Современная электроника №4/2026

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 48 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2026 противоположные направления, то были бы разведены все фанауты. В Xpedition, в отличие от остальных САПР, есть другая опция для создания фанаутов: команда F2 для выбранно- го набора пинов (не обязательно из одной компоненты). Она не имеет никаких настроек и разводит фанау- ты один за одним, при этом умея тол- кать другие объекты (треки и ПО), если этого требует соблюдение зазо- ров. Эта команда имеет полноценную поддержку дифпарности. Более того, дифпарные фанауты являются симме- тричными (рис. 7). Поскольку диаметры ПО боль- ше поперечника пинов, дифпарные фанауты разведены не отрезками, а «клюшками». Из-за этого соседние дифпары вынуждены разводиться в разные стороны. В данном случае это не создаёт проблем, но может приве- сти к неполной разводке при наличии других пинов поблизости компонен- ты (рис. 8). Заметим, что дифпарные фанауты можно было бы развести отрезками и разместить все фанауты в одном направлении. На рис. 9 приведён при- мер такой разводки двух соседних дифпар в одном направлении. У этого подхода есть известный недо- чёт: фанауты внутри дифпары будут разной длины. Это не имеет значения для низкочастотных цепей, однако крайне нежелательно для высокоча- стотных. В любом случае, полезно дать пользователю возможность управлять видом дифпарных фанаутов. Постановка задачи Как видно, все описанные способы построения фанаутов с помощью пат- тернов имеют определённые недостат- ки. Попробуем сформулировать задачу при построении фанаутов для произ- вольного набора пинов: создать мак- симальное число максимально корот- ких фанаутов при соблюдении правил DRC и дифпарности. Разумеется, при этом желательно соблюдать другие правила: «хороший» выход треков из пина (качество пад- энтри), симметричность дифпарных фанаутов и т.д. Отдельно стоит вопрос о пригодности фанаутов для последу- ющей трассировки, например, с помо- щью эскизного трассировщика пучков ЭТП [3]. Попытаемся описать (как нам кажется, довольно универсальный) подход для решения этой задачи в рамках системы DD. Как отмечалось, режим RightPCB работает, избегая нарушений DRC. Существенным огра- ничением этого режима по сравнению с ведущими САПР является невозмож- ность «толкать» существующие объ- екты при трассировке. Это касается и ЭТП. Поэтому такое же ограничение имеет место и для нашего подхода к созданию фанаутов. Второе ограничение: как и ЭТП, мы будем создавать только «регулярные» треки для фанаутов (т.е. с сегментами в одном из 8 направлений, кратных 45 градусам). Предположим, что мы научились создавать некоторый набор фана- утов для каждого отдельно взято- го пина без нарушений DRC с суще- ствующими объектами ПП. Скажем, для нижнего пина на рис. 10 мы можем рассмотреть 4 варианта фана- утов (все – отрезками). Для «угловых» пинов над ним – 5; 3 варианта (заме- тим, что один из вариантов имеет фор- му «клюшки» из-за соблюдения зазора ПО – Пин). Маленькие кружки обозна- чают центры потенциальных ПО. Для BGA-пинов можно пробовать все 8 направлений (рис. 11). На перифе- рии плотной области предпочтитель- нее не диагональное, а ортогональное направление, чтобы создать каналы трассировки (красные прямоугольные пины находятся на противоположном слое и ограничивают наши варианты). Центральный шаг построения сво- дится к тому, чтобы для каждого пина выбрать один из вариантов, не созда- вая DRC с другими фанаутами. Если это невозможно сделать сразу для всех пинов, надо постараться сделать это для наибольшего их числа. Сформу- лируем такую задачу на языке мате- матики. Пуст ь мы имеем N множеств элемен- тов S(1),… S(N). Каждое множество S(i) состоит из элементов e(i, 1),… e(i, n(i)), Рис. 10. Потенциальные варианты фанаутов для трёх SMD-пинов Рис. 11. Потенциальные варианты фанаутов для двух BGA-пинов Рис. 12. Полная расстановка фанаутов Рис. 13. Фанауты с короткими прямыми треками