Моделирование новой бета-вольтаики на монокристаллах LPE i-GaAs
В статье показана исключительно перспективная возможность создания бета-источников питания на основе изотопов 147Pm и монокристаллов LPE i-GaAs, с эффективной мощностью преобразования не менее чем в 45 раз выше в сравнении с бета-источниками на основе изотопа 63Ni и кремния. СЭ №6/2015 321 0 0Новая экстремальная электроника на основе LPE i-GaAs монокристаллов
В статье изложена концептуальная основа создания новой отечественной и мировой электронной индустрии, основанной на LPE i-GaAs монокристаллах, обладающих свойствами изолятора, полупроводника и проводника. СЭ №6/2014 54 0 0