Фильтр по тематике

Грабежова Виктория

Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием электроника

Тиристор со статической индукцией с повышенным быстродействием

Рассматривается конструкция кристалла тиристора со статической индукцией с повышенным быстродействием. Повышение быстродействия достигается за счёт отключения от области затвора его пассивных частей, расположенных под площадками катода, затвора и периферийных областей, а также за счёт исключения инжекции из анода дырок под этими областями путём введения стопора n⁺-областей. Дальнейшее уменьшение области затвора и, соответственно, повышение быстродействия обеспечивается за счёт уменьшения шага структуры кристалла в четыре раза. Уменьшение шага структуры кристалла достигается использованием новой технологической схемы формирования структуры кристалла, объединяющей Trench-технологию и технологию самосовмещения истока и затвора. Замена n⁺-областей катода на изотипный гетеропереход позволит проводить глубокую модуляцию высокоомной области анода основными носителями, что, в свою очередь, позволит увеличить рабочее напряжение тиристора до 10 кВт и выше и уменьшить сопротивление прибора в открытом состоянии на несколько порядков.
СЭ №5/2023 240 0
Приборы со статической индукцией электроника

Приборы со статической индукцией

Рассмотрена история появления и развития нового класса приборов на Si – приборов со статической индукцией, которые способны работать как в полевом, так и в биполярном режиме. Предложены новые конструктивно-технологические пути построения СИТ и БСИТ с уникальными ключевыми параметрами, создание которых особенно необходимо для таких отраслей, как самолётостроение и электротранспорт. Технологические пути построения предлагаемых приборов базируются на хорошо освоенных в серийном производстве приёмах, что позволяет создавать их с низкой себестоимостью. Проведён сравнительный анализ по основным ключевым параметрам предлагаемых приборов с лучшими высоковольтными приборами на SiC и GaN. Показано, что предлагаемые приборы по основным ключевым параметрам существенно их превосходят. Замена в СИТ обычного n⁺-истока на изотипный гетеропереход, возможно, позволит перейти на новый физический принцип движения тока в полупроводнике – с зонного на фононный.
СЭ №3/2023 312 0


ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjeaxp3k
ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjeaxp3k