Фильтр по тематике

Одноканальные модули управления IGBT

Развитие современной силовой электроники неразрывно связано с ростом её технических и эксплуатационных показателей, а также с уменьшением её массо-габаритных характеристик. Данная статья посвящена новым модулям управления для силовых устройств на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT), разработанным ЗАО «Протон-Импульс», которые могут применяться практически во всех типах преобразовательного оборудования.

01.03.2017 701 0
Одноканальные модули управления IGBT

Модули управления IGBT широко используются в современной силовой электронике. Эти устройства находят большое применение в различных многоуровневых преобразователях, инверторах питания электродвигателей средней мощности, в управляемых и неуправляемых выпрямителях, сварочных аппаратах, ветряных электростанциях и т.п. Помимо этого, актуальным решением является использование таких модулей в агрегатах городского и железнодорожного транспорта. В качестве примера можно привести применение данных модулей в промышленных тяговых преобразователях, что позволяет повышать частоту переключения, минимизировать загрузку сети и потери в обмотках трансформаторов и дросселей, а также упростить схему управления.

Параметры данных преобразователей, такие как скорость переключения, статические и динамические потери, уровень электромагнитных помех, во многом определяются характеристиками схемы управления, которые должны соответствовать техническим требованиям потребителей данных модулей. В связи с чем предприятие ЗАО «Протон­Импульс» (г. Орёл) постоянно совершенствует и расширяет свою линейку одноканальных модулей управления. Далее рассматриваются два новых одноканальных модуля управления IGBT c выходным импульсным током затвора 18 и 36 А.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ180 (см. рис. 1) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В. Драйвер является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 6 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC­преобразова­тель, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Конструктивно и функционально модуль аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD418F2.

Основные особенности модуля 1МУБ180:

  • защита IGBT от короткого замыкания;
  • технология улучшенного активного ограничения (Advanced Active Clamping, AAC);
  • высокая надёжность и большой срок службы;
  • отсутствие электролитических конденсаторов;
  • ток затвора до ±18 А;
  • электрическая изоляция 6000 В AC;
  • волоконно­оптическая линия управления;
  • контроль напряжения питания и волоконной оптики;
  • встроенный DC/DC­преобразователь питания;
  • частота переключения до 6 кГц.

На рисунке 2 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления 1МУБ180.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ180 представлены в таблице 1.

Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ800R33KF2 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ360 (см. рис. 3) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В.

Драйвер также является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 3,4 кГц. В устройство встроен гальванически развязанный DC/DC­преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Модуль конструктивно и функционально аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD536F2.

Основными отличиями от 1МУБ180 в данном модуле являются:

  • ток затвора до ±36 А;
  • электрическая изоляция 4000 В AC;
  • частота переключения до 3,4 кГц.

На рисунке 4 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления IGBT 1МУБ360.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ360 представлены в таблице 1. Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ1500R33HE3 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Реальные характеристики драйверов 1МУБ180 и 1МУБ360 могут отличаться от приведённых, в зависимости от применяемого IGBT­модуля.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

01.03.2017 701 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма.  Часть 5. Как были открыты плазмоны

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 5. Как были открыты плазмоны

Продолжаем серию статей о научном наследии Игоря Тамма. В предыдущих статьях мы рассмотрели, как его идеи, изложенные в статьях 1930–1950-х годов, повлияли на развитие нового научного направления «плазмоники», изучающего взаимодействие света с электронами в металлах и эффекты локализации света в объёмах меньше его длины волны. В частности, мы разобрали некоторые темы: современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны, фотонные кристаллы («Современная электроника» № 7–9, 2025), а также экситон-поляритоны и фонон-поляритоны («Современная электроника» № 4, 2026). В этой статье мы расскажем о том, как научное предвидение Игоря Тамма позволило правильно прогнозировать именно те направления исследований, где были открыты объёмные и поверхностные плазмоны.
27.07.2026 СЭ №6/2026 181 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Данная статья является продолжением работы «Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности» (Современная электроника. 2025. № 7. С. 39–43), в которой приведены экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля (И.К. Э-М. П.) ОНЧ-диапазона (600…3600 Гц), синхронно зарегистрированные на двух разнесённых по широте авроральных обсерваториях ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген) и Ловозеро (67,97º, 35,08º; Мурманская обл., РФ). Для сопоставления сейсмической активности с АЧХ и АВХ И.К. ОНЧ-сигнала использованы архивные данные норвежской сети NORSAR, а также приведены некоторые характеристики гелиогеофизических факторов, влияющих на состояние нижней ионосферы: вариации магнитного поля Земли (Hx, Hy, Hz) и временны́е периоды освещённости Солнцем нижних слоёв ионосферы (h < 90 км) в пунктах регистрации ОНЧ-сигнала. Приёмно-регистрирующая аппаратура, используемая на обсерваториях, выполнена по идентичной схеме и состоит из приёмника ОНЧ-диапазона со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн [1] и последовательного анализатора спектра импульсных сигналов [2].
24.07.2026 СЭ №6/2026 271 0

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться