Методы идентификации параметров моделей интегральных транзисторов. Часть 4. Альтернативные методы идентификации параметров модели биполярных транзисторов
Олег Дворников, Юрий Шульгевич
Рассмотрена модель Шихмана–Ходжеса, приведены математические соотношения для расчёта параметров модели с помощью конструктивно-технологических и электрофизических параметров, описана идентификация параметров на основе результатов электрических измерений.
Если вам понравился материал, кликните значок
— вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии
: возможно, они будут полезны другим нашим читателям!