Фильтр по тематике
электроника
Современные кремниевые IGBT-транзисторы для напряжений до 1200 В
Последние достижения в области производства и обработки полупроводников способствуют развитию технологий изготовления IGBT-транзисторов. Уменьшение размера шага ячеек Trench IGBT-транзисторов привело к существенному снижению потерь проводимости и параметров переключения. В то же время имеющиеся ограничения на временны′е характеристики становятся видимым препятствием для дальнейшего уменьшения потерь даже для кремниевых силовых ключей. СЭ №2/2018 51 0 0
