Фильтр по тематике

Технология 5G в диапазоне миллиметровых волн

При разработке устройств для нового стандарта мобильной связи 5G требуется проведение ряда сложных измерений. В данной статье рассматриваются особенности проведения измерений load-pull в миллиметровом диапазоне.

10.10.2018 454 0
Технология 5G в диапазоне миллиметровых волн

Стандарт 5-го поколения мобильной связи, также известный как 5G, представляет собой новую ступень эволюции беспроводных коммуникаций. Он предназначен для высокоскоростной передачи данных, голоса, видео, а также для Интернета вещей, автомобилей, смарт-домов, смарт-городов, индустриальной автоматизации и т.д. Создание и развитие данной технологии возможно, если задействовать сразу несколько диапазонов частот – от низких мегагерцовых до сверхвысоких гигагерцовых. Для решения данной задачи потребуется большое количество исследований в области широкого диапазона от 450 МГц до 6 ГГц, в диапазоне 28–30 ГГц и миллиметровом диапазоне 37–39 ГГц.

Несмотря на наличие определённых проблем и особенностей, диапазоны миллиметровых волн имеют множество преимуществ в области беспроводной связи, включая более широкую полосу пропускания, более высокую скорость передачи данных, улучшенную защиту данных и высокую энергоэффективность.

Одной из значимых частей инфраструктуры, позволяющей реализовать данные преимущества в миллиметровом диапазоне волн, являются усилители мощности (УМ), которые должны быть разработаны для получения оптимальных характеристик. Под оптимальными характеристиками УМ подразумеваются высокие выходная мощность и коэффициент полезного действия при сохранении линейности на приемлемом уровне. Полезным инструментом в арсенале разработчика для получения требуемых характеристик УМ является методика load-pull.

Методика измерений load-pull

Процесс измерений load-pull представляет собой изменение импеданса, подключённого к тестируемому устройству (ТУ), чаще всего транзистору, с целью определения его характеристик на большом сигнале. Различные параметры ТУ (выходная мощность, усиление, КПД) измеряются или рассчитываются для различных значений импеданса. На рисунке 1 показаны контуры фиксированных значений выходной мощности и КПД.

С помощью данных контуров можно определить точку максимального значения интересующего параметра, скорость его изменения, а также оптимальный импеданс, обеспечивающий компромисс между различными критериями оптимизации.

Как работает load-pull? Для начала представим ТУ в виде двухполюсника, как показано на рисунке 2. Затем предположим, что сигнал a1 подаётся на первый порт ТУ. Часть этого сигнала будет доставлена в ТУ, в то время как другая часть, волна b1, будет отражена вследствие рассогласования между входным импедансом ТУ и импедансом источника. Рассмотрим также изменённый сигнал b2, который является выходным сигналом второго порта ТУ. Часть данного сигнала уйдёт в нагрузку, а другая часть отразится от неё в виде сигнала a2, что также является следствием рассогласования между выходным импедансом ТУ и импедансом нагрузки.

Амплитуда отражения ГL рассчитывается из соотношения:

В измерениях load-pull мы управляем амплитудой отражённого сигнала a2 на выходе ТУ, а также изменяем фазу отражённого сигнала. Другими словами, если достигается требуемый уровень сигнала a2, любой импеданс нагрузки, рассчитанный по формуле:

может быть подключён к выходу ТУ. Существуют две известные методологии управления импедансом на выходе ТУ: активный и пассивный load-pull.

Пассивный load-pull основывается на использовании механических тюнеров импеданса для варьирования амплитуды и фазы отражённого сигнала a2 и, следовательно, изменения импеданса нагрузки (см. рис. 3).


Амплитуда и фаза импеданса нагрузки устанавливаются путём изменения позиции зонда относительно осей Х и Y вдоль 50-омной воздушной линии (см. рис. 4). Амплитуда импеданса регулируется вертикальным движением зонда относительно 50-омной линии, фаза устанавливается перемещением зонда вдоль линии. Такими вертикальными и горизонтальными перемещениями зонда можно установить практически любой импеданс ГL<1 при условии достаточного уровня отражённого от нагрузки сигнала a2. Важно понимать, что , поскольку отражённый от нагрузки сигнал a2 всегда будет меньше b2 из-за потерь в СВЧ-тракте между выходом ТУ и тюнером импеданса.

Активный метод формирования импеданса в открытом контуре показан на рисунке 5. В данном методе нет необходимости использовать тюнер импеданса для отражения части выходного сигнала b2 и получения таким образом сигнала a2. Вместо этого для создания сигнала a2 используется генерация СВЧ-сигнала с требуемыми амплитудой и фазой. С помощью использования в цепи усилителя мощности можно достигать любого уровня сигнала a2 и, следовательно, любого коэффициента отражения ГL.

На первый взгляд, активный метод load-pull может показаться более совершенным по сравнению с пассивным ввиду отсутствия видимых ограничений на значение амплитуды коэффициента отражения ГL. На практике же величина может быть ограничена недостатком мощности, требуемой для формирования сигнала a2, который, в свою очередь, подаётся на выход ТУ.

Активный метод load-pull имеет ряд преимуществ перед пассивным. Среди них – значительное увеличение скорости измерений, покрытие всей области диаграммы Смита (теоретическая возможность достигать ГL>1). Данные преимущества обусловлены отсутствием необходимости в механических перемещениях и прямой генерацией сигнала a2, значение которого может превышать значение b2, и, соответственно, коэффициент отражения ГL может быть больше 1. Обратимся вновь к рисунку 5. Вследствие рассогласования между 50-омным усилителем и не 50-омным ТУ часть сигнала будет отражаться и возвращаться обратно к усилителю, и чем сильнее рассогласование, тем бо¢льшая часть сигнала вернётся. В случаях экстремального рассогласования существует вероятность того, что только 10% сигнала, доступного на выходе ТУ, будет действительно доставлено к ТУ. Таким образом, для выполнения данных измерений может потребоваться более мощный усилитель.

Гибридно-активный метод load-pull решает данную проблему с помощью предварительного согласования ТУ от сильно рассогласованного к умеренно рассогласованному, таким образом уменьшая мощность, требуемую для обеспечения того же сигнала a2 на выходе ТУ.

Во время измерений load-pull желательно иметь возможность получения «закрытых» контуров (когда оптимальное значение импеданса полностью окружено результатами измерений). В случае «открытого» контура существует вероятность того, что импеданс, соответствующий максиму искомой характеристики, не является оптимальным.

Измерения load-pull в диапазоне миллиметровых волн

Современные нитрид-галлиевые транзисторы (GaN) обладают выходным импедансом порядка 1–2 Ом, которому соответствуют значения Г = 0,96 и Г = 0,92. Для того чтобы иметь возможность получить так называемые «закрытые» контуры в результате измерений load-pull, амплитуды коэффициента отражения должны быть больше, чем амплитуда выходного импеданса ТУ.

В пассивной системе измерений load-pull амплитуда отражения в опорной плоскости ТУ может быть рассчитана следующим образом:

В случае типичных значений КСВН-тюнера, потерь в направленном ответвителе, кабеле и зонде на 30 ГГц, VSWRtuner = 20:1, ILcoupler+cable+probe= 2,5 дБ максимальное значение амплитуды коэффициента отражения снижается с Г = 0,9 в опорной плоскости тюнера импеданса до Г = 0,5 в опорной плоскости ТУ.

На рисунке 6 представлены результаты пассивных измерений load-pull GaN-транзистора на частоте 30 ГГц. Максимальная выходная мощность транзистора составляет 30,66 дБм. Нужно отметить, что контуры измеренных значений не «закрыты» и, следовательно, нет уверенности в том, что максимум выходной мощности определён верно.

Как уже было сказано ранее, гибридно-активные измерения load-pull помогают преодолеть ограничение амплитуды коэффициента отражения, имеющееся в пассивных измерениях load-pull, посредством активной инжекции сигнала для увеличения сигнала a2 и, таким образом, увеличения Г. Схема гибридно-активной системы load-pull представлена на рисунке 7. На рисунке 8 изображена измерительная load-pull-установка.

Формула, описывающая взаимосвязь между импедансом нагрузки, импедансом системы, инжектируемой мощностью и диапазоном подстройки, выглядит следующим образом:

где ZL – импеданс нагрузки, Zsys – импеданс системы, ZDUT – выходной импеданс ТУ.

Коэффициент K определяется формулой:

где ZL – активная мощность, инжектируемая на выход ТУ в опорной плоскости ТУ; Pb2 – выходная мощность ТУ, Z0= 50 Ом.

Амплитуда коэффициента отражения, возможная на выходе ТУ, может быть рассчитана по формуле:

Благодаря использованию усилителя мощности (40 дБм) и тюнера импеданса для преобразования импеданса системы из 50 в (23,17+28,12i) Ом стало возможным получить коэффициент отражения Г = 0,85 и успешно «закрыть» контуры измерений выходной мощности. Контуры, показанные на рисунке 9, демонстрируют максимум выходной мощности 31,12 дБм, полученный на том же GaN-транзисторе, то есть на 0,46 дБ или на 12% мощности больше, чем изначально определено в пассивных измерениях и «незакрытых» контурах.

Заключение

В связи с активной разработкой технологии 5G и большой конкуренцией на рынке решений в данном сегменте оптимизация мощности, коэффициента полезного действия и линейности является приоритетным направлением исследований. Небольшое преимущество в несколько децибел мощности или несколько процентов КПД может стать ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность разрабатываемых систем.

Гибридно-активные измерения load-pull помогают решить многие проблемы при разработке УМ, избавиться от неопределённости результатов и достигнуть практически идеального согласования. Таким образом, сторонники данной методологии получают заметное преимущество на рынке новейших разработок.

Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

10.10.2018 454 0
Комментарии
Рекомендуем
Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков

Модель потенциального рассеяния в задаче диагностики слоистых диэлектриков

Для решения ряда практических задач, связанных с идентификацией дефектов и повреждений в материалах, установлением состояния конструкций, выявлением неоднородностей в оптически непроницаемых средах и визуализацией их структуры, необходимо обрабатывать информацию, полученную дистанционно, что предусматривает оценку материальных параметров объектов исследования и установление их пространственного распределения. В отличие от математической теории обратных задач рассеяния, которая направлена главным образом на доказательство теорем о существовании и единственности решения, важное прикладное значение имеет разработка вычислительных процедур, которые позволят найти параметры рассеивателей при реальных условиях проведения измерений. Целью статьи является повышение эффективности средств оценивания параметров неоднородных сред по известному распределению рассеянного электромагнитного поля путём решения обратных задач рассеяния. Рассмотрен метод решения обратной задачи рассеяния по коэффициенту отражения для многослойных структур без потерь, высокая точность которого достигается за счёт конечного количества коэффициентов решений Йоста, что позволило избежать вычислений коэффициентов безграничных тригонометрических последовательностей в элементах матрицы рассеяния. Полученные результаты позволили осуществить оценку количества слоёв диэлектрической структуры, установить диэлектрическую проницаемость и ширину каждого слоя по значениям комплексного коэффициента отражения, который известен по результатам измерений на дискретном множестве частот в ограниченном диапазоне. Это дало возможность анализировать диэлектрические материалы неразрушающим методом и идентифицировать расслоение и отклонения параметров слоёв от технологически заданных значений. Разработан метод определения распределения диэлектрической проницаемости вдоль поперечной координаты в диэлектрических плоскослоистых структурах, и развитые алгоритмы идентификации поверхностей раздела по коэффициенту отражения нормально падающей плоской волны использованы как процедуры обработки сигналов в средствах подповерхностной радиолокации, что позволило избежать ложного обнаружения неоднородностей при анализе структуры сред.
04.07.2025 138 0

ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjd5pUmj
ООО «ИнСАТ» ИНН 7734682230 erid = 2SDnjbxbMrV
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться