Фильтр по тематике

Алексеев Виктор

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 2. Воплощение идей Тамма в современной электронике электроника

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 2. Воплощение идей Тамма в современной электронике

В первой части статьи (Современная электроника. 2025. № 7) были рассмотрены основные работы Игоря Евгеньевича Тамма, ставшие со временем классикой теоретической физики. Сегодня, спустя сто лет, теоретические разработки Игоря Тамма воплощаются в реальные современные электронные устройства. В этой части коротко описаны некоторые современные быстродействующие электрооптические модуляторы (EOM, TFLN, HW MZM, IQ MZM, SOH MZM), в основе которых лежит эффект изменения коэффициента преломления в некоторых оптических средах при наложении внешнего электрического поля. Этот эффект, обнаруженный Фридрихом Поккельсом в 1893 году, позднее получил его имя (Pockels Effect – PE). Тамм и Мандельштам в 1924 году дали строгое теоретическое обоснование этих явлений, которое остаётся актуальным и в настоящее время. СЭ №8/2025 387 0
К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма Часть 1. Пионер квантовой физики: И.Е. Тамм и его вклад в развитие электроники электроника

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма Часть 1. Пионер квантовой физики: И.Е. Тамм и его вклад в развитие электроники

В статье рассмотрены основные этапы биографии и научное наследие выдающегося советского физика-теоретика, лауреата Нобелевской премии Игоря Евгеньевича Тамма. Особое внимание уделено его ключевым научным достижениям, оказавшим фундаментальное влияние на развитие современной электроники.
Рассмотренные в этой статье работы Игоря Евгеньевича Тамма демонстрируют исключительную научную ценность, ставя его в один ряд с такими выдающимися физиками, как Альберт Эйнштейн, Нильс Бор, Пол Дирак. Показано, как теоретические концепции, предложенные Таммом почти столетие назад, стали основой многих современных электронных технологий. Работа базируется на анализе оригинальных трудов учёного и демонстрирует актуальность его научных идей для развития квантовой электроники, фотоники и нанотехнологий. СЭ №7/2025 741 0
Современная электроника и искусственный интеллект Часть 3. Новые процессорные модули ведущих производителей для систем искусственного интеллекта электроника

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 3. Новые процессорные модули ведущих производителей для систем искусственного интеллекта

Основное направление разработок новых аппаратных средств, предназначенных для искусственного интеллекта, связано с поисками возможного компромисса между увеличением вычислительных мощностей и энергопотреблением. Эксперты отмечают, что в настоящее время наблюдается отход от доминировавшей несколько последних лет тенденции наращивания вычислительных мощностей в центрах обработки данных. В противовес этому конструкторы стараются найти решения, позволяющие конструировать новые ИИ-модели более продвинутыми, но с меньшими затратами. В статье описаны новые электронные компоненты для моделей ИИ трёх лидирующих на этом рынке компаний: NVIDIA, AMD и Cerebras. СЭ №6/2025 1140 0
Современная электроника и искусственный интеллект Часть 1. Что такое искусственный интеллект, и что он может электроника

Современная электроника и искусственный интеллект Часть 1. Что такое искусственный интеллект, и что он может

Проявления искусственного интеллекта (ИИ) мы замечаем всё чаще как в повседневной жизни, так и в самых различных областях науки, техники, медицины, транспорта и т.д. Общая цель нескольких частей этой статьи заключается в том, чтобы попытаться объяснить, с одной стороны, какую роль играет современная электроника в ИИ, а с другой – как развитие современной электроники влияет на прогресс ИИ.
В первой части статьи простыми словами рассказано, что такое ИИ, и как он работает. На основе анализа статей ведущих экспертов в области искусственного интеллекта автор постарался выделить несколько наиболее крупных фирм, продукция которых представляется наиболее перспективной. В первой части приведён краткий обзор больших языковых моделей (LLM) этих фирм. В следующей части статьи планируется рассмотреть специализированные модели искусственного интеллекта. СЭ №4/2025 2590 0
Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров Часть 4. Полупроводниковые лазеры на базе массивов квантовых точек электроника

Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров Часть 4. Полупроводниковые лазеры на базе массивов квантовых точек

В марте 2025 года исполняется 95 лет со дня рождения выдающегося российского учёного Жореса Ивановича Алфёрова. Разработанные им полупроводниковые инжекционные лазеры на основе гетероструктур с квантоворазмерными эффектами занимают сегодня первое место среди всех типов лазеров по количеству используемых в различных отраслях науки, техники и промышленности.
Жорес Алфёров – автор более 500 научных работ, рассмотреть и обобщить которые не представляется возможным на страницах этого журнала. Мы постарались в цикле статей, посвящённых этому легендарному физику, отметить те научные достижения, за которые он в 2000 году был удостоен высшей награды в области естественных наук – Нобелевской премии. Основные факты биографии и предпосылки научной деятельности Алфёрова приведены в СОЭЛ № 8, 2024. Разработкам полупроводниковых инжекционных ДГС-лазеров, а также лазеров на основе квантовых плоскостей и квантовых проволок посвящены статьи в номерах журнала № 9, 2024 и № 1, 2025.

В этой, заключительной части рассматриваются разработки лазеров на основе массивов квантовых точек, выполненные Жоресом Алфёровым за период 1970–2000 гг. Этот краткий обзор заканчивается статьёй 2000 года, последней, которая была принята во внимание Нобелевским комитетом при рассмотрении кандидатов на премию по физике 2000 года. Жорес Иванович Алфёров ушёл из жизни в 2019 году. За это время он успел сделать ещё очень много интересных научных работ, рассмотрение которых выходит за рамки данной публикации. СЭ №2/2025 1127 0
Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров. Часть 1 электроника

Жорес Алфёров – учёный, благодаря которому работает большинство современных полупроводниковых лазеров. Часть 1

Эта статья продолжает начатую во втором номере 2024 года журнала «Современная электроника» тему об открытиях великих российских учёных, внёсших существенный вклад в развитие мировой электроники. Весной следующего года исполнится 95 лет со дня рождения выдающегося советского, российского и белорусского учёного, лауреата Ленинской, Государственной и Нобелевской премий – Жореса Ивановича Алфёрова.
К сожалению, немногие знают, за что именно Алфёров получил эти, а также многие другие зарубежные премии и награды, и каково значение его работ для мировой и российской науки. Достаточно сказать, что разработанные им гетеролазеры занимают сегодня первое место среди всех типов лазеров по количеству используемых в различных отраслях науки, техники и промышленности.
 4033 0
Сверхпроводимость при высоких температурах реальность и фальсификации. Часть 2 электроника

Сверхпроводимость при высоких температурах реальность и фальсификации. Часть 2

Одним из последних ярких примеров несостоявшегося открытия сверхпроводимости при нормальных условиях стала история с веществом LK-99, названным так по первым буквам фамилий руководителей проекта Сукбэ Ли и Джи-Хун Кима. Группа южнокорейских учёных летом 2023 года разместила на сайте arXiv подробные результаты своих исследований, подтверждающих сверхпроводимость при температуре 127°С и атмосферном давлении синтезированного ими вещества LK-99. Детальное описание экспериментов не вызывало сомнений у мировой научной общественности. Однако попытки объяснить эти результаты поставили в тупик многих экспертов в области сверхпроводимости.

Эта информация привела к взрыву в сетях комментариев и вопросов к авторам. Десятки лабораторий во всём мире попытались повторить эксперимент группы Ли Сукбэ. Однако никому не удалось получить точно такие же результаты, какие были опубликованы в южнокорейских препринтах.

Только совместные усилия лучших специалистов в области сверхпроводимости позволили установить, что LK-99 не является сверхпроводником. При этом резкий скачок удельного сопротивления объясняется фазовым переходом кристаллической структуры сульфида серы, содержащегося в виде примеси в образцах LK-99.
 СЭ №6/2024 1836 0

  Показать больше

ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjd8zAXZ
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjeDFeN3
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться