Технология Trench MOSFET предназначена для использования в автомобильной электронике, схемах управления антиблокировочными системами и подушками безопасности, защите литий-ионных батарей, построении высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и других силовых цепях.
Изделия были разработаны и освоены в серийном производстве на заводе «Микрон» при поддержке Минпромторга России с частичным финансированием из федерального бюджета согласно постановлению Правительства РФ от 17.02.2016 № 109.
Гульнара Хасьянова, генеральный директор АО «Микрон», отметила: «В настоящее время на заводе «Микрон» освоено серийное производство 10 изделий силовой электроники по технологии Trench MOSFET. Разработка и производство локализованы в России при поддержке Минпромторга. Для отечественных прибористов это важный шаг в повышении импортозависимости».
Полная локализация производства на территории РФ подтверждена экспертизой Московской торгово-промышленной палаты (МТПП) и является обязательным условием для внесения в реестр российской промышленной продукции.
Источник: https://mikron.ru/company/press-center/news/8873/
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
