Однако анализ доступных данных показывает: даже при наличии работающего источника EUV-излучения Китай остаётся в нескольких годах от создания полноценного EUV-инструмента, пригодного для производства чипов.
Что известно о предполагаемой установке
По данным источников Reuters, система была собрана в начале 2025 года на строго охраняемом объекте в Шэньчжэне и занимает почти целый заводской корпус. Сообщается, что установка способна генерировать EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм — стандартной для современной EUV-литографии.
Источник света, по утверждению собеседников агентства, реализован по методу лазерно-полученной плазмы (LPP) — тому же принципу, который используется в коммерческих сканерах ASML серии Twinscan NXE. Это резко отличает проект от альтернативных китайских разработок, основанных на ускорителях частиц или разрядной плазме.
Сам факт выбора LPP может указывать либо на глубокий реверс-инжиниринг западных решений, либо на привлечение специалистов, знакомых с архитектурой ASML.
Как работает EUV-источник ASML и почему его трудно повторить
В коммерческих системах ASML используется поток расплавленных капель олова диаметром 25–30 мкм, подаваемых в вакуум со скоростью до 50 тыс. капель в секунду. Каждая капля:
- получает предварительный лазерный импульс (формирование геометрии),
- затем основной мощный импульс CO₂-лазера,
- превращается в перегретую плазму с температурой свыше 200 000 °C,
- излучает EUV-свет, который собирается многослойным коллекторным зеркалом.
Этот цикл повторяется десятки тысяч раз в секунду и требует синхронизации, точности и чистоты, измеряемых нанометрами.
Почему «генерировать EUV» ≠ «иметь EUV-литографию»
Даже если китайская установка действительно генерирует EUV-излучение, это лишь малая часть полноценного литографического инструмента. Ключевые проблемы, на которые указывает отчёт:
- отсутствие подтверждённых данных о мощности EUV-источника;
- нерешённые вопросы с коллекторной и проекционной оптикой;
- отсутствие информации о:
- системе позиционирования пластин,
- ваферных и масочных столах,
- метрологии,
- управляющем ПО.
Критически важно, что сверхточная оптика EUV-систем (многослойные зеркала Mo/Si с субнанометровыми ошибками фронта волны) поставляется ASML немецкой компанией Carl Zeiss. Без воспроизведения этой оптики говорить о рабочем EUV-сканере невозможно.
Фактически, при отсутствии коллектора и проекционной оптики речь может идти не о литографической машине, а лишь об экспериментальном EUV-источнике.
На каком этапе проект реально находится
В самом отчёте подчёркивается:
китайский EUV-сканер в текущем виде не может использоваться для производства микросхем.
Ожидания властей КНР предполагают появление первых тестовых EUV-чипов в 2028 году, однако источники Reuters считают более реалистичным горизонт 2030 года или позже. Это согласуется с мировой практикой: ASML потребовались десятилетия, чтобы довести EUV от лабораторных экспериментов до массового производства.
Для сравнения, ещё в 2006 году ASML могла печатать простейшие линии и зазоры, но первая промышленная система Twinscan NXE:3400B вышла лишь спустя 11 лет.
Реверс-инжиниринг и «секретная лаборатория»
Источники Reuters утверждают, что проект реализуется в условиях жёсткой секретности:
- сотрудникам выдавались поддельные удостоверения;
- полный состав персонала скрывался;
- рабочие места контролировались камерами.
В проекте, по сообщениям, задействованы:
- бывшие инженеры ASML (в том числе за пределами Китая),
- около 100 недавних выпускников вузов,
- команды, занимающиеся разборкой и сборкой компонентов DUV- и EUV-инструментов.
При этом реверс-инжиниринг системы, состоящей из более чем 100 000 деталей, сам по себе не гарантирует работоспособности — ключевым остаётся интеграция всех подсистем в единую, устойчиво работающую машину.
ASML, комментируя ситуацию, заявила Reuters:
«Логично, что компании хотят воспроизвести нашу технологию, но сделать это крайне сложно».
Вывод
Сообщения о китайском EUV-проекте указывают на серьёзные амбиции и заметный технологический прогресс, особенно в части источников EUV-света. Однако текущие данные свидетельствуют:
- полноценного EUV-литографического инструмента у Китая пока нет;
- проект находится далеко от стадии альфа-системы;
- до серийного производства EUV-чипов остаются годы, если не целое десятилетие.
Даже в оптимистичном сценарии первые прототипы чипов могут появиться не ранее 2028–2030 годов, а их коммерческая применимость остаётся под вопросом.
Источник: https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lith...Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
