Современная электроника №1/2026

ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ 37 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 1 / 2026 НОВОСТИ МИРА. ЧИТАЙТЕ НА ПОРТАЛЕ WWW.CTA.RU Китай, возможно, разрабатывает EUV- литографию в секретной лаборатории: прототипы чипов ожидаются не ранее 2028–2030 годов Китай мог создать прототип установки экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии в закрытой лаборатории и при- ступить к её скрытым испытаниям. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на источники, знакомые с проектом. Если сведения под- твердятся, речь идёт о попытке воспроиз- вести одну из самых сложных и закрытых технологий современной микроэлектроники. Однако анализ доступных данных пока- зывает: даже при наличии работающего ис- точника EUV-излучения Китай остаётся в нескольких годах от создания полноценно- го EUV-инструмента, пригодного для произ- водства чипов. Что известно о предполагаемой уста- новке По данным источников Reuters, система бы- ла собрана в начале 2025 года на строго ох- раняемом объекте в Шэньчжэне и занимает почти целый заводской корпус. Сообщается, что установка способна генерировать EUV- излучение с длиной волны 13,5 нм – стан- дартной для современной EUV-литографии. Источник света, по утверждению собесед- ников агентства, реализован по методу ла- зерно-полученной плазмы (LPP) – тому же принципу, который используется в коммер- ческих сканерах ASML серии Twinscan NXE. Это резко отличает проект от альтернатив- ных китайских разработок, основанных на ускорителях частиц или разрядной плазме. Сам факт выбора LPP может указывать либо на глубокий реверс-инжиниринг запад- ных решений, либо на привлечение специ- алистов, знакомых с архитектурой ASML. Как работает EUV-источник ASML и по- чему его трудно повторить В коммерческих системах ASML исполь- зуется поток расплавленных капель олова диаметром 25–30 мкм, подаваемых в ваку- ум со скоростью до 50 тыс. капель в секун- ду. Каждая капля: 1) получает предварительный лазерный им- пульс (формирование геометрии), 2) затем получает основной мощный им- пульс CO 2 -лазера, 3) превращается в перегретую плазму с тем- пературой свыше 200 000°C, 4) излучает EUV-свет, который собирается многослойным коллекторным зеркалом. Этот цикл повторяется десятки тысяч раз в секунду и требует синхронизации, точно- сти и чистоты, измеряемых нанометрами. Реверс-инжиниринг и «секретная лабо- ратория» Источники Reuters утверждают, что проект реализуется в условиях жёсткой секретности: • сотрудникам выдавались поддельные удостоверения; • полный состав персонала скрывался; • рабочие места контролировались камерами. В проекте, по сообщениям, задейство- ваны: • бывшие инженеры ASML (в том числе за пределами Китая), • около 100 недавних выпускников вузов, • команды, занимающиеся разборкой и сборкой компонентов DUV- и EUV- инструментов. При этом реверс-инжиниринг системы, состоящей из более чем 100 000 деталей, сам по себе не гарантирует работоспособ- ности – ключевым остаётся интеграция всех подсистем в единую, устойчиво работаю- щую машину. ASML, комментируя ситуацию, заявила Reuters: «Логично, что компании хотят вос- произвести нашу технологию, но сделать это крайне сложно». Вывод Сообщения о китайском EUV-проекте ука- зывают на серьёзные амбиции и заметный технологический прогресс, особенно в ча- сти источников EUV-света. Однако текущие данные свидетельствуют: • полноценного EUV-литографического ин- струмента у Китая пока нет; • проект находится далеко от стадии аль- фа-системы; • до серийного производства EUV-чипов остаются годы, если не целое десяти- летие. Даже в оптимистичном сценарии первые прототипы чипов могут появиться не ранее 2028–2030 годов, а их коммерче- ская применимость остаётся под вопросом. Почему «генерировать EUV» ≠ «иметь EUV-литографию» Даже если китайская установка действи- тельно генерирует EUV-излучение, это лишь малая часть полноценного литографическо- го инструмента. Ключевые проблемы, на ко- торые указывает отчёт: • отсутствие подтверждённых данных о мощности EUV-источника; • нерешённые вопросы с коллекторной и проекционной оптикой; • отсутствие информации: – о системе позиционирования пластин, – ваферных и масочных столах, – метрологии, – управляющем ПО. Критически важно, что сверхточная опти- ка EUV-систем (многослойные зеркала Mo/ Si с субнанометровыми ошибками фронта волны) поставляется ASML немецкой ком- панией Carl Zeiss. Без воспроизведения этой оптики говорить о рабочем EUV-сканере не- возможно. Фактически при отсутствии коллектора и проекционной оптики речь может идти не о литографической машине, а лишь об экс- периментальном EUV-источнике. На каком этапе проект реально нахо- дится В самом отчёте подчёркивается: китайский EUV-сканер в текущем виде не может ис- пользоваться для производства микросхем. Ожидания властей КНР предполагают по- явление первых тестовых EUV-чипов в 2028 году, однако источники Reuters считают бо- лее реалистичным горизонт 2030 года или позже. Это согласуется с мировой практи- кой: ASML потребовались десятилетия, что- бы довести EUV от лабораторных экспери- ментов до массового производства. Для сравнения, ещё в 2006 году ASML могла печатать простейшие линии и зазоры, но первая промышленная система Twinscan NXE:3400B вышла лишь спустя 11 лет.