Максимальная плотность тока достигает 1,6 А/мм. Благодаря этим характеристикам GaN‑приборы демонстрируют превосходные электрические параметры по сравнению с полупроводниковыми структурами на основе кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs): они способны работать на более высоких частотах при меньших проектных нормах, что обеспечивает повышенную эффективность и высокую удельную мощность.
Для работы в диапазоне частот 2,7–3,1 ГГц компания предлагает внутрисогласованные транзисторы, рассчитанные на непрерывный и импульсный режимы работы. Выходная мощность в точке насыщения от 130 до 500 Вт. Диапазон температур хранения от −55 до +175 °C. Транзисторы характеризуются небольшой неравномерностью коэффициента усиления во всём рабочем частотном диапазоне. Приборы выпускаются во фланцевых и бесфланцевых герметичных металлокерамических корпусах.
Основные технические характеристики транзисторов
Компания NEDITEK производит широкий ассортимент высокочастотных полупроводниковых транзисторов по арсенид‑галлиевой и нитрид‑галлиевой технологиям — они предназначены для работы в распространённых диапазонах P, L, S, C, X и Ku. Также в линейке представлены высокочастотные корпусированные и бескорпусные (в виде кристаллов) широкополосные и малошумящие усилители мощности, переключатели и фазовращатели.
Источник: https://prochip.ru/news/nitrid-gallievye-tranzistory-neditek-dlya-s-diapazona-chastot-2-7-3-1-ggts-s-razlichnymi-vykhodnymi-.html
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
