Экспозиция была посвящена созданию единой инфраструктуры памяти для обучения и вывода больших языковых моделей. Samsung продемонстрировала полный стек аппаратных решений — от высокополосной памяти для графических ускорителей до энергоэффективной серверной оперативной памяти и корпоративных SSD, ориентированных на центры обработки данных.
Ключевой новинкой стала память HBM4E, рассчитанная на размещение рядом с графическими процессорами. По сравнению с предыдущим поколением она обеспечивает примерно на 30% большую ёмкость, что позволяет эффективнее работать с крупными моделями искусственного интеллекта.
В основе HBM4E лежит сочетание кристаллов памяти, изготовленных по технологическому процессу DRAM класса 1c, и базового логического кристалла, произведённого по 4-нм техпроцессу Samsung Foundry. Архитектура обеспечивает скорость передачи данных до 14 Гбит/с на контакт с возможностью масштабирования до 16 Гбит/с. Совокупная пропускная способность памяти превышает 4 ТБ/с, что делает её одной из самых производительных разработок компании.
Одновременно Samsung представила технологию Heat Path Block, предназначенную для решения одной из главных проблем современных стеков HBM — отвода тепла от интерфейса Die-to-Die (D2D PHY), который соединяет память с графическим процессором. Именно эта область испытывает наибольшую тепловую нагрузку при передаче данных на высоких скоростях.
HPB интегрирует в конструкцию кристалла специализированный теплопроводящий канал с низким тепловым сопротивлением, позволяющий быстрее отводить тепло из наиболее нагруженных зон. Это помогает поддерживать стабильную работу памяти и сохранять качество высокоскоростной передачи данных даже при максимальной нагрузке.
Помимо HBM4E компания продемонстрировала серверный модуль памяти SOCAMM2 на базе LPDDR5X для высокоплотных вычислений, а также линейку корпоративных SSD, включая модели PM1753, PM9D3a и флагманский PM1763 с интерфейсом PCIe Gen6, рассчитанным на обслуживание интенсивных ИИ-нагрузок.
По словам технического директора Samsung Джайхюк Сонг, дальнейшее развитие инфраструктуры искусственного интеллекта требует оптимизации не отдельных компонентов, а всей вычислительной платформы. Благодаря статусу интегрированного производителя полупроводников (IDM) компания может одновременно совершенствовать память, литографические процессы, упаковку кристаллов и системную архитектуру, создавая специализированные решения для дата-центров нового поколения.
В настоящее время технология HPB проходит проверку в проектах HBM4E. Samsung рассчитывает включить её в стандартную архитектуру следующего поколения памяти HBM5, где требования к пропускной способности и плотности размещения компонентов станут ещё выше.
Источник: https://electronics-journal.com/news/112505-samsung-unveils-hbm4e-and-integrated-ai-memory-infrastru...Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
