Высотное административное здание «НИИ Дельта» — теперь офисно-торговый комплекс в районе Северное Измайлово Восточного административного округа Москвы. Общая площадь здания с подземным паркингом составляет около 50 000 м2, пятно застройки — 13 446 м2. Здание общей высотой 132 метра имеет уникальную архитектуру. В 1978 году в этом здании был размещён НИИ «Дельта», созданный по приказу МЭП СССР на базе части КБ полупроводникового машиностроения (КБПМ). НИИ «Дельта» специализировался на научных исследованиях, разработке и опытном производстве интегральных микросхем для нужд народного хозяйства и спецтехники. С 1993 года началась сдача в аренду свободных площадей. В 2002 году Научно-исследовательский институт «Дельта» стал называться ОАО «Новая инвестиционная инициатива „Дельта“». Основным направлением его деятельности становится управление недвижимостью, сдача площадей в аренду [1].
Тридцать лет назад, волею судеб (работая в НПО «Космическое приборостроение»), автор этих строк Алексей Галицын, даже не задумываясь о
Мог ли предположить автор, 30 лет назад выступавший заказчиком первых отечественных ВОЛС и оснащавший тогда
Во времена Горбачёвской перестройки, когда КПСС позволила всем желающим немного «порулить» государством и принять участие в выборах народных депутатов на альтернативной основе, люди ждали от демократии справедливости, а получили вседозволенность и беспредел. От коллективного подряда ждали конкуренции и оплаты по труду, а вместо этого получили «базар» в экономике, уничтожение высокотехнологичных отраслей промышленности и науки, а вдобавок ко всему этому ещё и монополии и олигархов. Вместо развития страны, которое даже после Великой Отечественной войны (в условиях двухконтурной финансовой системы) на зависть всему миру длилось с сороковых по восьмидесятые годы, народу (под демократические лозунги) новоявленные реформаторы навязали «Вашингтонский консенсус» [2] — механизм угнетения
Суть Вашингтонского консенсуса как механизма управления колониями достаточно проста. Это узаконенный механизм ограбления колоний, а колониальная политика «глобальной метрополии» в отношении любой
Вы спросите: «Для чего мы всё это говорим?» Да для того, чтобы ни у кого не осталось иллюзий, и чтобы стало понятно, что в той
Написали мы это, чтобы открыть людям глаза на очевидное: развитие высокотехнологичных отраслей в России в рамках «открытой рыночной экономики» (в условиях мировой конкуренции) и с её совершенно «дикой» банковской кредитной системой невозможно в принципе и доступно лишь отдельным категориям «доверенных» людей, для которых на постоянной основе доступны бюджетные средства. Конечно, снимать закредитованность предприятий бюджетными вливаниями, после разрушения в них производственного процесса, — тоже хорошее дело, но и это доступно лишь предприятиям ОПК, да и то не всем. А как быть с остальными — с теми, кто, например, поставляет комплектующие для ОПК; как быть с учёными РАН, «не вписавшимися в рынок» и впроголодь, за 25 тысяч рублей, двигающими российскую науку?
Любая новая высокотехнологичная продукция, за исключением примитивного программного продукта, который в стране
Главная из высокотехнологичных отраслей в мире (как вдруг оказалось) — это полупроводниковая индустрия, а её передний край — радиофотоника. Полупроводниковая индустрия базируется на тысячах высокотехнологичных компонентов: инновациях, технологиях и чистых материалах, которые тоже, причём одновременно, теперь в нашей стране должны быть
Но о полупроводниковой индустрии в России не говорят с экранов телевизоров, нет её и в программах институтов так называемого «развития» страны. Видимо, согласно «консенсусу», страна не должна иметь ни полупроводниковой индустрии, ни высокотехнологичных разработок в этой области, а интеллектуальный потенциал, исторически наперекор всему рождающийся в России, должен или работать на метрополию (на инофирмы), или погибнуть.
И рассчитывать на то, что в России «невидимая рука рынка» в области полупроводниковой индустрии сама всё создаст и расставит по местам или что спешно созданные
Должностные обязанности представителей профессии «экономист» [5] заключаются в исследовании, планировании и экономическом сопровождении
Но выход даже из этой патовой ситуации у страны и был, и есть — он описан нами в статье «Кому нужна электронная индустрия?» [8]. Впрочем, реализовать его на практике в России,
О вкладе авторов в развитие этого направления мы уже пиcали [12], но в финансировании работ по этой теме им было отказано специалистами [7] ДРЭП, поскольку развивать эту технику, согласно законам российского рынка, должны совершенно другие, «правильные» люди. И неважно, что люди эти «правильные», осваивая бюджетные миллиарды, подобно юным радиолюбителям, будут осуществлять разработки методом научного тыка: «А что будет, если сделать так? А что будет, если сделать эдак?» В самом деле, ведь сегодня никто не может объяснить, почему, вопреки всем известным законам физики, передача сигналов по ВОЛС может осуществляться на сотни и даже на тысячи километров, а уж тем более рассчитывать и проводить микронные интегральные световоды непосредственно по кремниевой пластине, не говоря уже о нанофотонике, где действуют совсем иные — квантовые законы. В то время как авторы на основании сделанного ими открытия понимают реальную физику, схемо- и системотехнику, наперёд знают, что и как требуется сделать и получить в области и радиофотоники, и её системотехники, и, как всегда, намерены поделиться своими знаниями с читателями журнала.
Поскольку чёткого определения радиофотоники (microwave photonics) пока нет даже в Википедии, сделанное нами открытие [12] «явления
Электромагнитные волны и фотоны (в отличие от электронов) не обладают массой и зарядом, поэтому они обладают гораздо большей (чем электронные системы) дальностью, скоростью и шириной полосы пропускания сигнала, а также не подвержены воздействию внешних электромагнитных полей, что обеспечивает их работу на частотах порядка сотен ГГц со скоростью в сотни Гбит/с, а это на 5…6 порядков (!) больше, чем у электронных систем. Причём в перспективе могут быть созданы каналы связи с тера- и петабитной пропускной способностью. Без радиофотоники даже близко подступиться к таким частотам и скоростям принципиально невозможно, поскольку затухание электромагнитных сигналов на таких частотах будет составлять сотни дБ на каждые 100 м, не говоря уже о проблеме наводок и радиационной стойкости.
А все резервы повышения вычислительной мощности даже многопроцессорных систем, даже на единой кремниевой пластине и даже у мировых производителей практически исчерпаны, так как ограничены отводом тепла с пластины. Но радиофотоника позволяет решить и эти проблемы:
Именно поэтому без радиофотоники ни в настоящем, ни тем более в будущем принципиально не может быть ни многопроцессорных гипер- и квантовых компьютеров, ни новой радиолокации. Поэтому радиофотоника сегодня (особенно интегральная) — это действительно передний край обороны России. А «элементной базой» радиофотоники являются твердотельные терагерцовые приборы: лазеры, оптические волноводы, оптоэлектронные генераторы, усилители, дешифраторы, регистры, коммутаторы, динамическая и статическая память, фазовращатели, синтезаторы, смесители, умножители, УПЧ, оптические модуляторы,
Сначала рассмотрим классическое представление. Само явление полного внутреннего отражения, имеющего место на границе двух прозрачных для света диэлектрических сред, имеющих разные коэффициенты преломления, было экспериментально обнаружено на самых ранних стадиях изучения взаимодействия световых потоков с материалом прозрачной диэлектрической среды [15, 16] и в дальнейшем изучалось различными исследователями. При падении на интерфейс, разделяющий две прозрачные диэлектрические среды с различающимися показателями преломления, световой поток испытывает частичное отражение и частично проходит через интерфейс. Прошедшая часть излучения преломляется,
n2 sin φ2 = n1 sin φ1, (1)
где n1 и n2 являются коэффициентами преломления сред {1} и {2}, а φ1 и φ2 представляют собой угол падения исходно падающего потока и угол распространения его преломлённой части (рис. 1а), причём угол падения равен углу отражения потока, что было экспериментально установлено ещё во времена И. Ньютона [15].
Простейшим примером симметричного оптического волновода является стеклянная пластина в воздушном пространстве (в вакууме). Коэффициент преломления оптического излучения в воздухе (в вакууме) считается близким (или равным) единице. Коэффициент преломления света в стекле, как правило, близок к 1,5. Общепринятым подходом к описанию распространения потоков оптического излучения в такой световодной структуре является использование механизма многократного полного внутреннего отражения на поверхностях этой пластины, представляющих собой интерфейсы между средой с высоким коэффициентом преломления (стеклом) и средой, характеризующейся низким значением этого коэффициента: воздухом.
В соответствии с подходом Френеля амплитудные соотношения отражения на интерфейсе для потоков светового излучения разной поляризации ri и их проникновения из среды {2} в среду {1} ti (рис. 1а) определяются выражениями [16, 17, 18]:
(2)
(3)
Обозначения ⊥ и || указывают на поляризацию излучения, соответствуя волнам с электрическим вектором, перпендикулярным к плоскости падения (σ-компонента) и параллельным ей (π-компонента)
Фаза прошедшего через интерфейс светового потока для π и σ (параллельного и перпендикулярного плоскости падения светового потока) компонент излучения совпадает с фазой падающего потока. Фазы σ и π компоненты отражённого излучения будут запаздывать относительно падающего потока на 180° (π). Коэффициенты отражения и трансмиссии светового излучения, отвечающие за распределение энергии падающего на интерфейс потока между отражённым и прошедшим его компонентами, определяются квадратами соотношений амплитуд [18]:
(4)
(5)
Рис. 1а отражает принципиальные особенности, подтверждённые прямыми экспериментальными измерениями, для случая распространения первичного светового потока в среде {2}, характеризующейся меньшим значением коэффициента преломления (n1>n2). Наблюдаемое на рисунке уменьшение интенсивности отражения π-компоненты в точке φбр практически до нуля является следствием того, что вектор электрического поля света в среде перпендикулярен направлению распространения преломлённого потока, и вызванное им возбуждение диполей среды распространяется параллельно направлению отражения. Однако в этом направлении интенсивность дипольного излучения оказывается равной нулю [19]. Этот эффект впервые был экспериментально обнаружен Д. Брюстером в 1815 году [20] и впоследствии был детально исследован в целом ряде публикаций. Эти исследования показали, что при достижении критического угла Брюстера φбр, не удаётся полностью подавить интенсивность π-компоненты, как это, казалось бы, следует из уравнений Френеля.
В отличие от ситуации, когда исходный световой поток распространяется в среде с более низким показателем преломления (рис. 1а), его распространение в среде с более высоким значением этого параметра при наличии интерфейса со средой, характеризующейся более низким значением коэффициента преломления, приводит к появлению дополнительного эффекта, обусловленного явлением полного внутреннего отражения (ПВО) в области ϕкр (рис. 1б). В верхней части этого рисунка, демонстрирующей докритическое состояние (φ1<φкр), наглядно показано, что при переходе светового потока из среды с более высоким значением коэффициента преломления в соответствии с законом Снеллеуса имеем φ2>φ1. При достижении критического угла падения (φ1=φкр) значение угла φ2 становится равным 90°, а экспериментально наблюдаемые величины интенсивности отражённого и падающего потоков сравниваются и реально демонстрируют явление ПВО. Дальнейшее увеличение значения φ1 не меняет вещественной величины φ2. Поэтому принято считать, что в области ПВО угол преломления становится комплексным, а его косинус представляется мнимой величиной [17]:
(6) Перед корнем выбирается отрицательное значение знака, так как во второй среде в условиях ПВО ожидается затухание проникающего светового излучения [17]. В случае реализации явления ПВО амплитудные коэффициенты отражения и трансмиссии принимают более сложный вид [17, 21]. При этом оказывается, что в условиях полного внутреннего отражения фазы отражённого и проходящего во вторую среду потоков оказываются зависящими от угла падения φ1 [21].
Во второй среде в соответствии со схемой, приведённой на рис. 2, интенсивность светового поля для обеих поляризаций убывает экспоненциально.
Глубиной проникновения светового потока из среды {1} в среду {2} считается расстояние dp от интерфейса, разделяющего среды, до точки, на которой амплитуда вектора падающего потока уменьшается в «е» раз [22]:
. (7)
Поскольку механизм реализации явления полного внутреннего отражения связан с передачей энергии оптического потока из среды {1} в среду {2} с последующей её обратной передачей в первую среду, было логично предположить, что оптический фотон, упавший на интерфейс, разделяющий вторую и первую среды, под углом полного внутреннего отражения, будет эмитирован средой {2} в среду {1} с некоторым смещением относительно места его попадания. Это смещение, впервые экспериментально зарегистрированное немецкими учёными, принято называть сдвигом
. (8)
В соответствии с представленным выражением максимальный сдвиг
В соответствии с общепринятым подходом при рассмотрении распространения оптического потока в симметричном волноводе на базе многократного последовательного ПВО (рис. 3) из геометрических соображений можно получить характеристическое уравнение, определяющее собственные значения мод симметричного оптического волновода. Углы φ1, соответствующие этому уравнению, являются «магическими углами», определяющими сфазированность распространения потока. Реальные значения этих углов получаются на основании графического решения характеристического уравнения. При учёте сдвига
При нарушении самосогласованности каждое последовательное отражение приводит к перевозбуждению материала обкладок, вызывая последовательное уменьшение интенсивности распространяющегося потока. Таким образом, при падении на торец световода однородного непараллельного потока излучения, захватываемого световодом в угловой интервал, ограниченный двойным критическим углом ПВО, на его выходе будет реализован световой поток, структурированный в соответствии с набором разрешённых сфазированностью отражений, прошедших под «магическими» углами. Несфазированная часть исходного оптического потока потратит энергию на перевозбуждение материала обкладок,
Период стоячей оптической волны в возбуждаемых световым потоком локальных интерференционных полях определяется выражением:
. (9)
При отклонении светового луча на угол ∆φ1 период стоячей волны изменится на величину ∆Dφ, определяемую выражением:
(10)
При изменении длины волны на величину ∆λ период стоячей волны также изменится на величину ∆Dλ, соответствующую выражению:
. (11)
Величина ∆λ характеризует степень монохроматичности светового потока, падающего на световод, и фактически определяет уровень размывания интерференционной картины. Приравнивая величины ∆Dφ и ∆Dλ, можно оценить фактическую угловую ширину, которая допускает сфазированность последовательных полных внутренних отражений. Но при этом ∆Dφ должна быть взята в удвоенном значении, поскольку отклонение от «магических» значений может быть в обе стороны. В итоге получаем:
. (12)
Для оценки эффективности транспортировки потока оптического излучения на основе механизма многократного последовательного полного внутреннего отражения необходимо сопоставить угловую апертуру захвата оптического излучения световодом, составляющую двойной критический угол ПВО, что близко к 90°, и величину ∆φ1, умноженную на число разрешённых магических углов (или, как это принято говорить, на число мод), количество которых обычно не превышает 10. Поскольку отношение ∆λ/λ0 для световых потоков, формируемых лазерными структурами, не превышает величину 10-4, можно ожидать, что эффективность транспортировки потоков оптического излучения в соответствии с механизмом многократного последовательного ПВО будет менее 0,1%, что явно не соответствует практически наблюдаемой эффективности. А это означает, что реальное физическое распространение светового потока внутри световода осуществляется на основе несколько иного механизма распространения, нежели это предполагается в общепринятой классической трактовке механизма многократного последовательного полного внутреннего отражения. Так что же за механизм распространения светового потока внутри световода мы имеем на самом деле?
Особенность образования интерференционной картины стоячей оптической волны в условиях стационарного режима полного внутреннего отражения квазимонохроматического оптического потока состоит в том, что размер области интерференции в среде {1} (рис. 2) пространственно ограничен, в то время как интерференционное возбуждение в среде {2} распространяется на весь её объём. Ограниченность размера области интерференции в среде {1} связана с тем, что интерференционное взаимодействие исчезает, когда фазовый сдвиг между взаимодействующими оптическими потоками достигает значения π (180°) [18]. На первый взгляд представляется, что размер этой области определяется только величиной сечения падающего оптического потока. Однако физически он является прямым следствием степени монохроматизации потока отражаемой оптической радиации [18, 27]. Поэтому ширина зоны интерференционного поля стоячей оптической волны ограничена фазовым критерием [18]:
. (13)
Поскольку фаза оптической волны падающего излучения меняется на 180° (на «π«) на линейной дистанции, соответствующей полуволне, фазовые ограничения, накладываемые выражением (17), могут быть преобразованы в линейный масштаб:
, (14)
где параметр L представляет собой длину когерентности излучения, формально характеризующую продольный размер радиационного кванта [28]. Для оптического излучения этот параметр зависит от типа излучающей системы. Например, красная линия излучения атомов кадмия в газовой среде характеризуется средней длиной волны λ0 = 643,8 нм, а степень её монохроматичности определяется величиной ∆λ = 3×10-4 нм. Таким образом, длина когерентности этого излучения составляет 1,3 метра. А для высококогерентных лазерных источников оптических лучей этот параметр составляет сотни метров [29]. Поскольку для возникновения интерференции необходимо, чтобы продольный размер интерференционной зоны не превышал величины, определяемой выражением (18), эта величина и определяет с физической точки зрения продольный размер интерференционного поля стоячей оптической волны. При этом понятно, что в некоторых случаях этот параметр может конкурировать с шириной (или сечением) пучка падающего излучения. Оценки поперечного размера, выполненные на основе концепции пространственной когерентности [27], показали, что он совпадает с продольным размером,
Схема явления многократного последовательного полного внутреннего отражения в симметричном оптическом волноводе, представленная на рис. 3, позволяет отойти от трактовки распространения светового потока в световоде как явления многократного полного внутреннего отражения, описываемого в рамках геометрической оптики, и представить его более реалистично: с учётом появления набора локальных интерференционных полей стоячих оптических волн.
На рисунке представлена визуализация подхода, предполагающая появление локальных интерференционных зон как с учётом сдвига
Механизм распространения квазимонохроматического оптического потока в симметричном оптическом волноводе путём многократного последовательного полного внутреннего отражения вполне ожидаем, когда ширина световодного слоя превышает поперечный размер локальных областей интерференции стоячей оптической волны. В то же время возникает вопрос, что будет наблюдаться в случае сравнимости этих размеров и дальнейшего уменьшения ширины световодного слоя — что чрезвычайно важно для нано- и радиофотоники. В этом случае произойдёт слияние локальных интерференционных областей с образованием однородного интерференционного поля стоячей радиационной волны, как это было экспериментально доказано для случая распространения потока квазимонохроматического рентгеновского излучения в узком протяжённом щелевом зазоре [30, 31, 32]. Эффект образования однородного интерференционного поля стоячей оптической волны оказывается связанным лишь с соотношением ширины световодного слоя и поперечного размера ожидаемых локальных интерференционных полей, возникающих вследствие взаимодействия падающего и отражённого от одного из интерфейсов оптических потоков. Образование этого поля, показанного на рис. 4, не связано с углом падения оптического квазимонохроматического потока на торец световода,
Механизм распространения радиационных потоков в условиях образования однородного интерференционного поля стоячей радиационной волны во всем объёме
Поскольку этот механизм не связан с углом падения радиационного потока на торец световода, он позволяет почти полностью транспортировать излучение, захваченное им в апертуре двойного критического угла полного внутреннего отражения. При этом распределение интенсивности поля стоячей оптической волны внутри световодного слоя и за его пределами визуально может быть представлено на рис. 5.
Фактическое уменьшение интенсивности потока при его транспортировке оптическим волноводом связано с потерей энергии, потраченной на возбуждение объёмов материала обкладок и потери в нём и, собственно, с поглощением в световодном слое. Оценим распределение интенсивности поля стоячей оптической волны. Допустим, что световой поток интенсивностью w0 под некоторым углом φ<φкр попадает в световодный канал шириной s. В области входного торца волновода (х=0) происходит первое полное внутреннее отражение потока. Тогда полная интегральная интенсивность потока может быть представлена как сумма двух членов, составляющих его интенсивность в световодном слое L(φ,x=0) и интенсивность, связанную с возбуждением объёма материала обкладок М(φ,х=0).
. (15)
Функция L(φ,x=0) (см. рис. 5) может быть представлена выражением:
, (16)
где I(φ,z) является интенсивностью потока в световодном слое и представляется выражением:
, (17)
в котором R определяется выражением (4), а D — выражением (9). Функция, связанная с возбуждением объёма материала обкладок волновода, может быть представлена в виде:
, (18)
где dp является параметром глубины проникновения излучения в материал обкладок, определяемым выражением (7). При распространении радиационного потока в световодном слое, по мере углубления на расстояние х, его общая интенсивность W(φ,x) и его составляющие L(φ,x) и М(φ,х) будут уменьшаться вследствие наличия поглощения. Однако соотношение между этими величинами будет оставаться неизменным вследствие наличия однородности интерференционного поля стоячей оптической волны и неизменности интерфейсных граничных условий. Поэтому их взаимные соотношения будут связаны условиями:
; (19)
. (20)
При этом фактор β оказывается связанным с поглощением в материале световодного слоя, в то время как параметр α характеризует не только энергетические потери на возбуждение материала обкладок, но и поглощение в этом материале. Общие энергетические потери при транспортировке оптического потока на расстояние ∆х могут быть представлены в следующей форме:
, (21)
где µ2 представляет собой линейный коэффициент поглощения в материале световодного слоя, в то время как µ1 учитывает поглощение в материале обкладки и потери на возбуждение объёмов этого материала. Разделив обе части уравнения (20) на W(φ,0) и устремив ∆х к нулю, можно получить дифференциальное соотношение, определяющее энергетические потери на единицу пути транспортирования оптического потока:
. (22)
Интегрирование этого выражения в предположении начального условия w0=W(φ,0) позволяет получить основное уравнение для описания интенсивности потока квазимонохроматического оптического излучения:
. (23)
Поскольку поглощение оптического излучения в оптически прозрачных средах, как и энергетический вклад на возбуждение материалов в обкладках, представляет собой крайне малую величину, составляющую сотые доли процента на единицу пути транспортировки света, механизм
В 1980 году СССР находился на третьем месте (после США и Японии) по общему объёму выпуска электроники (по военной электронике — на втором). У Китая электроники вообще не было. В 2018 году Россия произвела всего 0,8% мирового объёма электроники (и лишь 0,04% мирового объёма кремниевых пластин), в то время как в Китае производилось уже 40% её мирового объёма.
Выступая 10 декабря 2019 года в отеле InterContinental на конференции «Электроника в России: будущее отрасли», заместитель председателя Правительства РФ Юрий Иванович Борисов, более десяти лет руководивший электронной отраслью страны, довольно смело покритиковал себя за прошедшие без малого два года своего
С тех пор прошло ещё два года, и нам, авторам, написавшим после этого выступления
А ведь за эти потерянные нами и страной годы наши отвергнутые государством предложения по созданию
Куда идёт российская полупроводниковая индустрия, если и слепому очевидно, что она 30 лет находится и будет находиться в состоянии стагнации, потому что в нашей стране в рамках свободного рынка и открытой конкуренции с Западом при существующей
А может быть, не должна? И вопрос это не риторический. В этой связи нам хотелось бы напомнить всем, что не так, как это делается сейчас, в своё время создавались электронная, атомная и космическая отрасли страны. Так не пора ли уже, как предлагается в басне
«Devil is in the detail(s)»
Обычно метрополия, монопольно (в лице ФРС) «печатающая» твёрдую валюту и в лице своего исполнительного органа (МВФ) управляющая руководством ЦБ колониальных стран, «регулирует» экономику
Торговые операции в валюте внутри
В результате закупки валюты у экспортёров у ЦБ колонии (независимой организации — неподвластной даже колониальной администрации!) образуется некоторое избыточное количество валюты. Этой валютой (но не только ей) и пополняется «кубышка» — золотовалютные резервы священного Резервного фонда ЦБ, которые раньше он имел право только копить себе на всякий пожарный случай (не закупать же, в самом деле, на них папуасам высокотехнологичные производства за рубежом!) или мог «сжигать» на валютной бирже, но исключительно якобы для стабилизации валютного курса. «Сжигать» (продавать) валюту — значит, в основном, дарить валюту разного рода спекулянтам. Из экономики при этом изымаются «фантики», и курс «фантиков» растёт. При закупке валюты «фантики», наоборот, вбрасываются в экономику Центробанком
Вместе с тем «фантики» обладают свойством портиться (терять стоимость по отношению к внешней валюте и, соответственно, терять свою покупательную способность) в результате такого удивительного и стихийного (в представлении папуасов) явления, как инфляция или потеря стоимости со временем. Но инфляция — это естественный процесс, присущий капиталитарной экономике, обусловленный монополизацией производства и существованием в ней паразитического «ссудного процента», являющегося узаконенной формой воровства, причём инфляция в самой метрополии бывает минимальной, а львиная её доля «экспортируется» в колонии. Инфляцию порождает не только произвол монополий, её разгоняет как сам ЦБ колоний своей ключевой ставкой, курсовой разницей и прочими «поборами», так и коммерческие банки: «ссудным процентом» и посредством банковского мультипликатора. В «социалистических» колониях, например, до «консенсуса» инфляции вообще не было. Цены каждый год снижались, и папуасы радовались этому: их благосостояние росло. Хранение валюты папуасами в банках метрополии тоже не вечно.
Помимо этого, свобода трансграничного движения капиталов открывает широкие возможности специальным спекулянтам метрополии для разного рода «игр» с текущим курсом «фантиков» колоний с неугодной администрацией, что также не только разгоняет инфляцию, но иногда приводит даже к «неожиданному» дефолту «фантиков»
Но денежная масса «фантиков» является кислородом, а сами «фантики» — кровью экономики
Искусственное создание дефицита денежной массы «фантиков» (сдерживающего развитие принудительно созданной «одноконтурной» экономики колонии и в первую очередь её наиболее высокотехнологичных отраслей), являющегося естественным результатом инфляции (а фактически продуктом «работы» монополий, ЦБ и коммерческих банков) и искусственно поддерживаемого МВФ (ФРС) и ЦБ
Вот и сказке конец, а мораль её в том, что конец «сказки» не за горами.
Точка зрения и мнения, высказанные авторами в статье, являются оценочными суждениями и не имеют целью унижение достоинства человека, либо группы лиц, оскорбление, или запугивание кого бы то ни было. Все персонажи и события «Сказки» являются полностью вымышленными, любое сходство между ними и реальными людьми, организациями и событиями совершенно случайно.
Биоразлагаемые источники питания: необычные технические решения и перспективы
В статье приводятся сведения об инновационных разработках безопасных биоразлагаемых элементов питания как предтечи создания съедобных электронных модулей и блоков для медицинской диагностики организма человека, повышения его живучести и приумножения энергетического потенциала. Черпая вдохновение в свойствах живых организмов, ферментов, использующих окислительно-восстановительные кофакторы для биогенераторов, автор представляет описание перезаряжаемой съедобной АКБ из доступных материалов в проекции создания и других природных источников возобновляемой энергии. 13.09.2024 СЭ №7/2024 671 0 0Россия и все остальные: перспективное партнёрство в области современных электронных технологий, поставок и кадров
В последние годы ориентация сотрудничества российских разработчиков РЭА с международными коллегами и цепочки поставок компонент для РЭА меняются. В ответ на вызовы времени идёт поиск новых поставщиков и новых зарубежных партнёров, рынки которых перенасыщены инвестициями и в целом – заняты. В этой ситуации в поиске взаимовыгодных путей применяют креативные решения. В обзоре рассматриваются временные трудности и перспективы, с которыми сталкиваются разработчики в России, а также особенности и решения, влияющие на достойный выход из кризиса. 13.09.2024 СЭ №7/2024 615 0 0Биометрические системы, информационные киоски (БИК), турникеты и шлюзы с АСО. Обзор оборудования, компонентов и особенностей установки
Повсеместно биометрическую идентификацию рассматривают как перспективный инструмент для быстрых и безопасных операций почти универсального (в самых различных сферах) применения. Несколько лет назад появились биометрические информационные киоски, турникеты и шлюзы. Эти модели постоянно совершенствуются. О новинках, связанных с расширением функционала и защиты современного оборудования, ставших возможными профессиональными усилиями разработчиков РЭА и производителей оборудования, предлагаем ознакомиться в нашем обзоре. Основной акцент в формате импортозамещения современной электроники сделан на серийные модели отечественных производителей. 04.09.2024 СЭ №6/2024 716 0 0Аккумулятор 18650 для радиоканала
Аккумуляторы 18650 имеют рабочие напряжения 3…4,2 В, что не позволяет использовать их непосредственно в схемах с 5-вольтовым питанием. В статье предложено схемное решение формирования требуемого значения напряжения методом накопления импульсов самоиндукции от дросселя. С целью уменьшения потребления энергии формируется режим «сна» для используемого микроконтроллера 12F675 и радиомодуля HC12 в комбинации с отключением общего провода других потребителей энергии электронным ключом на полевом транзисторе. Приведена методика расчёта длительности работы на аккумуляторе в режиме «измерение-сон». 02.09.2024 СЭ №6/2024 515 0 0