Альтернатива ASML: новый набор технологий
В отличие от нидерландской ASML, российская программа не копирует архитектуру Twinscan NXE/EXE. Вместо классических решений предлагаются:
- источники света на основе ксеноновой плазмы, что устраняет проблему загрязнения фотошаблонов;
- гибридные твердотельные лазеры;
- зеркала из рутения и бериллия (Ru/Be), оптимизированные для длины волны 11,2 нм.
Такой подход снижает потребность в обслуживании и упрощает архитектуру оборудования: исключается иммерсионная обработка и многократное экспонирование, используемые в DUV-системах ASML.
Планы
- 2026–2028 годы — литографический станок с разрешением 40 нм, двухзеркальная оптика, точность наложения 10 нм, поле экспозиции 3×3 мм, производительность более 5 пластин/час.
- 2029–2032 годы — сканер на 28 нм (с возможностью работы на 14 нм), четырёхзеркальная система, точность 5 нм, производительность свыше 50 пластин/час.
- 2033–2036 годы — шестизеркальная конфигурация для узлов <10 нм, точность 2 нм, производительность более 100 пластин/час.
Разработчики заявляют, что итоговый диапазон разрешений (65–9 нм) покроет потребности критически важных слоёв производства чипов вплоть до конца текущего десятилетия.
Преимущества и вызовы
Главное преимущество — снижение капитальных и операционных затрат по сравнению с ASML. Однако остаются серьёзные вызовы: длина волны 11,2 нм не является отраслевым стандартом. Это потребует дополнительных исследований в области разработки новых зеркал, источников света, полировочных технологий, резистов и инфраструктуры в целом.
Возможные сценарии
Российский проект делает ставку не на гигантские фабрики, а на относительно компактные и экономичные линии. В случае успеха такие системы могут заинтересовать игроков вне экосистемы ASML, обеспечив нишевое, но конкурентоспособное присутствие на рынке.
Источник: https://russianelectronics.ru/institut-fiziki-mikrostruktur-rossijskoj-akademii-nauk-sostavil-dolgos...Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
