Фильтр по тематике

Одноканальные модули управления IGBT

Развитие современной силовой электроники неразрывно связано с ростом её технических и эксплуатационных показателей, а также с уменьшением её массо-габаритных характеристик. Данная статья посвящена новым модулям управления для силовых устройств на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT), разработанным ЗАО «Протон-Импульс», которые могут применяться практически во всех типах преобразовательного оборудования.

01.03.2017 611 0
Одноканальные модули управления IGBT

Модули управления IGBT широко используются в современной силовой электронике. Эти устройства находят большое применение в различных многоуровневых преобразователях, инверторах питания электродвигателей средней мощности, в управляемых и неуправляемых выпрямителях, сварочных аппаратах, ветряных электростанциях и т.п. Помимо этого, актуальным решением является использование таких модулей в агрегатах городского и железнодорожного транспорта. В качестве примера можно привести применение данных модулей в промышленных тяговых преобразователях, что позволяет повышать частоту переключения, минимизировать загрузку сети и потери в обмотках трансформаторов и дросселей, а также упростить схему управления.

Параметры данных преобразователей, такие как скорость переключения, статические и динамические потери, уровень электромагнитных помех, во многом определяются характеристиками схемы управления, которые должны соответствовать техническим требованиям потребителей данных модулей. В связи с чем предприятие ЗАО «Протон­Импульс» (г. Орёл) постоянно совершенствует и расширяет свою линейку одноканальных модулей управления. Далее рассматриваются два новых одноканальных модуля управления IGBT c выходным импульсным током затвора 18 и 36 А.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ180 (см. рис. 1) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В. Драйвер является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 6 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC­преобразова­тель, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Конструктивно и функционально модуль аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD418F2.

Основные особенности модуля 1МУБ180:

  • защита IGBT от короткого замыкания;
  • технология улучшенного активного ограничения (Advanced Active Clamping, AAC);
  • высокая надёжность и большой срок службы;
  • отсутствие электролитических конденсаторов;
  • ток затвора до ±18 А;
  • электрическая изоляция 6000 В AC;
  • волоконно­оптическая линия управления;
  • контроль напряжения питания и волоконной оптики;
  • встроенный DC/DC­преобразователь питания;
  • частота переключения до 6 кГц.

На рисунке 2 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления 1МУБ180.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ180 представлены в таблице 1.

Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ800R33KF2 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ360 (см. рис. 3) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В.

Драйвер также является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 3,4 кГц. В устройство встроен гальванически развязанный DC/DC­преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Модуль конструктивно и функционально аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD536F2.

Основными отличиями от 1МУБ180 в данном модуле являются:

  • ток затвора до ±36 А;
  • электрическая изоляция 4000 В AC;
  • частота переключения до 3,4 кГц.

На рисунке 4 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления IGBT 1МУБ360.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ360 представлены в таблице 1. Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ1500R33HE3 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Реальные характеристики драйверов 1МУБ180 и 1МУБ360 могут отличаться от приведённых, в зависимости от применяемого IGBT­модуля.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

01.03.2017 611 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 4. История возникновения  концепции поляритонов

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 4. История возникновения концепции поляритонов

В прошлом году в журнале «Современная электроника» были опубликованы три статьи, посвящённые юбилею выдающегося российского физика-теоретика Игоря Евгеньевича Тамма (СОЭЛ № 7–9, 2025). В частности, были описаны современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны и фотонные кристаллы. В этих статьях умышленно не затрагивались темы поляритонов, оптических состояний Тамма (ОСТ) и плазмон-поляритонов Тамма (ППТ). Поскольку ключевой вклад в раннюю разработку этих явлений в основном принадлежит российским учёным, целесообразно посвятить их открытию более подробные отдельные статьи. Ниже рассмотрены два основных типа гибридных фотонных частиц: экситон-поляритоны и фонон-поляритоны.  
24.04.2026 СЭ №4/2026 99 0
Телевизор с электронно-лучевой трубкой: разработки С.И. Катаева и их значение

Телевизор с электронно-лучевой трубкой: разработки С.И. Катаева и их значение

«…Наступит время… когда миллионы таких приборов, таких "электрических глаз" будут всесторонне обслуживать общественную и частную жизнь, науку, технику и промышленность…» Б. Розинг Семён Исидорович Катаев (1904–1991 гг.), советский учёный и изобретатель в области телевидения, доктор технических наук, профессор, заслуженный деятель науки и техники – незаслуженно обделён вниманием популяризаторами истории электроники и телевидения в нашей стране. Тем не менее И.С. Катаев внёс значительный вклад в развитие инженерной мысли в СССР при разработке и усовершенствовании электронно-лучевых трубок (ЭЛТ), ставших на многие годы ключевой технологией, лежащей в основе экранов телевизоров и оборудования различного назначения. Катаев дополнил изобретение Зворыкина и по праву может считаться ещё одним «отцом» отечественного телевидения. В найденных документах роль Катаева прослеживается чётко, и в статье мы хотим это показать.
23.04.2026 СЭ №4/2026 108 0
Электронные системы диагностики, стимуляции и воздействия на человека на примере BAMH и управления –  на примере AE-Skin

Электронные системы диагностики, стимуляции и воздействия на человека на примере BAMH и управления – на примере AE-Skin

Путь будущих разработок в области современной электроники пролегает от визуального отображения окружающего пространства до тактильного. В этой связи представляют интерес система Bioinspired Adaptable Multiplanar mechano-vibrotactile Haptic (BAMH) – пневматически активируемый роботизированный электронный комплекс с интерфейсом из мягкого материала и система AE-Skin, обеспечивающая интерфейс между кожей человека и физическими поверхностями. Принцип её действия достаточно известен и заложен в управлении интерактивными экранами. В первой части статьи рассматриваются особенности новых разработок в области медицинской электроники и перспективы тактильного воздействия на кожу человека для лечения и изменения настроения. Во второй части представлен подробный разбор AE-Skin и примеры её совершенствования во всех сферах жизни человека: от управления посредством электронных тактильных датчиков миниатюрной формы до устройств на основе новых технологий, воспринимающих движения руками без прикосновения и без применения пироэлектрических детекторов, как управляющие сигналы для РЭА.
17.04.2026 СЭ №4/2026 152 0

ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnjeHksEz
ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnjddDXPx
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться