Фильтр по тематике

Расстановка фанаутов в САПР TopoR

В статье описаны особенности процедуры расстановки фанаутов в САПР «TopoR», входящей в состав сквозной системы проектирования электроники «Delta Design» компании «Эремекс».

25.12.2017 764 0
Расстановка фанаутов в САПР TopoR

Расстановка фанаутов (от англ. fan out) – переходных отверстий, соединённых с рядом стоящей планарной контактной площадкой – стандартная процедура в системах автоматизированного проектирования топологии печатного монтажа. Как правило, она выполняется раньше автоматической трассировки, чтобы контактные площадки при прокладке проводников не оказались заблокированными.

На рисунке 1 показана ситуация, когда прокладка от крайних контактов проводников в противоположных направлениях блокирует возможность подхода других проводников (на выбранном слое) к контактам компонента.

Переходные отверстия, соединённые с рядом стоящей планарной контактной площадкой (см. рис. 2), обеспечивают возможность доступа к планарным контактам на всех слоях, что действительно снижает риск блокировки контактов.

Для компонентов с прямоугольным («матричным») расположением контактов риск блокировки контактов многократно возрастает, поэтому без фанаутов разводка планарных компонентов делается только с небольшим числом контактов [1, 2], а именно: если пропускную способность матричного расположения считать равной 1 (т.е. между соседними контактами может выйти только один проводник), то максимальное число соединений матрицы контактов, допускающее разводку на одном слое, равно 36 для квадратного расположения и 48 для прямоугольного. Варианты разводки соединения пар таких компонентов показаны на рисунках 3 и 4 соответственно.


Следует отметить, что наличие переходных отверстий, соединённых с рядом стоящей планарной контактной площадкой, – гарантия разводки проводников (отсутствия блокировки) при достаточном числе слоёв, но не на отдельном слое. Так, на показанном слое (см. рис. 5) из внутренней области выведено только четыре проводника вместо возможных 28 (по 7 каналов с каждой стороны).

Для BGA с большим числом контактов расстановка фанаутов является обязательной процедурой при использовании автотрассировки, но и при ручном проектировании наличие подобной автоматической процедуры позволяет существенно сокращать время проектирования.

Помимо BGA автоматически расставлять фанауты следует возле контактов, соединённых со слоями «земли» и питания, а вот расстановка фанаутов у других контактов планарных микросхем может оказаться вредной. Так, на рисунке 6 показан вариант трассировки фрагмента без предварительной расстановки фанаутов, а на рисунке 7 – с предварительной расстановкой. В первом варианте (см. рис. 6) площадь фрагмента в три с лишним раза меньше.

Задача автоматической расстановки фанаутов в области регулярных BGA, под которыми отсутствуют другие компоненты на другой стороне платы, тривиальна. В этом случае фанауты обычно расставляются от центра по квадрантам (см. рис. 8).



Та же задача для нерегулярных BGA (см. рис. 9 и 10) или для BGA, повёрнутых на угол, не кратный 90° (см. рис. 11), или при наличии компонентов с обратной стороны (см. рис. 11 и 12) уже не является тривиальной. Подход к решению этой задачи описан в [3]. Описанный в [3] подход реализован в САПР TopoR и появится в версии 6.4.


Для периферийных контактов BGA, проводники от которых могут быть разведены без перехода на другой слой (обычно контакты двух внешних рядов), фанауты не расставляются. Исключение составляют контакты BGA, соединённые со слоями «земли» и питания.

На рисунке 13 показан фрагмент платы с расставленными фанаутами (4471 переход). Время работы процедуры – около 3 с. Вручную это даже у опытного конструктора займёт до нескольких дней.

Если программа не находит варианта установки перехода вблизи эквипотенциального контакта без нарушений, переход устанавливается на контакт и выдаётся сообщение. Для устранения нарушений конструктору следует, используя редактор, самостоятельно найти решение, например, вынести какие­то двухполюсники за границу области BGA.

Литература

  1. Бессонов А.В., Кноп К.А., Лячек Ю.Т. Назначение межслойных переходов в области BGA­компонента. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2014. № 5.
  2. C. 13–17.
  3. Бессонов А.В., Лузин С.Ю., Попов С.И. Расстановка межслойных переходов в области BGA­компонента. Труды 15­й МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Т. 2. Украина, Одесса. 2014. C. 46–47.
  4. Кноп К.А., Лузин С.Ю., Лузин М.С., Сорокин С.А., Лячек Ю.Т. Расстановка фанаутов в области BGA с нерегулярным расположением контактов. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2017. № 4. C.31–34.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

25.12.2017 764 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма.  Часть 5. Как были открыты плазмоны

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 5. Как были открыты плазмоны

Продолжаем серию статей о научном наследии Игоря Тамма. В предыдущих статьях мы рассмотрели, как его идеи, изложенные в статьях 1930–1950-х годов, повлияли на развитие нового научного направления «плазмоники», изучающего взаимодействие света с электронами в металлах и эффекты локализации света в объёмах меньше его длины волны. В частности, мы разобрали некоторые темы: современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны, фотонные кристаллы («Современная электроника» № 7–9, 2025), а также экситон-поляритоны и фонон-поляритоны («Современная электроника» № 4, 2026). В этой статье мы расскажем о том, как научное предвидение Игоря Тамма позволило правильно прогнозировать именно те направления исследований, где были открыты объёмные и поверхностные плазмоны.
27.07.2026 СЭ №6/2026 169 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Данная статья является продолжением работы «Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности» (Современная электроника. 2025. № 7. С. 39–43), в которой приведены экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля (И.К. Э-М. П.) ОНЧ-диапазона (600…3600 Гц), синхронно зарегистрированные на двух разнесённых по широте авроральных обсерваториях ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген) и Ловозеро (67,97º, 35,08º; Мурманская обл., РФ). Для сопоставления сейсмической активности с АЧХ и АВХ И.К. ОНЧ-сигнала использованы архивные данные норвежской сети NORSAR, а также приведены некоторые характеристики гелиогеофизических факторов, влияющих на состояние нижней ионосферы: вариации магнитного поля Земли (Hx, Hy, Hz) и временны́е периоды освещённости Солнцем нижних слоёв ионосферы (h < 90 км) в пунктах регистрации ОНЧ-сигнала. Приёмно-регистрирующая аппаратура, используемая на обсерваториях, выполнена по идентичной схеме и состоит из приёмника ОНЧ-диапазона со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн [1] и последовательного анализатора спектра импульсных сигналов [2].
24.07.2026 СЭ №6/2026 222 0

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться