Ведущие научные группы работают над переходом электроники на новую компонентную базу. Одним из перспективных материалов для замены кремния является алмаз, характеризующийся высокой прочностью, стойкостью к радиации и высоким температурам. Алмаз становится полупроводником при добавлении примеси бора в его кристаллическую структуру. Алмазы встречаются реже кремния, и в последние два десятилетия были разработаны технологии получения их искусственных аналогов. Однако их производство остаётся затратным и сложным, поэтому необходимы более эффективные методы синтеза для использования алмазов в электронных компонентах и устройствах.
«Мы совместно с коллегами из СПбГУ разработали методику высокоточного определения концентрации бора в наноразмерных слоях полупроводниковых структур на основе синтезированного алмаза. Предложенный математический подход может использоваться как для контроля уже выращенных образцов, так и для подбора структур с наилучшими полупроводниковыми характеристиками», – рассказывает младший научный сотрудник кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Анна Васильевна Соломникова.
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
