Современная электроника №4/2026

ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ 14 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2026 Импульс управления симистором I у формируется в момент равенства синхронизирующего напряжения пилообразной формы U п , синфазно- го с напряжением сети U c , и управля- ющего напряжения U у . При измене- нии величины U у , то есть смещении его по вертикали, происходит измене- ние величины угла управления сими- стора α (α1 > α2 > α3) и, соответствен- но, среднего значения тока в нагрузке Iн. Временны́е диаграммы работы ФСУ тангенциального типа представлены на рис. 4. Импульс токам управления I у фор- мируется в момент сравнения пило- образного напряжения U п с напряже- нием постоянного уровня U 0 = const. Изменяя угол наклона между U п и U 0 (v1 < v3 < v3), можно регулировать угол включения симистора α (α1 > α2 > α3). U п при этом должно быть синхрони- зировано с сетевым напряжением U c . ФСУ горизонтального типа использу- ют принцип формирования импульса управления симистора по углу фазово- го сдвига управляющего напряжения. В качестве фазосдвигающих устройств применяются фазорегуляторы, различ- ные фазосдвигающие цепочки. Фазовое регулирование с применением аналогового ФСУ Принципиальная схема фазового регулятора мощности c фиксирован- ными значениями установленной выходной мощности, выполненного на дискретных элементах, приведе- на на рис. 5. Рассмотрим функциональные узлы устройства, представленного на рис. 5. Источник питания выпол- нен на следующих элементах: дио- ды VD1, VD2; стабилитрон VD3; кон- денсаторы С1…С2; резистор R1. Узел контроля перехода сетевого напряже- ния через «нуль» выполнен на тран- зисторах VT1, VT2 и резисторах R2…R4. Транзистор VT1 включён по схеме с общим эмиттером. При положитель- ном полупериоде сетевого напряже- ния транзистор VT1 открыт и входит в насыщение. Напряжение на его коллекторе близко к эмиттерному. Транзистор VT2 при этом закрыт. При отрицательном полупериоде сетевого напряжения закрыт транзистор VT1. Транзистор VT2, включённый по схе- ме с общей базой, открыт и насыщен. Напряжение на его коллекторе имеет тот же знак и амплитуду. Когда сете- вое напряжение по абсолютному зна- чению меньше, чем 40…50 В, VT1 и VT2 закрыты и напряжение на их кол- лекторах близко к значению напря- жения на выводе 7 микросхемы DD1. Сигнал с выводов коллекторов VT1 и VT2 через инвертирующий элемент микросхемы DD1.1 и через эмиттер- ный повторитель, выполненный на транзисторе VT3, заряжает конденса- тор С4 до уровня напряжения источ- ника питания. Если переключатель SA1 установлен в положение «1», то конденсатор С4 разряжается через резисторы R5, R6, R12. При снижении напряжения на нём до определённого порогового значения элементы DD1.2 и DD1.3 переключаются. Спад импуль- са с выхода элемента DD1.3 диффе- ренцируется цепью С5 R13 в виде импульса длительностью порядка 12 мкс. Данный импульс через инвер- тор DD1.4 и транзистор VT4 включает симиcтор VS1. Переключателем SA1 можно регулировать длительность разрядки конденсатора С4. То есть изменять момент включения сими- стора VS1 и эффективное напряжение на нагрузке. Принципиальна схема Рис. 5. Принципиальная схема фазового регулятора, выполненного на дискретных элементах Рис. 6. Принципиальная схема фазового регулятора с применением динистора в цепи управления симистора Рис. 7. Внешний вид микросхемы К1182ПМ1