Фильтр по тематике

Алексеев Виктор

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 1. Что такое искусственный интеллект,  и что он может электроника

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 1. Что такое искусственный интеллект, и что он может

Проявления искусственного интеллекта (ИИ) мы замечаем всё чаще как в повседневной жизни, так и в самых различных областях науки, техники, медицины, транспорта и т.д. Общая цель нескольких частей этой статьи заключается в том, чтобы попытаться объяснить, с одной стороны, какую роль играет современная электроника в ИИ, а с другой – как развитие современной электроники влияет на прогресс ИИ.
В первой части статьи простыми словами рассказано, что такое ИИ, и как он работает. На основе анализа статей ведущих экспертов в области искусственного интеллекта автор постарался выделить несколько наиболее крупных фирм, продукция которых представляется наиболее перспективной. В первой части приведён краткий обзор больших языковых моделей (LLM) этих фирм. В следующей части статьи планируется рассмотреть специализированные модели искусственного интеллекта.
СЭ №4/2025 915 0
Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров Часть 4. Полупроводниковые лазеры на базе массивов квантовых точек электроника

Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров Часть 4. Полупроводниковые лазеры на базе массивов квантовых точек

В марте 2025 года исполняется 95 лет со дня рождения выдающегося российского учёного Жореса Ивановича Алфёрова. Разработанные им полупроводниковые инжекционные лазеры на основе гетероструктур с квантоворазмерными эффектами занимают сегодня первое место среди всех типов лазеров по количеству используемых в различных отраслях науки, техники и промышленности.
Жорес Алфёров – автор более 500 научных работ, рассмотреть и обобщить которые не представляется возможным на страницах этого журнала. Мы постарались в цикле статей, посвящённых этому легендарному физику, отметить те научные достижения, за которые он в 2000 году был удостоен высшей награды в области естественных наук – Нобелевской премии. Основные факты биографии и предпосылки научной деятельности Алфёрова приведены в СОЭЛ № 8, 2024. Разработкам полупроводниковых инжекционных ДГС-лазеров, а также лазеров на основе квантовых плоскостей и квантовых проволок посвящены статьи в номерах журнала № 9, 2024 и № 1, 2025.

В этой, заключительной части рассматриваются разработки лазеров на основе массивов квантовых точек, выполненные Жоресом Алфёровым за период 1970–2000 гг. Этот краткий обзор заканчивается статьёй 2000 года, последней, которая была принята во внимание Нобелевским комитетом при рассмотрении кандидатов на премию по физике 2000 года. Жорес Иванович Алфёров ушёл из жизни в 2019 году. За это время он успел сделать ещё очень много интересных научных работ, рассмотрение которых выходит за рамки данной публикации.
СЭ №2/2025 404 0
Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров. Часть 1 электроника

Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров. Часть 1

Эта статья продолжает начатую во втором номере 2024 года журнала «Современная электроника» тему об открытиях великих российских учёных, внёсших существенный вклад в развитие мировой электроники. Весной следующего года исполнится 95 лет со дня рождения выдающегося советского, российского и белорусского учёного, лауреата Ленинской, Государственной и Нобелевской премий – Жореса Ивановича Алфёрова.
К сожалению, немногие знают, за что именно Алфёров получил эти, а также многие другие зарубежные премии и награды, и каково значение его работ для мировой и российской науки. Достаточно сказать, что разработанные им гетеролазеры занимают сегодня первое место среди всех типов лазеров по количеству используемых в различных отраслях науки, техники и промышленности.
1157 0
Сверхпроводимость при высоких температурах реальность и фальсификации. Часть 2 электроника

Сверхпроводимость при высоких температурах реальность и фальсификации. Часть 2

Одним из последних ярких примеров несостоявшегося открытия сверхпроводимости при нормальных условиях стала история с веществом LK-99, названным так по первым буквам фамилий руководителей проекта Сукбэ Ли и Джи-Хун Кима. Группа южнокорейских учёных летом 2023 года разместила на сайте arXiv подробные результаты своих исследований, подтверждающих сверхпроводимость при температуре 127°С и атмосферном давлении синтезированного ими вещества LK-99. Детальное описание экспериментов не вызывало сомнений у мировой научной общественности. Однако попытки объяснить эти результаты поставили в тупик многих экспертов в области сверхпроводимости.

Эта информация привела к взрыву в сетях комментариев и вопросов к авторам. Десятки лабораторий во всём мире попытались повторить эксперимент группы Ли Сукбэ. Однако никому не удалось получить точно такие же результаты, какие были опубликованы в южнокорейских препринтах.

Только совместные усилия лучших специалистов в области сверхпроводимости позволили установить, что LK-99 не является сверхпроводником. При этом резкий скачок удельного сопротивления объясняется фазовым переходом кристаллической структуры сульфида серы, содержащегося в виде примеси в образцах LK-99.
СЭ №6/2024 1284 0
Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 3. Технология синтеза коллоидных квантовых точек электроника

Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 3. Технология синтеза коллоидных квантовых точек

Данная статья посвящена конкретному вкладу каждого из трёх лауреатов Нобелевской премии по химии в 2023 году. В первой части рассмотрены общие аспекты нанокристаллов как заключительной триады полупроводников с квантово-размерным эффектом и описано открытие квантовых точек в стеклянных матрицах, сделанное Алексеем Екимовым в 1981 году в ГОИ им. Вавилова. Вторая часть посвящена коллоидным квантовым точкам, впервые полученным в виде сухого порошка Луисом Брюсом. 
В третьей части статьи подробно рассмотрена технология синтеза коллоидных квантовых точек, разработанная Мунги Бавенди.
Эта технология позволила организовать бурно развивающееся в настоящее время массовое производство квантовых точек для различных приложений, начиная с медицины, электронных компонентов и заканчивая катализом в промышленных масштабах.
СЭ №5/2024 2118 0
Сверхпроводимость при высоких температурах: реальность и фальсификации. Часть 1. От низкотемпературной до высокотемпературной сверхпроводимости электроника

Сверхпроводимость при высоких температурах: реальность и фальсификации. Часть 1. От низкотемпературной до высокотемпературной сверхпроводимости

В начале апреля 2024 года был опубликован 124-страничный отчёт о судебном процессе Университета Рочестера против Ранга Диаса, в котором подробно описаны факты плагиата и научных фальсификаций этого преподавателя физики, ставшего на три года научной суперзвездой жёлтой прессы. В течение нескольких последних лет Диас публиковал статьи об очередном прорывном достижении, неумолимо приближавшем его к открытию сверхпроводимости при комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении. Поскольку сверхпроводимость при нормальных условиях (НУ) способна практически полностью изменить всю существующую науку и технику, то на протяжении уже более сотни лет эта цель является путеводной звездой для многочисленных лабораторий, занимающихся данной проблемой. Однако никому в мире не удалось повторить достижения Диаса. Поскольку основным критерием истинности того или иного открытия в физике является получение одинаковых результатов по одной и той же методике в нескольких независимых лабораториях, то ведущие учёные в разных странах стали сомневаться в результатах экспериментов Диаса. Вывод независимой комиссии о том, что эта история оказалась просто фейком, произвёл эффект разорвавшейся бомбы. Многие учёные и особенно научные чиновники стали сомневаться в том, возможна ли вообще высокотемпературная сверхпроводимость и каковы перспективы развития этого направления.

Для того чтобы ответить на этот вопрос, нужно представлять, что такое сверхпроводимость при высоких температурах и каковы неоспоримые достижения в этой области на данный момент. Этому посвящена первая часть статьи.

Во второй части будут рассмотрены примеры нескольких нашумевших фальсификаций результатов измерений сверхпроводимости при «комнатных температурах».
СЭ №5/2024 2618 0
Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 1. Полупроводниковые наноматериалы  с эффектом запрета перемещения зарядов  по определённым направлениям электроника

Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства. Часть 1. Полупроводниковые наноматериалы с эффектом запрета перемещения зарядов по определённым направлениям

Нобелевская премия по химии в 2023 году была присуждена трём учёным за открытие и разработку технологий производства квантовых точек (Quantum Dots). Об этих удивительных полупроводниковых микрокристаллах уже была публикация в журнале «Современная электроника» № 3 за 2023 год. Данная статья посвящена конкретному вкладу каждого из трёх лауреатов в фундаментальное достижение в области квантовой химии и физики. В первой части статьи рассмотрены «Quantum Dots» с точки зрения завершающего элемента группы новых квантовых наноматериалов с ограничением переноса заряда по направлениям: квантовые плёнки – квантовые проволоки – квантовые точки. В этой части коротко изложена суть основных работ Алексея Екимова, которые явились основанием для присуждения ему Нобелевской премии. Во второй части будет рассмотрен вклад Луиса Брюса и Мунги Бавенди в разработку технологий массового производства квантовых точек, позволивших производить такие современные устройства, как, например, «телевизор на квантовых точках», визуальный монитор биологических процессов реального времени в клетках и многие другие.
СЭ №2/2024 2096 0
Одномолекулярные аналоги электронных компонентов. Часть 2. Одномолекулярные аналоги классических электронных компонентов электроника

Одномолекулярные аналоги электронных компонентов. Часть 2. Одномолекулярные аналоги классических электронных компонентов

Экспериментальные и теоретические исследования, проведённые в ведущих научных центрах мира за последние десятилетия, показали, что механизм переноса зарядов через отдельные органические молекулы существенно отличается от транспорта электронов в традиционных кристаллических полупроводниках. Результаты этих работ показали, что модель прохождения заряда через единичную молекулу определяется многими параметрами, такими, например, как структура рабочей молекулы, конструкция одномолекулярного устройства, величины приложенного напряжения и напряжения смещения, температура, давление, влажность, внешнее электромагнитное поле. Полученные экспериментальные зависимости напоминали характеристики традиционных полупроводниковых компонентов. Поэтому авторы экспериментов называли свои конструкции по аналогии с классической электротехникой: то одноэлектронный транзистор, то одноэлектронный выпрямитель, то одноэлектронный диод и т.д. В настоящее время нет ни устоявшихся названий, ни каких-либо стандартов для этих устройств. Поэтому у специалистов могут возникнуть вопросы по поводу терминов, употребляемых в этой статье. Эти претензии вполне справедливы, и автор с ними согласен. Именно поэтому в статье вместо слов «single molecule transistor» и «single molecule rectifier» употребляется более общий термин «single molecule device» – SMD.
СЭ №8/2023 1076 0
Одномолекулярные аналоги электронных компонентов. Часть 1. Перенос заряда через одну молекулу электроника

Одномолекулярные аналоги электронных компонентов. Часть 1. Перенос заряда через одну молекулу

В предыдущих номерах журнала была напечатана первая часть ознакомительного цикла публикаций «Квантовые электронные компоненты», посвящённая квантовым транзисторам. Данная статья знакомит читателей с другим широким классом наноэлектроники – одномолекулярными устройствами (single molecules device – SMD), которые основаны на свойствах органических молекул с двумя внешними электродами проводить туннельный ток. Разнообразие, универсальность, возможность контроля и манипулирования делают проводящие органические молекулы потенциально важными компонентами наноэлектронных устройств. Сегодня разработка молекулярных полупроводниковых устройств является одним из наиболее перспективных направлений в микроэлектронике. В то же время существует ряд серьёзных проблем, возникающих на пути к реальным технологическим приложениям. Прежде всего, эти трудности связаны с необходимостью конструировать, контролировать и манипулировать небольшими молекулярными структурами с высокой степенью надёжности и воспроизводимости.
СЭ №7/2023 1011 0

  Показать больше

ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjcvk2Ny
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjdbHhhw
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться