Фильтр по тематике

Решение задачи охлаждения SMD-компонентов с помощью тепловой перемычки ТПИ

В статье описаны новый чип-компонент и технические решения на его базе, обеспечивающие распределение тепла от теплонагруженных SMD активных и пассивных компонентов печатного узла. Снижение тепловыделения активных и пассивных компонентов на печатной плате при высокой плотности монтажа повышает надежность электронной техники.

20.06.2021 1049 0
Решение задачи охлаждения SMD-компонентов с помощью тепловой перемычки ТПИ

Повышение доли электронной техники, использующей технологию поверхностного монтажа, требует снижения мощности компонентов и тепловыделения печатных узлов, а там, где это невозможно в полной мере, – новых подходов в обеспечении тепловых режимов. Охлаждение SMD­компонентов затруднено конструктивно из­за их малых пространственных объёмов.

Теплорассеяние печатного узла в целом возможно увеличить общей принудительной конвекцией (обдувом вентилятором). При этом точечные перегревы компонентов снизить затруднительно. Относительно большие компоненты (например, микросхемы процессоров, памяти и т.п.) охлаждают дополнительными низкопрофильными радиаторами или тепловыми трубками [1].

Подобные решения широко применяют в ноутбуках. Но что делать при точечных перегревах компонентов размерами 0,5…1,0 мм? Необходимо распределить и рассеять тепловые потоки в менее нагруженные зоны печатного узла. Такие решения в самом простом случае реализуемы топологическими методами – достаточно увеличить монтажную площадку, чтобы рассеять лишнюю тепловую энергию. Однако при плотном монтаже площадь для рассеяния мощности ограничена, ужесточается требование электрической изоляции, в том числе от теплоотвода.

Электрическая прочность изоляции важна, в частности, в медицинской, автомобильной и другой технике, связанной с безопасностью персонала из­за возможных утечек, которые могут иметь место при повышенной плотности монтажа. В медицинской, автомобильной технике и различных отраслях промышленности также необходимо выполнение критерия взрывозащищённости при работе с кислородом, горючими газами и легковоспламеняющимися жидкостями, т.е. работа без искро­ и дугообразования. Для контроля электрической прочности изоляции оборудования проводят соответствующие испытания [2], и используемые электронные компоненты должны обладать заведомо большей стойкостью.

Для решения обеих проблем одновременно (распределения тепла и обеспечения электрической изоляции) и разработан новый пассивный чип­компонент, передающий тепловой поток и имеющий заданную электрическую прочность изоляции – тепловая перемычка типа ТПИ.

Разработка тепловой перемычки обусловлена требованиями новых технологий сборки и основана на достижениях современного материаловедения. Теплопроводность керамического основания тепловой перемычки lТ сопоставима с теплопроводностью металлов и составляет 170…200 Вт/(м·К). При этом электрическая прочность материала составляет величину порядка 15 кВ/мм, что и обеспечивает отличную электрическую изоляцию при сохранении передачи теплового потока.

На рисунке 1 схематично показан принцип функционирования тепловой перемычки. Тепловой поток от источника тепла (например, тепловыделяющей микросхемы) через керамическое тело и монтажные контакты тепловой перемычки поступает к приёмнику тепла (например, площадке с металлизированными отверстиями, заполненными припоем, или общей шине). Распределённый таким образом тепловой поток может рассеяться естественной конвекцией и/или перейти в дополнительный теплоотвод.


На рисунке 2 представлена типовая ситуация с ограниченным теплоотводом тепловыделяющего компонента на плате, приводящим к перегреву. Рисунок 3 иллюстрирует ту же ситуацию, но с установленной тепловой перемычкой для распределения тепла от тепловыделяющего компонента. Конечный теплоприемник на рисунке не показан. Тепловой режим компонента в данном случае улучшается.

Рисунок 4 иллюстрирует возможность повышения плотности монтажа, когда за счёт высокой электрической прочности (Uпр ≥ 1,5 кВ) и высокого сопротивления изоляции (Rиз ≥ 999 МОм) тепловых перемычек возможно использование единого электропроводного теплоотвода. Кроме того, подобным способом возможно поддерживать в едином температурном режиме активные компоненты, которые должны работать в паре, но не могут при этом быть соединёнными электрически (например, комплементарная пара транзисторов и др.).

Тепловые перемычки, ввиду нормированного переходного теплового сопротивления и электрической изоляции, возможно использовать для термостатирования режимов компонентов, требующих гальванической развязки с соответствующими датчиками, или иных аналогичных приложений.

Основным функциональным параметром тепловой перемычки является тепловое сопротивление, Rt [°С/Вт], в практически требуемых случаях определяемое геометрическими размерами [3]:

где L, H, B – длина, высота и ширина тепловой перемычки; λT = 170 Вт/(м·К) – теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия.

Характеристики тепловых перемычек типа ТПИ приведены в таблицах 1 и 2. 


Заключение

Тепловая перемычка ТПИ позволяет разработчикам:

  • отвести и распределить тепловые потоки от перегретых участков и компонентов печатного узла;
  • обеспечить электрическую изоляцию между источником и приёмником тепла;
  • обеспечить увеличение плотности монтажа за счёт гальванической развязки различных цепей при использовании единого теплоотвода;
  • обеспечить выравнивание температуры между компонентами, работающими в совместном режиме;
  • обеспечить гальваническую развязку датчиков при термостатировании компонентов, а также решать иные задачи.

Литература

  1. Дульнев Г. Н. Тепло­ и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре: Учебник для вузов по спец. «Конструир. и произв. радио­аппаратуры». – М.: Высш. шк., 1984. – 247 с. ил., с. 146–150.
  2. ГОСТ IEC 60950­1­2011 Оборудование информационных технологий. Требования безопасности. Часть 1. Общие требования
  3. Уонг Х. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров / Пер. с англ. // Справочник. – М.: Атомиздат, 1979. – 216 с., ил.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

20.06.2021 1049 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма.  Часть 5. Как были открыты плазмоны

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 5. Как были открыты плазмоны

Продолжаем серию статей о научном наследии Игоря Тамма. В предыдущих статьях мы рассмотрели, как его идеи, изложенные в статьях 1930–1950-х годов, повлияли на развитие нового научного направления «плазмоники», изучающего взаимодействие света с электронами в металлах и эффекты локализации света в объёмах меньше его длины волны. В частности, мы разобрали некоторые темы: современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны, фотонные кристаллы («Современная электроника» № 7–9, 2025), а также экситон-поляритоны и фонон-поляритоны («Современная электроника» № 4, 2026). В этой статье мы расскажем о том, как научное предвидение Игоря Тамма позволило правильно прогнозировать именно те направления исследований, где были открыты объёмные и поверхностные плазмоны.
27.07.2026 СЭ №6/2026 170 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Данная статья является продолжением работы «Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности» (Современная электроника. 2025. № 7. С. 39–43), в которой приведены экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля (И.К. Э-М. П.) ОНЧ-диапазона (600…3600 Гц), синхронно зарегистрированные на двух разнесённых по широте авроральных обсерваториях ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген) и Ловозеро (67,97º, 35,08º; Мурманская обл., РФ). Для сопоставления сейсмической активности с АЧХ и АВХ И.К. ОНЧ-сигнала использованы архивные данные норвежской сети NORSAR, а также приведены некоторые характеристики гелиогеофизических факторов, влияющих на состояние нижней ионосферы: вариации магнитного поля Земли (Hx, Hy, Hz) и временны́е периоды освещённости Солнцем нижних слоёв ионосферы (h < 90 км) в пунктах регистрации ОНЧ-сигнала. Приёмно-регистрирующая аппаратура, используемая на обсерваториях, выполнена по идентичной схеме и состоит из приёмника ОНЧ-диапазона со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн [1] и последовательного анализатора спектра импульсных сигналов [2].
24.07.2026 СЭ №6/2026 239 0

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться