Уважаемые читатели!
В декабре отмечается 60-летие изобретения транзистора.
Разумеется, говоря об изобретении транзистора, нельзя не вспомнить отцов-основателей этого полупроводникового прибора, американских ученых У. Шокли, Д. Бардина и У. Браттейна. После долгих экспериментов, проб и ошибок им, наконец, удалось добиться эффекта усиления электрического сигнала германиевым кристаллом. Произошло это знаменательное событие 15 декабря 1947 г. Много воды утекло с тех пор, и много песка переработано на транзисторы и микросхемы. Современные транзисторы напоминают тот первый образец разве только числом выводов. Но, радуясь успехам американских и японских ученых, успешно развивающих полупроводниковые технологии, нельзя не задуматься о судьбе российской электроники.
Отечественная история развития полупроводниковой техники не так богата именами и событиями, как того хотелось бы. Виной тому можно назвать чередующиеся войны, разрухи и репрессии, не давшие возможность раскрыться талантам многих российских учёных и изобретателей. Но думаю, что основная причина – в экономической и идеологической несостоятельности существовавшей в те годы политической системы. Даже в лучшие времена доктрина развития российской электроники сводилась к повторению зарубежных образцов транзисторов и микросхем. Таким образом, наше отставание от мирового уровня было изначально заложено тогдашними идеологами. Остаётся надеяться, что сейчас, наконец, Россия сможет реализовать свой быстрорастущий экономический потенциал также и в развитии электронных технологий.
Интересно, что ещё в 1922 г. нижегородский радиолюбитель Лосев обнаружил способность карбида кремния детектировать радиосигналы. Обратите внимание, какой интересный круг совершил этот на время забытый материал: от первых любительских детекторов до современных силовых и СВЧ-транзисторов с рекордными параметрами. Да и германий снова стал использоваться в СВЧ-приборах. Кстати, этот выпуск журнала также посвящён СВЧ-электронике. Надеюсь, он будет вам интересен. Приятного чтения!
С наилучшими пожеланиями,
Александр Майстренко
К материалам журнала «Современная электроника» №1 / 2008
