Модули созданы по обратноходовой топологии с двумя контурами обратной связи: по напряжению и по току дросселя. Рабочая частота преобразования — от 370 до 430 кГц. Для обеспечения повышенных требований по стойкости к воздействию ионизирующих излучений в контуре обратной связи применяется транзисторно‑трансформаторная развязка.
Встроенный помехоподавляющий фильтр на входе обеспечивает снижение уровня кондуктивных помех со стороны питающей сети. Максимальный уровень пульсаций тока на входе составляет 30–40 мА (от пика до пика). Пульсации выходного напряжения — 20–25 мВ (от пика до пика).
Схема плавного включения обеспечивает исключение перерегулирования выходного напряжения и ограничивает пусковой ток при включении, что гарантирует длительный срок службы. Функция защиты по току срабатывает, если сопротивление нагрузки оказывается слишком небольшим и ток превышает пороговое значение. Схема управления по пиковому току снижает коэффициент заполнения импульсов управления, формируемых ШИМ‑контроллером, для ограничения выходного тока.
Преобразователь будет продолжать выдавать постоянный ток в режиме перегрузки или короткого замыкания. Это свойство позволяет включаться при любой ёмкостной нагрузке (максимум 165 мкФ). После устранения причины перегрузки и уменьшения тока ниже заданного порога модуль автоматически стартует в режиме плавного запуска.
Функция выключения внешним сигналом со стороны входа позволяет включать и выключать преобразователь без циклического коммутирования входной мощности. Эта востребовано:
- при формировании программного включения отдельных модулей в соответствии с определённым алгоритмом;
- для задержки включения преобразователя до тех пор, пока его входное напряжение не станет стабильным;
- для содействия предотвращению проблем с входным импедансом.
Блокировка при пониженном напряжении обеспечивает стойкость при медленной скорости нарастания входного напряжения.
Компания применяет традиционный подход к радиационным испытаниям для гарантирования характеристик изделия при эксплуатации в условиях космического пространства. Внутренний план по обеспечению радиационной стойкости определяет технологические процессы и методы, которые гарантируют сохранение параметров коммерческих изделий при эксплуатации в космической аппаратуре — даже в условиях воздействия дестабилизирующих факторов, таких как дозовые и одиночные радиационные эффекты.
Кроме того, преобразователи напряжения серии SVLCH квалифицированы на восприимчивость к длительному воздействию низкоинтенсивного излучения (Enhanced Low Dose Rate Sensitivity — ELDRS) испытаниями образцов облучением 10～100 мрад (Si)/с до накопленной дозы 50 крад (Si). Испытания высокоинтенсивным облучением проводились до накопленной дозы 100 крад (Si). Испытания на стойкость к воздействию радиации по дозовым эффектам проводились на установке гамма-излучений с источником ионизирующих излучений изотопа 60Co.
Параметры радиационной устойчивости гарантируются сочетанием определения параметров как на уровне модулей, так и испытанием выборки отдельных партий всех чувствительных к радиации полупроводниковых компонентов, используемых в модуле, облучением высокой интенсивности.
Испытания на стойкость к одиночным сбоям от воздействия тяжёлых заряженных частиц проводились на циклотроне с облучением набором из четырёх ионов с длинами свободного пробега в кремнии более 90 мкм. Испытания на стойкость к воздействию ионизирующих излучений по одиночным необратимым радиационным эффектам выполнялись при наивысших пороговых ЛПЭ 85 МэВ·см2/мг при максимальном входном напряжении и полной нагрузке. Это абсолютный наихудший режим работы, при котором не наблюдались катастрофические одиночные эффекты SEB, SEGR и SEL.
Стойкость к эффектам структурных повреждений (эффектам смещения) биполярных устройств, входящих в состав преобразователей, гарантируется при интегральном потоке нейтронов 1×1012 нейтрон/см2.
В процессе изготовления преобразователей проводятся 100 % отбраковочные испытания согласно требованиям стандарта MIL‑STD‑883 «Test Methods And Procedures For Microelectronics».
Некоторые параметры модулей серии SVLCH:
- среднее время наработки до отказа (MTBF) для моделей Class K — 4,49 млн ч, рассчитанное по стандарту MIL‑HDBK‑217F для условий орбитального космического полёта (Space Flight — SF) при температуре корпуса +55°C;
- габариты корпуса — 24,77×20,32×6,86 мм;
- вес — 11 г;
- массо‑объёмные характеристики модулей, расположение выводов и их функциональное назначение идентичны параметрам модулей серии SLH (Crane Aerospace & Electronics, Interpoint®, США).
Для получения дополнительной информации по продукции компании VPT обращайтесь по электронной почте info@prochip.ru.
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
