Фильтр по тематике

Учёт и оценка влияния параметров переходного отверстия на передачу высокочастотного сигнала

В статье оценивается влияние переходного отверстия на потери сигнала в линии передачи. Оценка выполняется с помощью расчёта коэффициентов S-матрицы. Подчёркивается необходимость реализации вычисления первичных и вторичных параметров межслойного перехода непосредственно в САПР печатных плат.

24.05.2024 2309 0
Учёт и оценка влияния параметров переходного отверстия на передачу высокочастотного сигнала
Без контроля ёмкости, индуктивности и импеданса линий передач практически невозможно спроектировать современное электронное устройство. Это характерно для всех видов аппаратуры. 

Когда говорят о линиях передачи, реализованных на печатной плате, то часто подразумевают опорный слой и проводяник определённого поперечного сечения в среде диэлектрика (рис. 1) [1, 2].

На рисунке выше представлен «идеальный» случай, когда сигнальная линия размещена только на одном слое. Такая конфигурация не всегда реализуема, особенно на печатных платах высокой плотности (HDI). В HDI-устройствах трасса, по которой распространяется высокочастотный сигнал, может располагаться на разных слоях и совершать переход через отверстия. Инженер контролирует параметры проводника, но игнорирует межслойный переход. Часто его выбирают из соображения технологичности и возможности размещения. В результате появляются искажения сигнала, так как линия становится несогласованной. 
В статье оценим влияние межслойного перехода в линии передачи на потери, выполнив моделирование в модуле HFSS 3D Layout программы Ansys [3]. Проводник представим как двухпортовую систему (рис. 2) и вычислим коэффициенты S11, S21 для линии с отверстием и без него в частотном диапазоне от 1 ГГц до 10 ГГц.

Коэффициенты S11 и S21 рассчитываются по выражениям: 
  • S11=b1/a1, при a2=0 (1)
  • S21=b2/a1, при a2=0 (2)
где а1 – напряжение падающей волны, b1 – напряжение отражённой волны, b2 – напряжение волны, вышедшей из Port 2.

Пусть длина линии составляет 40 мм, а импеданс 50 Ом. Структура печатной платы, для которой выполняется расчёт, показана на рис. 3.

Конструкция состоит из трёх слоёв. Сделано это специально для того, чтобы обеспечить один возвратный слой как для стороны Top, так и для стороны Bottom.

Рассмотрим случай, когда проводник располагается только на одной стороне печатной платы. Его ширина для соответствия импедансу в 50 Ом при диэлектрической проницаемости материала, равной 4, составляет 0,88 мм. Модель для расчёта представлена на рис. 4.
 
На рис. 5 показан результат расчёта.
Коэффициент S11 у трассы на всём частотном диапазоне не превышает – 25 дБ, а S21 – 2 дБ на частоте 10 ГГц.

Проведём подобный расчёт для проводника с отверстием. Пусть 20 мм линии с волновым сопротивлением 50 Ом располагаются на первом слое, а оставшиеся 20 мм – на третьем. Модель представлена на рис. 6. 
Коэффициенты S11 и S21 для линии передачи с межслойным переходом будут сопоставимы для линии без отверстия только в том случае, если импеданс перехода примет значение 50 Ом. 

Отверстие, как неоднородность, можно представить в двух вариантах. Первый – единое целое, состоящее из отверстия и двух частей проводника без опорного слоя или с опорным (зависит от размера антипада) (рис. 7).

Второй – сумма неоднородностей, образованных непосредственно переходным отверстием и двумя частями проводника. При этом, если под частями трассы отсутствует опорный слой, то её импеданс в этом месте будет выше 50 Ом. Соответственно, для согласования всей неоднородности волновое сопротивление самого межслойного перехода должно быть меньше 50 Ом.

Рассмотрим случай, когда антипад равен размеру площадки отверстия. Такое исполнение межслойного перехода позволит сохранить полигон целым под всей трассой. Пусть диаметр отверстия составляет 0,6 мм, а площадки 1,0 мм. Площадка на втором слое отсутствует. Данный переход можно встретить достаточно часто в проектах печатных плат. Результат расчёта показан на рис. 8.
Из графика видно, что с увеличением частоты S11 возрастает и на 10 ГГц составляет –15 дБ. S21 на максимальной частоте имеет значение около 4 дБ. Результат значительно отличается от линии передачи без отверстия. 

Теперь оценим ёмкость и волновое сопротивление данного межслойного перехода. Сделаем это в модуле Q3D Extractor программы Ansys [4]. Модель для расчёта представлена на рис. 9.

Ёмкость данного перехода составляет 346 фФ, а импеданс 16 Ом. Линия передачи несогласована, поэтому результат так отличается от первого расчёта.

Уменьшим переходное отверстие. Пусть диаметр составляет 0,3 мм, площадка 0,85 мм и присутствует только на первом и третьем слое. В этом случае ёмкость будет 254 фФ, а импеданс 21 Ом. Коэффициенты S11 и S21 в зависимости от частоты для этого случая показаны на рис. 10. 

Коэффициент S11 растёт с увеличением частоты и при 10 ГГц составляет –23 дБ, S21 около 2,5 дБ. В сравнении с первым случаем результат улучшился, так как увеличился импеданс неоднородности. Надо отметить, что дальнейшее повышение волнового сопротивления, при условии равенства размера антипада площадке, практически невозможно. Поэтому рассмотрим следующий случай.

Пусть диаметр отверстия составляет 0,6 мм, площадка 0,85 мм, антипад 1,5 мм. Площадка на втором слое у отверстия отсутствует. Рассчитаем ёмкость и волновое сопротивление модели (рис. 11).

Данная конструкция отличается от представленной на рис. 9. Она включает в себя две части проводника, расположенные под антипадом. Ёмкость такой конструкции 297 сФ, импеданс 45 Ом. При этом импеданс только переходного отверстия составляет 25 Ом. Ниже показаны коэффициенты S11 и S21 (рис. 12).

Результат близок к линии передачи без отверстия, если не учитывать резонансных явлений, так как трасса получилась практически согласованной. 

S11 на всём частотном диапазоне не превышает –22 дБ, а на максимальной частоте составляет –42 дБ. Коэффициент S21 не более 2,5 дБ. В табл. 1 представлены результаты расчёта для всех трёх случаев.

Проведённый анализ показывает, что при проектировании высокочастотных устройств возникает необходимость рассчитывать, контролировать и управлять первичными параметрами межслойного перехода. Логично, если все вышеперечисленные операции будут выполняться в САПР печатных плат. Однако в настоящее время данный функционал в них отсутствует. Разработчик вынужден ориентироваться на «тяжёлые» средства 3D-моделирования при условии их доступности и владения необходимыми знаниями, навыками. В результате чаще всего выбор межслойного отверстия для высокочастотного сигнала инженер осуществляет, ориентируясь на свой опыт, что в конечном счёте снижает качество проектируемого изделия.

Литература

  1. Методы расчёта волнового сопротивления линий передач на печатных платах / В.А. Ухин, Д.С. Коломенский, В.С. Кухарук, О.В. Смирнова // Современная электроника. 2023. № 9. С. 40.
  2. Сравнение результатов расчётов волнового сопротивления линий передач на печатных платах / В.С. Кухарук, Д.С. Коломенский, В.А. Ухин, О.В. Смирнова // Современная электроника. 2023. № 9. С. 43.
  3. Ansys. HFSS 3D Layout Help.
  4. Ansys. Q3D Extractor Help.
© СТА-ПРЕСС, 2024

Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

24.05.2024 2309 0
Комментарии
Рекомендуем
Китайский подвижный электронный нейтрализатор

Китайский подвижный электронный нейтрализатор

В сети можно найти немало сведений о подвижных наземных роботах, роботах-собаках, помощниках для лиц с ограниченными возможностями здоровья, беспилотных системах и аппаратах, но такого мир ещё не видел: китайская компания Logon Technology разработала устойчивую к атмосферным воздействиям и ударопрочную движущуюся установку с видеокамерами и несколькими функциями поражения спецсредствами, в том числе яркими вспышками света, поражающими на время зрение, звуковым шоковым «ударом» мощностью более 300 дБ, а также электротоком – специально для полицейских и антитеррористических служб. Корпус устройства настолько крепкий, что его можно применять как разгонный таран для проникновения в запертые помещения. Максимальная скорость движения составляет 38 км/ч. В статье разберёмся и с другими функциональными особенностями устройства Rotunbot RT‑G, уже запущенного в серию.
23.09.2025 СЭ №7/2025 491 0
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма Часть 1. Пионер квантовой физики:  И.Е. Тамм и его вклад в развитие электроники

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма Часть 1. Пионер квантовой физики: И.Е. Тамм и его вклад в развитие электроники

В статье рассмотрены основные этапы биографии и научное наследие выдающегося советского физика-теоретика, лауреата Нобелевской премии Игоря Евгеньевича Тамма. Особое внимание уделено его ключевым научным достижениям, оказавшим фундаментальное влияние на развитие современной электроники. Рассмотренные в этой статье работы Игоря Евгеньевича Тамма демонстрируют исключительную научную ценность, ставя его в один ряд с такими выдающимися физиками, как Альберт Эйнштейн, Нильс Бор, Пол Дирак. Показано, как теоретические концепции, предложенные Таммом почти столетие назад, стали основой многих современных электронных технологий. Работа базируется на анализе оригинальных трудов учёного и демонстрирует актуальность его научных идей для развития квантовой электроники, фотоники и нанотехнологий.
22.09.2025 СЭ №7/2025 531 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности

В статье приводятся экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля ОНЧ-диапазона (И.К. Э-М. П.), зарегистрированного на авроральной обсерватории ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген), магнитограмм геомагнитного поля Земли, полученных на норвежской авроральной станции LYR TGO (78,20°, 15,82°; арх. Шпицберген), и сейсмические данные норвежской сети NORSAR. В качестве примера приведены синхронные записи двух массивов 01–10.11.2019 и 01–10.11.2021 экспериментальных данных И.К. Э-М. П., магнитограмм земного поля, которые сопоставляются во времени с моментами начала землетрясений. Высказано предположение, что рассматриваемые импульсные излучения, которые значительно (в 3–9 раз) превосходят по амплитуде поле атмосфериков, являются результатом сейсмических событий (пьезоэлектрический эффект). В качестве приёмно-регистрирующей аппаратуры использованы два приёмника ОНЧ-диапазона (400…7500 Гц) со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн и последовательный анализатор спектра импульсных сигналов. Аппаратура была разработана в ПГИ (г. Апатиты), выполнена на основе программируемых аналоговых (AN221E04) и цифровых (PIC18F452) интегральных микросхем. Данная структура построения аппаратуры дала возможность реализовать режим динамической реконфигурации ПАИС, что позволило в реальном времени менять функциональную схему устройства и его технические характеристики, тем самым получать высокую точность и стабильность результатов обработки исследуемых сигналов.
18.09.2025 СЭ №7/2025 431 0

ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjc3EGJB

ООО «ПРОСОФТ» 7724020910 erid=2SDnjceoy4T

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться