со статической индукцией
Рассмотрена история появления и развития нового класса приборов на Si – приборов со статической индукцией, которые способны работать как в полевом, так и в биполярном режиме. Предложены новые конструктивно-технологические пути построения СИТ и БСИТ с уникальными ключевыми параметрами, создание которых особенно необходимо для таких отраслей, как самолётостроение и электротранспорт. Технологические пути построения предлагаемых приборов базируются на хорошо освоенных в серийном производстве приёмах, что позволяет создавать их с низкой себестоимостью. Проведён сравнительный анализ по основным ключевым параметрам предлагаемых приборов с лучшими высоковольтными приборами на SiC и GaN. Показано, что предлагаемые приборы по основным ключевым параметрам существенно их превосходят. Замена в СИТ обычного n⁺-истока на изотипный гетеропереход, возможно, позволит перейти на новый физический принцип движения тока в полупроводнике – с зонного на фононный. СЭ №3/2023 315 0 0
