Современная электроника №8/2025

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 11 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 8 / 2025 ны 1550 нм; обработку оптической мощности до 110 мВт; потери на чипе 1,8 дБ; произведение V π· L = 3,1 В·см. Такая высокая мощность обработки и широкая полоса пропускания были получены за счёт локализации боль- шей части оптического поля в LN, а не в кремнии. Годом позже эта же группа авто- ров опубликовала описание новых гибридных модуляторов TFLN MZM, которые были разработаны с метал- лическими копланарными волновод- ными электродами, заглублёнными в кремний на изоляторе (SOI). Эти ЭОМ с длиной волны 1310 нм показали схо- жие характеристики с модуляторами, в которых золотые электроды нанесе- ны поверх слоя TFLN. Оба устройства достигают электрооптической поло- сы пропускания по уровню 3 дБ более 110 ГГц и коэффициента оптического затухания, управляемого напряжени- ем, более 28 дБ. Измеренные полувол- новые произведения напряжения на длину волны ( V π· L ) для вариантов с заглублённым металлическим элек- тродом длиной 0,5 и 0,4 см и верхним золотым электродом составили соот- ветственно 2,8 и 2,5 В·см [21]. Аналогичную проблему согласова- ния скоростей света в волноводе со скоростью распространения моду- лирующего сигнала другая группа китайских разработчиков решила с помощью использования комбиниро- ванной конструкции электродов, кото- рая получила название T&U Traveling Wave Electrodes – TU-TWE. Гибридный нагруженный элек- трод бегущей волны TU-TWE сочета- ет в себе преимущества электродов T-типа и U-типа и позволяет расши- рить полосу, а также снизить управ- ляющее напряжение. Для создания высокоскоростных электрооптических модуляторов на основе тонкоплёночного ниоба- та лития (TFLN) на кремниевых под- ложках в данной работе предлагает- ся гибридная нагруженная структура электрода бегущей волны типа TU (TU-TWE). Суть TU-TWE заключается во введении механизма компенса- ции индуктивности, который позво- ляет эффективно снизить показатель преломления микроволнового излу- чения и ослабить эффект «медленно- го света», тем самым согласуя груп- повую скорость света со скоростью микроволнового излучения. Эта кон- струкция позволила получить полосу пропускания более 110 ГГц и полувол- новое напряжение 1,35 В [22]. Значимым событием этого года стала конференция OFC 2025 (Optical Fiber Communications Conference and Exhibition), проходившая с 30 марта по 3 апреля 2025 года [23]. Это основ- ная мировая площадка для обме- на достижениями в области оптиче- ских технологий связи, объединяющая исследователей, инженеров и про- мышленников. В конференции OFC 2025 приняли участие: ● технологические гиганты: Nokia Bell Labs, Google, Microsoft, Meta (Facebook), NVIDIA, Amazon Web Services, Huawei Technologies, Cisco Systems; ● телекоммуникационные операторы: Verizon, AT&T, Deutsche Telekom, NTT, KDDI Research; ● академические центры: MIT, Stanford, Columbia University, University of California, Chalmers University, Technical University of Munich. В рамках OFC 2025 была проведе- на среди прочих секция «Оптическая обработка и микроволновая фото- ника», на которой были заслуша- ны доклады по новым разработкам гибридных модуляторов. Например, в докладе [24] был проде- монстрирован гибридный электрооп- тический модулятор Маха – Цендера на основе SiN/TFLN с полосой пропу- скания 3 дБ на частотах свыше 110 ГГц и 67 ГГц. Эта модель предназначена для работы в диапазонах C и O. Осо- бое внимание было уделено процессу изготовления с использованием тех- нологии ионного сращивания на уров- не пластины. Важно то, что при этом ниобат лития не подвергался травле- нию. Подробно все представленные доклады будут опубликованы в тру- дах конференции. Рис. 9. Структурная схема гибридного кремнийорганического модулятора Маха – Цендера [26]: 9а) общий вид сверху на модулятор SOH – MZM: • две фазосдвигающие секции (серый цвет); • копланарные контакты: G – заземление и S – сигнал (жёлтый цвет); • многомодовые интерференционные волноводы MMI in, MMI_out; 9б) поперечное сечение гибридной фазосдвигающей секции (SOH): • копланарные контакты: G – заземление и S – сигнал (жёлтый цвет); • Si rail кремниевые дорожки шириной 240 нм, по которым идёт световой поток (серый цвет); • Si slot узкие промежуткимежду Si rail шириной 160 нм, в которые заливается органический электрооптическийматериал (серый цвет) Вход Выход ЭО-полимер Кремний SiO 2 Si-пластина Si-рейка б) а)