Фильтр по тематике

Конференция по российскому рынку микроэлектроники

4 июня 2013 года в префектуре Зеленоградского административного округа состоится важное событие для представителей науки, промышленности и инновационного бизнеса – Конференция по рынку микроэлектроники, ежегодно собирающая на своей площадке ключевых игроков отрасли.

01.04.2013 438 0
Конференция по российскому рынку микроэлектроники

После продолжительного кризиса российская микроэлектроника снова возрождается. Новая программа развития радиоэлектронной промышленности на 2015–2025 гг. и ускоренное внедрение инноваций ставят перед участниками отрасли амбициозные задачи. В их числе разработка проектов частно-государственного партнёрства и привлечение внебюджетных инвестиций в отрасль.


«Мы уверены, что недавние решения правительства РФ повысят значимость конференции по рынку микроэлектроники для представителей бизнеса, государственных структур, промышленности и научного сообщества, заинтересованных в инновационном развитии и повышении конкурентоспособности российских компаний», – заявила Алла Фамицкая, глава российского представительства SEMI, глобальной промышленной ассоциации, объединяющей производителей оборудования, материалов, технологий и услуг для полупроводниковой промышленности.

Конференция по рынку микроэлектроники пройдет 4 июня 2013 года в префектуре Зеленоградского административного округа в преддверии выставки полупроводниковой промышленности и смежных отраслей SEMICON Russia 2013. Партнёрами мероприятия стали международная аналитическая и консалтинговая компания Frost & Sullivan, а также зеленоградские «Ангстрем» и «Микрон». Организуемая с 2000 года конференция заслужила репутацию авторитетного и важного события для специалистов микроэлектроники и смежных с ней отраслей.

«Сегодня мировая электронная промышленность достигла практически дна продолжающегося трёхлетнего спада. Принимая во внимание цикличность отрасли длиною примерно в пять-восемь лет, можно с определённой долей уверенности сказать, что уже ближайшие два года станут наиболее благоприятными для начала её возрождения в России», – отметил Анкит Шукла, директор практики технологических исследований, Frost & Sullivan.

Цель проведения конференции – обеспечить специалистов эффективной площадкой для получения актуальной информации по рынку, выявления перспективных направлений для инвестиций, установления новых контактов и развития взаимовыгодного сотрудничества между российскими и зарубежными компаниями.


Традиционно в числе спикеров и участников конференции первые лица и топ-менеджеры лидирующих компаний по разработке и изготовлению интегральных схем, производителей оборудования и материалов для полупроводниковой промышленности, а также услуг, в которых нуждается отрасль, включая международных экспертов рынка, руководителей научно-исследовательских институтов, госкорпораций, крупнейших европейских кластеров, таких как IMEC, LETI, Фраунгоферовского Института и других научно-производственных структур. Со вступлением России в ВТО Конференция по рынку микроэлектроники приобретает особую актуальность и включает рассмотрение перечня вопросов, связанных с повышением конкурентоспособности и стратегией выживания российских компаний в новых экономических условиях.

Список тем, выносимых на обсуждение участников конференции, затрагивает вопросы государственной политики в области российской микро- и наноэлектроники, меры поддержки, новейшие полупроводниковые технологии, процесс разработки российской дорожной карты в области полупроводников, включая перспективные рынки для российской полупроводниковой промышленности.

www.semiconrussia.org

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

01.04.2013 438 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения  великого советского физика  Игоря Евгеньевича Тамма.  Часть 5. Как были открыты плазмоны

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 5. Как были открыты плазмоны

Продолжаем серию статей о научном наследии Игоря Тамма. В предыдущих статьях мы рассмотрели, как его идеи, изложенные в статьях 1930–1950-х годов, повлияли на развитие нового научного направления «плазмоники», изучающего взаимодействие света с электронами в металлах и эффекты локализации света в объёмах меньше его длины волны. В частности, мы разобрали некоторые темы: современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны, фотонные кристаллы («Современная электроника» № 7–9, 2025), а также экситон-поляритоны и фонон-поляритоны («Современная электроника» № 4, 2026). В этой статье мы расскажем о том, как научное предвидение Игоря Тамма позволило правильно прогнозировать именно те направления исследований, где были открыты объёмные и поверхностные плазмоны.
27.07.2026 СЭ №6/2026 169 0
Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности. Часть 2

Данная статья является продолжением работы «Примеры измерения импульсной компоненты электромагнитного поля ОНЧ-диапазона на фоне сейсмической активности» (Современная электроника. 2025. № 7. С. 39–43), в которой приведены экспериментальные данные импульсной компоненты естественного электромагнитного поля (И.К. Э-М. П.) ОНЧ-диапазона (600…3600 Гц), синхронно зарегистрированные на двух разнесённых по широте авроральных обсерваториях ПГИ Баренцбург (78,08°, 14,2°; арх. Шпицберген) и Ловозеро (67,97º, 35,08º; Мурманская обл., РФ). Для сопоставления сейсмической активности с АЧХ и АВХ И.К. ОНЧ-сигнала использованы архивные данные норвежской сети NORSAR, а также приведены некоторые характеристики гелиогеофизических факторов, влияющих на состояние нижней ионосферы: вариации магнитного поля Земли (Hx, Hy, Hz) и временны́е периоды освещённости Солнцем нижних слоёв ионосферы (h < 90 км) в пунктах регистрации ОНЧ-сигнала. Приёмно-регистрирующая аппаратура, используемая на обсерваториях, выполнена по идентичной схеме и состоит из приёмника ОНЧ-диапазона со взаимно ортогональным расположением приёмных рамочных антенн [1] и последовательного анализатора спектра импульсных сигналов [2].
24.07.2026 СЭ №6/2026 222 0

  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться