Современная электроника №3/2026

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 35 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 3 / 2026 щих излучений космического про- странства и других воздействующих факторов внешней среды. Компания M.S. Kennedy для производства своих изделий применяет радиационно- стойкие кристаллы, которые обеспе- чивают стойкость к эффекту полной накопленной дозы 100 крад (Si). Микросхемы линейных стабили- заторов напряжения с малым паде- нием напряжения на регулирующем элементе предприятия XMTI, основные характеристики которых представле- ны в табл. 2, характеризуются стойко- стью к эффекту полной накопленной дозы 50 крад (Si), только для двух моде- лей значение этого параметра указа- но 100 крад (Si). Стабилизаторы напряжения, выпу- скаемые предприятием XMTI для при- менения в изделиях космического приборостроения, изготавливают- ся по биполярной технологии в виде монолитных интегральных микро- схем, все элементы которых выпол- няются на одной общей кремниевой подложке. Для уменьшения влияния ионизирующего излучения на элек- трические параметры устройств для изоляции элементов схемы применя- ется изоляция диэлектрической плён- кой, в качестве которой применяется слой двуокиси кремния SiO 2 . Примене- ние диэлектрической плёнки для раз- деления отдельных элементов микро- схемы приводит к уменьшению токов утечки и исключает образование пара- зитных транзисторных структур. Основным недостатком диэлектри- ческой изоляции является увеличение числа технологических операций и, соответственно, стоимости. Как отме- чалось ранее, линейные стабилиза- торы напряжения состоят из блоков, которые выполнены на основе раз- личных структур и имеют схемотех- нические особенности. Для повыше- ния уровня радиационной стойкости каждого блока стабилизатора напря- жения применяются различные кон- структивно-технологические приёмы и схемотехнические меры, подбирают- ся оптимальные режимы работы, кото- рые подробно рассмотрены в много- численной литературе [2], [3]. Для повышения радиационной стойкости микросхемы горизонталь- ный (боковой, продольный, латераль- ный) p-n-p -транзистор, который имеет низкую устойчивость к воздействию радиации, заменяется на транзистор с вертикальной структурой. Вместо диффузионных резисторов применя- ются тонкоплёночные резисторы – диффузионные резисторы, так же, как и транзисторы, при высоком уровне ионизации закорачиваются фотото- ками. Применяются также поликрем- ниевые высокоомные и низкоомные резисторы. Линейные стабилизаторы напряже- ния являются одними из самых уязви- мых узлов, причём модели с малым выходным напряжением (до 5 В) демонстрируют более низкий уро- вень параметрического отказа по срав- нению с моделями с бо́льшим уров- нем выходного напряжения (от 5 В и более). При воздействии стационарно- го ионизирующего излучения радиа- ционную стойкость устройства будут определять микросхемы с малым уров- нем выходного напряжения [4]. Наи- более чувствительным к воздействию импульсного ионизирующего излуче- ния и дозовым эффектам облучения является выходное напряжение, при- чём стабилизаторы напряжения отри- цательной полярности более чувстви- тельны к эффектам мощности дозы, дозовая деградация параметров стаби- лизаторов замедляется при уменьше- нии напряжения питания. Далее более подробно рассмотрим радиационно-устойчивый инте- гральный стабилизатор напряжения LW5332-5.0 с отрицательным выход- ным напряжением. Структура радиационно-устойчивой микросхемы LW5332-5.0 с выходным напряжением –5 В и падением напря- жения 1,2 В на регулирующем элемен- те приведена на рис. 10. Рис. 9. График зависимости выходного тока от разницы между входным и выходным напряжениями микросхемы LSK5209 Рис. 10. Упрощённая электрическая схема радиационно- устойчивого интегрального стабилизатора напряжения LW5332-5.0 Рис. 11. Внешний вид корпуса LW5332 V REF 2.37V R LIM RA RB R2 R1 GND REF 2.37Ω 2.63kΩ 0.055Ω 350Ω 2μA 300mV 200mV V IN V OUT Q1 Q4 D2 D1 I1 D4 D3 A5 A2 A1 A4 A3 Q2 Q3 GUARANTEED LIMIT TYPICAL Выходной ток, А Перепад напряжения вход/выход, В GUARANTEED LIMIT 0 0 5 10 15 20 25 30 1 2 3 4 5