В статье проанализировано влияние проникающей радиации на параметры основных интегральных элементов. Рассмотрены конструктивнотехнологические особенности транзисторов, предназначенных для реализации аналого-цифровых компонентов радиационно-стойких микроэлектронных устройств типа «система в корпусе».
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
