По данным разработчиков, речь идёт о первой серийно выпускаемой радиочастотной микросхеме на базе технологии Si-GaN, которая используется в смартфонах и других интеллектуальных устройствах. В октябре прошлого года производитель сообщил о поставке первого миллиона чипов, а менее чем за год объём отгрузок увеличился более чем в пять раз.
Нитрид галлия считается одним из наиболее перспективных материалов для высокочастотной электроники благодаря способности работать на повышенных мощностях, частотах и температурах по сравнению с традиционным кремнием. До последнего времени подобные решения в основном применялись в телекоммуникационном оборудовании, радиолокационных системах и военной электронике, тогда как массовое использование в мобильных устройствах оставалось серьёзной технологической задачей.
По информации CETC 55, разработчикам удалось устранить одно из ключевых препятствий на пути коммерциализации технологии — проблему высокой плотности кристаллических дефектов, возникающих при выращивании эпитаксиальных слоёв нитрида галлия на кремниевых подложках. Решение этой задачи позволило создать технологию, пригодную для крупносерийного производства и использования в устройствах массового рынка.
Фактически китайская разработка закрыла существовавший в отрасли технологический пробел, связанный с применением кремниевых GaN-чипов в терминальном оборудовании. До сих пор преимущества нитрида галлия было сложно реализовать в компактных и чувствительных к стоимости потребительских устройствах.
Разработчики отмечают, что новая технология имеет значение далеко за пределами рынка смартфонов. В перспективе радиочастотные компоненты на базе Si-GaN могут стать важным элементом инфраструктуры сетей связи нового поколения, включая системы спутниковой связи и интегрированные воздушно-космические сети передачи данных.
По мнению китайских специалистов, такие решения способны обеспечить создание единой информационной среды, объединяющей наземные, воздушные и космические сегменты связи. Ожидается, что использование нитрида галлия позволит повысить эффективность радиочастотных трактов, улучшить качество покрытия и обеспечить более стабильную высокоскоростную передачу данных в сетях будущих поколений.
Достижение отметки в 5 миллионов поставленных чипов демонстрирует, что технология нитрида галлия начинает выходить за пределы специализированных отраслей и постепенно становится частью массовой потребительской электроники. Для мировой полупроводниковой индустрии это может стать одним из первых примеров успешного внедрения GaN-радиочастотных решений в действительно крупных коммерческих масштабах.
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
