Современная электроника №6/2026

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 15 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 6 / 2026 Рис. 1. Синтезированные схемы: а) решение 1; б) решение 2; в) решение 3; г) решение 4 взаимные переотражения при каска- дировании разрядов, которые приво- дят к ухудшению амплитудно-фазовых характеристик аттенюатора в целом. В отличие от традиционного ручного проектирования, в котором инженер- разработчик последовательно анализи- рует ограниченное количество заранее известных схемных решений, исполь- зуемый подход обеспечивает автома- тическое исследование существенно более обширного пространства воз- можных структур за минимальное время. Синтез схемного решения: анализ и обсуждение результатов После задания исходных требований было выполнено несколько запусков процедуры синтеза. В результате рабо- ты программы 50ohmTech Circuit Studio получено множество решений, которые отличаются электрическими характе- ристиками, количеством КЭ и сложно- стью структур для последующей топо- логической реализации. На рис. 1а–г приведены некоторые из синтезиро- ванных схем, а в табл. 1 представлены их основные характеристики. Решение 1 содержит 3 КЭ, отли- чается наименьшими вносимыми потерями, наиболее просто в после- дующей доработке и имеет мини- мальные габариты, но не удовлетво- ряет требованиям по фазовой ошибке и уровню входной мощности при ком- прессии коэффициента передачи на 1 дБ (P Вх1дБ ). Остальные решения обе- спечивают выполнение всех требова- ний, однако предполагают более слож- ные структуры и большее количество КЭ. Таким образом, результаты синте- за показали, что увеличение количе- ства КЭ позволяет уменьшить фазовую ошибку, но приводит к усложнению схемы и потенциально к росту площа- ди кристалла. В некоторых случаях программа син- теза генерировала структуры с элемен- тами, незначительно влияющими на характеристики устройства, например, короткими отрезками линий переда- чи. Такие элементы считались избы- точными: они либо служили основани- ем для дополнительных ограничений на структуру схемы, либо исключались на этапе подготовки топологии. При выборе схемного решения учи- тывались не только электрические характеристики, но и факторы, вли- яющие на топологическую реализа- цию устройства: сложность трасси- ровки и доработки топологии, а также ожидаемую устойчивость параме- тров после электромагнитного анали- за (ЭМ-анализа). Некоторые решения, несмотря на удовлетворительные элек- трические характеристики, содержали структуры, неудобные для трассиров- ки. Это могло привести к увеличению площади кристалла и росту паразит- ных связей. Из-за этого итоговые харак- теристики после разработки топологии и ЭМ-анализа могли существенно отли- чаться от результатов синтеза. Таким образом, окончательный выбор схемного решения базировал- ся не только на формальном соответ- ствии установленным требованиям к электрическим характеристикам, но и на комплексной оценке практических факторов, влияющих на последующую реализацию устройства. G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S G D S а) в) б) г)