Современная электроника №4/2026

ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ 25 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2026 ваний, с учётом элементной базы, схе- мотехники и конструкции, которые в начале определяются приближенно, а затем (в процессе проектирования) уточняются. Несмотря на большое количество вариантов построения СУ ЭП, можно выделить следующие основные пять вариантов их струк- туры, отличающихся элементной базой, схемотехникой и конструкци- ей (рис. 4–7): ● ЛСУ и ЦСУ реализованы на базе двух или трёх МК: МК1 управляет АВН, МК2 – АИН, а МК3 выполняет функ- ции ЦСУ (рис. 4а), или МК1 управ- ляет АВН и АИН, а МК2 выполняет функции ЦСУ (рис. 4б); ● ЛСУ реализованы на базе одной или двух ПЛИС (СИС), а ЦСУ построено на базе МК: ПЛИС1 управляет АВН, ПЛИС2 – АИН, а МК выполняет функ- ции ЦСУ (рис. 5а), или ПЛИС управ- ляет АВН и АИН, а МК выполняет функции ЦСУ (рис. 5б); ● ЛСУ реализованы на базе одного или двух МК, а ЦСУ построено на ба- зе ПЛК: МК1 управляет АВН, МК2 – АИН, а ПЛК выполняет функции ЦСУ (рис. 6а), или МК управляет АВН и АИН, а ПЛК выполняет функции ЦСУ (рис. 6б); ● ЛСУ реализованы на базе одной или двух ПЛИС (СИС), а ЦСУ постро- ено на базе ПЛК: ПЛИС1 управляет АВН, ПЛИС2 – АИН, а ПЛК выполня- ет функции ЦСУ (рис. 7а), или ПЛИС управляет АВН и АИН, а ПЛК выпол- няет функции ЦСУ (рис. 7б); ● ЛСУ и ЦСУ реализованы на базе од- ного МК, который управляет АВН, АИН и выполняет функции ЦСУ (рис. 7в). Примечание: в вариантах 1, 2 и 5 к ЦСУ может быть подключён ПЛК (пунктирные линии на рис. 4, 5 и 7), который будет расширять её возмож- ности по входам/выходам и интерфей- сам. В вариантах 3, 4 ЦСУ реализова- на на базе ПЛК, поэтому она не имеет ограничений по входам/выходам и интерфейсам. Приведённые выше варианты струк- туры СУ ЭП имеют несколько подвари- антов, которые отличаются конструк- цией, – в зависимости от количества плат, на которых они расположены. Например, в первом и втором вариан- тах в случае применения трёх МК или двух ПЛИС (СИС) и МК они могут быть расположены на трёх платах (рис. 8а), двух платах (рис. 8б) или одной пла- те (рис. 8в). При использовании двух МК или одной ПЛИС (СИС) и МК они могут быть расположены на двух пла- тах (рис. 8г) или одной плате (рис. 8д). В третьем и четвёртом вариантах в случае применения двух МК или двух ПЛИС (СИС) они могут быть рас- положены на двух платах (рис. 9а) или одной плате (рис. 9б). При использова- нии одного МК или одной ПЛИС они располагаются на одной плате. Пятый вариант построения СУ ЭП является одноплатным, и он требует применения высокопроизводительно- го МК, имеющего достаточное коли- Рис. 5. Структура СУ ЭП – вариант 2 Рис. 6. Структура СУ ЭП – вариант 3