Ранее в российских проектах по созданию космических аппаратов использовались радиационностойкие транзисторы MOSFET компании International Rectifier HiRel (ныне — Infineon Technologies AG).
Для замены этих компонентов в текущих проектах предлагается рассмотреть транзисторы предприятия SIET (Shaanxi Electronic Technology Research Institute Co. Ltd). Компания выпускает MOSFET по технологии HEXFET: гексагональная (шестиугольная) форма ячейки обеспечивает высокую плотность упаковки на площади кристалла и позволяет работать с большими токами стока. Также выпускаются транзисторы по технологии R6 — они характеризуются оптимальным сопротивлением RDS (ON) в своём классе и расширенной областью безопасной работы (SOA) при одиночных радиационных эффектах. Форма кристалла в этих транзисторах оптимизирована для лучшего размещения в корпусе, что способствует снижению соотношения RDS (ON) /QG .
Предлагаются P- и N-канальные транзисторы с напряжением пробоя (BVDSS) 30, 60, 100, 200, 250, 400 и 500 В в различных корпусах — для монтажа в отверстия печатной платы и поверхностного монтажа (SMD-0.5, SMD-1, SMD-2, TO-254AA, TO-257AA, TO-39). Технические характеристики наиболее популярных моделей представлены в таблице.
Транзисторы устойчивы к полной накопленной дозе до 100 крад (Si). Испытания на стойкость к одиночным радиационным эффектам, в частности к одиночному эффекту пробоя подзатворного диэлектрика (Single Event Gate Rupture, SEGR) и эффекту вторичного пробоя (Single Event Burnout, SEB), проводятся с использованием ионов. При этом подбирается пробег иона в кристалле с учётом номинального напряжения и суммарной толщины кристалла: глубина проникновения иона важна для моделирования наиболее неблагоприятных условий возникновения эффекта SEGR.
Для большинства моделей гарантируется стойкость к воздействию ионов с пороговыми линейными потерями энергии (ЛПЭ) в кремнии не менее 75 МэВ· см2/мг .
Уровень цен на продукцию сопоставим с ценами известных европейских и американских производителей высоконадёжных изделий. Это обусловлено сопоставимым уровнем качества и объёмом ресурсов, вложенных в производство.
Технические характеристики наиболее популярных моделей радиационно-стойких MOSFET
Источник: https://www.prochip.ru/news/radiatsionno-stoykie-n-i-p-kanalnye-mosfet-s-napryazheniem-proboya-do-50...
Для замены этих компонентов в текущих проектах предлагается рассмотреть транзисторы предприятия SIET (Shaanxi Electronic Technology Research Institute Co. Ltd). Компания выпускает MOSFET по технологии HEXFET: гексагональная (шестиугольная) форма ячейки обеспечивает высокую плотность упаковки на площади кристалла и позволяет работать с большими токами стока. Также выпускаются транзисторы по технологии R6 — они характеризуются оптимальным сопротивлением RDS (ON) в своём классе и расширенной областью безопасной работы (SOA) при одиночных радиационных эффектах. Форма кристалла в этих транзисторах оптимизирована для лучшего размещения в корпусе, что способствует снижению соотношения RDS (ON) /QG .
Предлагаются P- и N-канальные транзисторы с напряжением пробоя (BVDSS) 30, 60, 100, 200, 250, 400 и 500 В в различных корпусах — для монтажа в отверстия печатной платы и поверхностного монтажа (SMD-0.5, SMD-1, SMD-2, TO-254AA, TO-257AA, TO-39). Технические характеристики наиболее популярных моделей представлены в таблице.
Транзисторы устойчивы к полной накопленной дозе до 100 крад (Si). Испытания на стойкость к одиночным радиационным эффектам, в частности к одиночному эффекту пробоя подзатворного диэлектрика (Single Event Gate Rupture, SEGR) и эффекту вторичного пробоя (Single Event Burnout, SEB), проводятся с использованием ионов. При этом подбирается пробег иона в кристалле с учётом номинального напряжения и суммарной толщины кристалла: глубина проникновения иона важна для моделирования наиболее неблагоприятных условий возникновения эффекта SEGR.
Для большинства моделей гарантируется стойкость к воздействию ионов с пороговыми линейными потерями энергии (ЛПЭ) в кремнии не менее 75 МэВ· см2/мг .
Уровень цен на продукцию сопоставим с ценами известных европейских и американских производителей высоконадёжных изделий. Это обусловлено сопоставимым уровнем качества и объёмом ресурсов, вложенных в производство.
Технические характеристики наиболее популярных моделей радиационно-стойких MOSFET
Источник: https://www.prochip.ru/news/radiatsionno-stoykie-n-i-p-kanalnye-mosfet-s-napryazheniem-proboya-do-50...
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
