Монолитные интегральные схемы СВЧ на основе технологии GaAs MESFET
Алексей Голиков, Евгений Копылов, Татьяна Голикова
С развитием технологии MESFET на GaAs стало возможным производство интегральных схем СВЧ. В России лишь несколько предприятий не утратили технологию производства ИС и модулей с рабочими частотами свыше 100 ГГц. В данной статье описаны интегральные схемы UHF- и S-диапазонов – усилителей промежуточной частоты, усилителей мощности, двойных балансных активных модуляторов и демодуляторов, коммутаторов – в корпусном и бескорпусном исполнении. Приборы реализованы на основе технологии GaAs MESFET с проектными нормами 0,5 мкм.
Если вам понравился материал, кликните значок
— вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии
: возможно, они будут полезны другим нашим читателям!