Фильтр по тематике

Юбилей журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес»

В этом году журналу «ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ» исполнилось 20 лет. Юбилей отметили внеочередной конференцией, посвящённой развитию электроники в России.

20.06.2016 336 0
Юбилей журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес»

12 апреля 2016 года в Москве в РАН (Отделение нанотехнологий и информационных технологий) состоялась научная сессия «Электроника России: новые вызовы». Сессия и общественное обсуждение были приурочены к 20-летию журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ».

Научная сессия прошла в формате серии круглых столов под общей эгидой «Судьба электроники России». На мероприятии присутствовали и выступали ведущие специалисты академической науки, представители правительственных учреждений (Минпромторг), руководители государственных радио-электронных предприятий, частных фирм.

С приветственным словом к собравшимся обратился главный редактор журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес» академик Александр Сергеевич Сигов. Он поделился с аудиторией своим видением и перспективами развития электроники России, отметив важность тщательной подготовки специалистов и необходимость организации новых производств.

Затем с докладом выступил заместитель Департамента радиоэлектронной промышленности (Минпромторг) Павел Павлович Куцько, чей доклад был посвящён программно-целевым документам развития отечественной радиоэлектронной промышленности. Он рассказал о важности выполнения госпрограммы, которая заключается в повышении эффективности, конкурентоспособности и технологического уровня электронной и радио-электронной промышленности в интересах социально-экономического развития Российской Федерации.

Вопросы развития российской радио-электроники раскрыл в своём выступлении заместитель генерального директора по стратегическому развитию, реализации государственных программ АО «Росэлектроника» Арсений Валерьевич Брыкин. Его доклад был посвящён проблемам унификации при применении и импортозамещении электронных компонентов.

Продолжил и актуализировал тему важности унификации доктор технических наук Евгений Сергеевич Горнев. Его доклад так и назывался: «Проблемы унификации электронной компонентной базы».

Директор ИРЭ РАН, академик Юрий Васильевич Гуляев уделил особое внимание наиболее приори-тетным направлениям развития электроники – вакуумной электро-нике и СВЧ.

О современном состоянии и перспективах развития терагерцовой электроники рассказал директор ИСВЧПЭ РАН Пётр Павлович Мальцев.

С интересным докладом выступил Сергей Владиленович Щербаков (АО «НПП «Исток»»). Он не только обрисовал перспективы развития СВЧ-электроники в России, но и выступил с конкретными предложениями к представителям Минпромторга.

Виктор Алексеевич Быков (НТ-МДТ, Нанотехнологическое общество России) в своём выступлении остановился на развитии отечественного научного приборостроения. Он показал возможности отечественных разработок и обозначил основные проблемы.

Приборную тему продолжила Галина Владимировна Смирнова (генеральный директор представительства Keysight Technologies в России). Её доклад был посвящён импортозамещению в российской электронной промышленности. Как ни странно, но благодаря оборудованию и приборам этого известного бренда можно повысить эффективность проектирования и производства РЭА.

В своём докладе Леонид Александ-рович Моргун (Таврида-М) рассказал о проектировании систем в корпусе для ответственных применений. Презентация сопровождалась иллюстрациями, которые вызвали интерес у аудитории.

Подводя итоги научной сессии с заключительным словом высту-пил Борис Николаевич Авдонин (ЦНИИ «Электроника»). Он призвал собравшихся обратить внимание на важность развития не только военной, но и гражданской электроники.

Оживлённая дискуссия во время сессии выявила главные проблемы современной российской электроники: необходимость развития импортозамещения, создание единой электронной компонентной базы и согласованность работы всех участников производства – от проектировщиков и конструкторов до конечного потребителя.

Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

20.06.2016 336 0
Комментарии
Рекомендуем
Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков

Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков

Для решения ряда практических задач, связанных с идентификацией дефектов и повреждений в материалах, установлением состояния конструкций, выявлением неоднородностей в оптически непроницаемых средах и визуализацией их структуры, необходимо обрабатывать информацию, полученную дистанционно, что предусматривает оценку материальных параметров объектов исследования и установление их пространственного распределения. В отличие от математической теории обратных задач рассеяния, которая направлена главным образом на доказательство теорем о существовании и единственности решения, важное прикладное значение имеет разработка вычислительных процедур, которые позволят найти параметры рассеивателей при реальных условиях проведения измерений. Целью статьи является повышение эффективности средств оценивания параметров неоднородных сред по известному распределению рассеянного электромагнитного поля путём решения обратных задач рассеяния. Рассмотрен метод решения обратной задачи рассеяния по коэффициенту отражения для многослойных структур без потерь, высокая точность которого достигается за счёт конечного количества коэффициентов решений Йоста, что позволило избежать вычислений коэффициентов безграничных тригонометрических последовательностей в элементах матрицы рассеяния. Полученные результаты позволили осуществить оценку количества слоёв диэлектрической структуры, установить диэлектрическую проницаемость и ширину каждого слоя по значениям комплексного коэффициента отражения, который известен по результатам измерений на дискретном множестве частот в ограниченном диапазоне. Это дало возможность анализировать диэлектрические материалы неразрушающим методом и идентифицировать расслоение и отклонения параметров слоёв от технологически заданных значений. Разработан метод определения распределения диэлектрической проницаемости вдоль поперечной координаты в диэлектрических плоскослоистых структурах, и развитые алгоритмы идентификации поверхностей раздела по коэффициенту отражения нормально падающей плоской волны использованы как процедуры обработки сигналов в средствах подповерхностной радиолокации, что позволило избежать ложного обнаружения неоднородностей при анализе структуры сред.
04.07.2025 138 0

ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjd5pUmj
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjbxbMrV
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться