Радиационно стойкие интегральные драйверы силовых ключей MOSFET/IGBT и управления электродвигателями

Микросхемы обеспечивают перезаряд ёмкостей затворов силовых ключей с высокой скоростью и небольшой мощностью рассеяния.

Они предназначены для применения:

• в схемах преобразователей напряжения;
• в регуляторах частоты вращения двигателей;
• для управления скоростью и позиционированием сервомеханизмов;
• для управления шаговыми электродвигателями и электродвигателями постоянного тока.

Совместимость радиационно‑стойких моделей по электрическим и конструктивным параметрам с популярными микросхемами в общепромышленном исполнении позволяет при создании прототипов космической аппаратуры применять более дешёвые изделия и избегать дополнительных временных и финансовых затрат при изготовлении конечных устройств.

Испытания на стойкость к эффекту полной накопленной дозы проводятся при облучении как с высокой мощностью дозы (0,1 рад (Si)/с), так и с низкой (0,01 рад (Si)/с) на гамма‑установке, где в качестве излучателя используется изотоп ⁶⁰Co.

Испытания на воздействие отдельных ядерных частиц проводятся на базе изохронного циклотрона путём облучения ионами ¹⁸¹Ta с:

• энергией 2006,4 МэВ;
• длиной пробега иона в кремнии 116,6 мкм;
• интегральным потоком (флюенсом) 1×10⁷ частиц/см².

Испытания на воздействие отдельных заряженных частиц проводятся согласно требованиям национального стандарта QJ 10005A‑2018 «Руководство по испытаниям полупроводниковых приборов аэрокосмического назначения на воздействие тяжёлых ионов в результате однократного действия», который является аналогом европейского стандарта ASTMF 1192.

При испытаниях некоторых изделий с показателями пороговых ЛПЭ иона > 37 МэВ· см²/мг применяется стандартный набор ионов: Kr, Xe, Ar.

Отчёты об испытаниях на накопленную дозу и на воздействие тяжёлых заряженных частиц входят в состав сопроводительной документации на изделия.

Основные характеристики радиационно‑стойких интегральных драйверов силовых ключей MOSFET/IGBT

Источник: https://www.prochip.ru/news/radiatsionno-stoykie-integralnye-drayvery-silovykh-klyuchey-mosfet-igbt-i-upravleniya-elektrodvigate.html