Современная электроника №4/2026

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 51 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2026 НОВОСТИ МИРА. ЧИТАЙТЕ НА ПОРТАЛЕ WWW.CTA.RU TSMC переносит передовые техпроцессы в Японию: к 2028 году – запуск 3-нм производства Япония усиливает позиции в глобальной полупроводниковой гонке: TSMC планирует развернуть массовое производство 3-нм чи- пов на втором заводе в стране к 2028 году. Этот шаг знаменует переход от «зрелых» техпроцессов к передовым узлам и отра- жает растущую стратегическую роль Япо- нии в цепочках поставок микроэлектроники. Переход к передовым нормам Новый завод будет выпускать до 15 000 кремниевых пластин диаметром 300 мм еже- месячно с использованием 3-нм техпроцес- са – одного из наиболее продвинутых, до- ступных для коммерческого производства. Для сравнения, действующее предприятие TSMC в Японии, запущенное в 2024 году, со- средоточено на узлах 40 нм, 28 нм и 12/16 нм. Таким образом, речь идёт о качествен- ном скачке: локализация производства пе- редовых чипов в Японии ранее не была ха- рактерна для стратегии компании. Инвестиции и промышленный альянс Проект реализуется через совместное предприятие Japan Advanced Semiconductor Manufacturing, созданное при участии Sony Group. Позднее к числу инвесторов присое- динились Denso и Toyota Motor Corporation. Совокупные инвестиции TSMC в два японских завода уже превышают 20 млрд долларов. Стоимость второго предприятия, по оценкам, может достигать около 17 млрд долларов, что делает его одним из круп- нейших индустриальных проектов в стране. Ставка на ИИ и автопром Запуск 3-нм производства ориентиро- ван на удовлетворение спроса со стороны наиболее быстрорастущих сегментов: ис- кусственного интеллекта, автомобильной электроники и потребительских устройств. Особенно показательно участие Toyota Motor Corporation и Denso – автопром всё активнее зависит от передовых полупровод­ ников, включая решения для автономного вождения, ADAS-систем и электромобилей. Геополитика чипов Расширение присутствия TSMC в Японии укладывается в глобальный тренд диверси- фикации производства и снижения рисков, Технологический разрыв и шанс на до- гоняющее развитие Несмотря на значительные запасы ред- коземельных металлов, Россия пока суще- ственно уступает мировым лидерам по уров- ню их переработки. По оценкам, на страну приходится около 17% мировых запасов РЗМ (около 28,5 млн тонн), однако доля в гло- бальном производстве составляет менее 1%. Абсолютным лидером остается Китай, контролирующий около 70% добычи и бо- лее 85% поставок переработанных редкозе- мельных материалов. Это формирует устой- чивую зависимость глобальных цепочек по- ставок от китайской переработки. На этомфоне разработки НИТУ МИСИС вы- глядят как попытка сократить технологический разрыв за счёт повышения эффективности базовых химико-технологических операций. Упрощение процессов, снижение энергоза- трат и отходов напрямую влияют на эконо- мику производства и его масштабируемость. Индустриальный контур: ставка на Арктику Параллельно с научными инициативами формируется и промышленная инфраструк- тура. В частности, власти Мурманской обла- сти прорабатывают создание специализиро- ванного индустриального парка по перера- ботке редкоземельных металлов. Арктическая зона России играет ключе- вую роль в отрасли: на неё приходится до 97% разведанных запасов и фактически вся добыча РЗМ в стране. Создание перераба- тывающих мощностей вблизи сырьевой ба- зы может снизить логистические издержки и ускорить формирование полного произ- водственного цикла. Перспективы внедрения Эксперты отмечают, что предложенные методы обладают высокой конкурентоспо- собностью за счёт технологической просто- ты и ресурсной эффективности. При успеш- ной индустриализации они могут стать ос- новой для развития отечественной цепочки производства материалов для электрони- ки – от сырья до конечных компонентов. В условиях глобальной конкуренции за редкоземельные ресурсы и растущего спро- са со стороны ИИ, энергетики и микроэлек- троники такие решения становятся не про- сто научным достижением, а элементом тех- нологического суверенитета. связанных с концентрацией мощностей в отдельных регионах. Для Японии это часть системной страте- гии по восстановлению национальной полу- проводниковой отрасли и снижению зави- симости от внешних поставщиков. На фо- не усиливающейся конкуренции за доступ к передовым техпроцессам страна стремит- ся вернуть себе статус одного из ключевых технологических центров. С учётом параллельных инициатив, вклю- чая проекты Rapidus по разработке 2-нм и более тонких норм, формируется новая ин- дустриальная архитектура, в которой Япо- ния может занять роль одного из узлов гло- бального производства чипов следующего поколения. Редкоземельный прорыв: в России упростили производство критических материалов для электроники Российские учёные предложили новые энергоэффективные технологии получения соединений редкоземельных металлов, спо- собные существенно снизить себестоимость и экологическую нагрузку производства. Раз- работки, созданные в НИТУ МИСИС, уже за- патентованы и рассматриваются как база для масштабирования в промышленности. Ускорение химии: в разы быстрее и чище Речь идёт о двух ключевых процессах: получении карбоната неодима и диоксида церия, широко используемых в электрони- ке, энергетике и оптике. В первом случае учёные предложили метод осаждения карбоната неодима из концентри- рованных азотнокислых растворов с приме- нением насыщенных углеаммонийных солей. В отличие от традиционных подходов, техно- логия не требует длительной перекристалли- зации и нагрева. Это позволило увеличить производительность примерно в 10 раз и со- кратить объём отходов минимум в пять раз. Карбонат неодима является стратегиче- ским промежуточным продуктом: из него по- лучают материалы для сверхсильных маг- нитов, применяемых в электродвигателях, ветрогенераторах и электронной технике. Вторая разработка касается получения ди- оксида церия. Учёные предложили использо- вать СВЧ-нагрев суспензии карбоната церия, что позволяет заменить многочасовое про- каливание обработкой длительностью все- го 1–2 минуты. При этом исключаются ста- дии промывки и сушки, а итоговый порошок приобретает сфероидальную форму с высо- кой долей мелкодисперсных частиц – кри- тически важное свойство для высокоточной полировки стекла и дисплеев.