Современная высокочастотная электроника всё чаще сталкивается с фундаментальным ограничением — перегревом. Хотя нитрид галлия считается одним из наиболее перспективных материалов для создания оборудования связи шестого поколения, спутниковых систем и радиолокационных комплексов, значительная часть потребляемой энергии неизбежно превращается в тепло. По мере роста плотности размещения транзисторов на кристалле возникают локальные перегревы, которые снижают эффективность устройств и сокращают срок их службы.
Команда MIT предложила необычное решение этой проблемы. Вместо традиционных методов охлаждения исследователи встроили миниатюрные транзисторы GaN непосредственно в монокристаллический алмазный интерпозер. Благодаря рекордной теплопроводности алмаз эффективно распределяет тепло по всей структуре, устраняя горячие точки и выравнивая температурный режим различных компонентов чипа.
По словам ведущего автора работы, аспиранта MIT Прадьота Ядава, именно управление теплом долгое время оставалось главным препятствием для масштабного внедрения многослойных гетерогенных электронных систем. Новый подход позволяет одновременно сохранить преимущества нитрида галлия и устранить ограничения, связанные с перегревом.
Особенность технологии заключается в том, что алмаз не выращивается непосредственно на поверхности транзистора, как в предыдущих исследованиях. Такой подход нередко приводил к появлению паразитных ёмкостей, ухудшающих характеристики устройств. Вместо этого учёные вырезают сверхмалые кристаллы нитрида галлия с помощью фемтосекундного лазера и встраивают их в специально подготовленные полости алмазной подложки. После термического соединения формируется единая структура с высокой теплопередачей и минимальными электрическими потерями.
Для демонстрации возможностей технологии исследователи изготовили усилитель мощности — один из ключевых компонентов любой системы беспроводной связи. Испытания показали, что устройство обеспечивает более высокие показатели выходной мощности, усиления и энергоэффективности по сравнению с аналогичными разработками, описанными в научной литературе.
По мнению авторов проекта, новая архитектура может найти применение в оборудовании для сетей 6G, спутниковой и космической связи, мощных радиолокационных системах, промышленных беспилотниках и центрах обработки данных. Особенно перспективным направлением считается использование алмазных тепловых интерфейсов в силовой электронике и системах преобразования энергии, где проблемы перегрева напрямую влияют на энергопотребление и надёжность оборудования.
Исследователи отмечают, что ещё несколько лет назад подобная технология казалась практически фантастической. Однако развитие методов выращивания монокристаллических алмазов позволило существенно снизить стоимость материала и приблизить его использование в микроэлектронике к промышленным масштабам. По мнению команды MIT, именно гетерогенные трёхмерные системы на основе нитрида галлия и алмазных подложек станут одной из ключевых платформ для развития высокопроизводительной электроники следующего поколения.
Источник: https://news.mit.edu/2026/improving-high-power-electronics-performance-0608Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

